近来：
1.继大众点评过后，闲鱼也开始无限给我推送基佬了。
2.倒数日的软件上面绝对不能放“某某工作期限”倒计时，否则每天都是焦虑的一天！
3.每次开学如同坐牢：开班会就像劳头子在讲入狱宣判和监狱守则一样
4.每天独自一人在家做饭都不知道该怎么将就了！
5.个人所得税APP用一次改一次密码
6.每天独自一人在家做饭都不知道该怎么将就了拖到最后就吃了速冻水饺。
7.抓对象抽烟把他吓得像高中生抽烟被训导主任抓一样，他说像他逃课被他妈逮住了一样，心跳加快。
8.鉴于我在b站各大同福客栈腐竹知识问答中都没得到满分，于是我又去刷电视剧了。
9.自从知道他要听我的的唱吧后，我唱的每一首歌都是为他而唱了
10.在北方买五花肉只能竖着切不能横着切，这样我非常无语
11.总有一天，我的5log背景音乐用完了，我该用啥好呢
12.有时候一个东西突然找不到了难受死了
13.只要我微博一发谈恋爱的照片或者5log就立刻掉粉，比我以前发自拍的时候还掉得多掉得快
14.某个男人成了继我爸妈后的第三个出现在我电话收藏列表里的人
15.“胃不和则卧不安”，同理，卧不安，胃也和不了。最近的我又“心脾两虚”了。
16.昨晚发的戏谑朋友圈竟然一语成谶，懒政学校帮我实现了封校坐牢的“梦想”，这周本来陪对象过在一起的第一个生日，学校封校。我人生中所有的负面情绪几乎全给了背时的疫情。
1.继大众点评过后，闲鱼也开始无限给我推送基佬了。
2.倒数日的软件上面绝对不能放“某某工作期限”倒计时，否则每天都是焦虑的一天！
3.每次开学如同坐牢：开班会就像劳头子在讲入狱宣判和监狱守则一样
4.每天独自一人在家做饭都不知道该怎么将就了！
5.个人所得税APP用一次改一次密码
6.每天独自一人在家做饭都不知道该怎么将就了拖到最后就吃了速冻水饺。
7.抓对象抽烟把他吓得像高中生抽烟被训导主任抓一样，他说像他逃课被他妈逮住了一样，心跳加快。
8.鉴于我在b站各大同福客栈腐竹知识问答中都没得到满分，于是我又去刷电视剧了。
9.自从知道他要听我的的唱吧后，我唱的每一首歌都是为他而唱了
10.在北方买五花肉只能竖着切不能横着切，这样我非常无语
11.总有一天，我的5log背景音乐用完了，我该用啥好呢
12.有时候一个东西突然找不到了难受死了
13.只要我微博一发谈恋爱的照片或者5log就立刻掉粉，比我以前发自拍的时候还掉得多掉得快
14.某个男人成了继我爸妈后的第三个出现在我电话收藏列表里的人
15.“胃不和则卧不安”，同理，卧不安，胃也和不了。最近的我又“心脾两虚”了。
16.昨晚发的戏谑朋友圈竟然一语成谶，懒政学校帮我实现了封校坐牢的“梦想”，这周本来陪对象过在一起的第一个生日，学校封校。我人生中所有的负面情绪几乎全给了背时的疫情。
其实身边像羽生结弦这样的需要我仰望然后还时不时带来感动和温暖的人一直都有。
像几年前的毫不犹豫接走我烂case的男神，还有帮人写邮件写的一丝不苟的吉永男神，还有无论什么时候只要ping他他都会帮回答问题和看log的Tang。
今天跟他说起大连又开始做全民核酸了，他说要支援我！(虽然在上次他得新冠时我也是表示要给他寄连花清瘟胶囊却被他一再拒绝) https://t.cn/RJPse79
像几年前的毫不犹豫接走我烂case的男神，还有帮人写邮件写的一丝不苟的吉永男神，还有无论什么时候只要ping他他都会帮回答问题和看log的Tang。
今天跟他说起大连又开始做全民核酸了，他说要支援我！(虽然在上次他得新冠时我也是表示要给他寄连花清瘟胶囊却被他一再拒绝) https://t.cn/RJPse79
不知道该从哪里讲起，后端设计上的东西暂且不表，先说单元库和功耗的关系。
根据发哥的论文，由之前的那个图，我们可以清晰的明白待机功耗和频率以及单元库设计3者之间的关系。基本上在N5这个节点为了达到更高的频率，性能库必须用低阈值电压单元，频率越高需要的电压阈值单元就越低，但是这些单元越低，待机功耗就越高（leakage，半导体物理特性），就是这么尴尬。
首先引入一个名词VT：阈值电压 通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
HVT/SVT/LVT的意思？
high Vt
Standard Vt（也有称为Regular Vt，即RVT)
low Vt
由于阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；
以上是相对粗陋且不是很直观定义的解释，其实就算不知道这些东西，依照发哥的论文给的图也能知道这些信息。
详细点解释：
阈值电压Vt以指数关系影响着漏电功耗。阈值电压Vt与漏电功耗和单元门延迟有如下关系:
阈值电压Vt越高的单元，它的漏电功耗越低，但门延迟越长，也就是速度慢；
阈值电压Vt越低的单元，它的漏电功耗越高，但门延迟越短，也就是速度快。
我们可以利用多阈值电压工艺库的这种特点，进行漏电功耗的优化，设计静态功耗低性能高的电路。
一般的设计中，一个时序路径组((timing path group)有多条时序路径，延迟最大的路径称为关键路径。根据多阈值电压单元的特点，为了满足时序的要求，关键路径中使用低阈值电压的单元(low Vt cells)，以减少单元门的延迟，改善路径的时序。而为了减少静态功耗，在非关键路径中使用高阈值电压的单元(high Vt cells)，以降低静态功耗。因此，使用多阈值电压的工艺库，我们可以设计出低静态功耗和高性能的设计。
举例说明ulvt：
uLVT是什么意思呢，UltraLowVoltageThreshold，指的是标准逻辑单元（StandardCell）用了超低电压阈值。电压低对于动态功耗当然是个好事，但是这个标准单元的漏电也很高，和频率是对数关系，也就是说，漏电每增加10倍，最高频率才增加log10%。后端可以给EDA工具设一个限制条件，比如只有不超过1%的需要冲频率的关键路径逻辑电路使用uLVT，其余都使用LVT，SVT或者HVT（电压依次升高，漏电减小），来减小总体漏电。对于动态功耗，后端还可以定制晶体管的源极和漏极的长度，越窄的电流越大，漏电越高，相应的，最高频率就可以冲的更高。所以我们有时候还能看到uLVTC16，LVTC24之类的参数，这里的C就是指ChannelLength。
由发哥的论文可知，x2大核基本上都是使用了ulvt和elvt单元库，所以漏电大是情有可原的，但是中核为了超频没有使用低漏电的lvt而是使用了ulvt-ll，这一方面虽然频率降下来了，但是又维持在相对高的水平，且漏电依然堪忧。
今天晚上就到这，我看了很多内容，但是主要还是单元库和leakage的内容，需要整合一下。
根据发哥的论文，由之前的那个图，我们可以清晰的明白待机功耗和频率以及单元库设计3者之间的关系。基本上在N5这个节点为了达到更高的频率，性能库必须用低阈值电压单元，频率越高需要的电压阈值单元就越低，但是这些单元越低，待机功耗就越高（leakage，半导体物理特性），就是这么尴尬。
首先引入一个名词VT：阈值电压 通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
HVT/SVT/LVT的意思？
high Vt
Standard Vt（也有称为Regular Vt，即RVT)
low Vt
由于阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；
以上是相对粗陋且不是很直观定义的解释，其实就算不知道这些东西，依照发哥的论文给的图也能知道这些信息。
详细点解释：
阈值电压Vt以指数关系影响着漏电功耗。阈值电压Vt与漏电功耗和单元门延迟有如下关系:
阈值电压Vt越高的单元，它的漏电功耗越低，但门延迟越长，也就是速度慢；
阈值电压Vt越低的单元，它的漏电功耗越高，但门延迟越短，也就是速度快。
我们可以利用多阈值电压工艺库的这种特点，进行漏电功耗的优化，设计静态功耗低性能高的电路。
一般的设计中，一个时序路径组((timing path group)有多条时序路径，延迟最大的路径称为关键路径。根据多阈值电压单元的特点，为了满足时序的要求，关键路径中使用低阈值电压的单元(low Vt cells)，以减少单元门的延迟，改善路径的时序。而为了减少静态功耗，在非关键路径中使用高阈值电压的单元(high Vt cells)，以降低静态功耗。因此，使用多阈值电压的工艺库，我们可以设计出低静态功耗和高性能的设计。
举例说明ulvt：
uLVT是什么意思呢，UltraLowVoltageThreshold，指的是标准逻辑单元（StandardCell）用了超低电压阈值。电压低对于动态功耗当然是个好事，但是这个标准单元的漏电也很高，和频率是对数关系，也就是说，漏电每增加10倍，最高频率才增加log10%。后端可以给EDA工具设一个限制条件，比如只有不超过1%的需要冲频率的关键路径逻辑电路使用uLVT，其余都使用LVT，SVT或者HVT（电压依次升高，漏电减小），来减小总体漏电。对于动态功耗，后端还可以定制晶体管的源极和漏极的长度，越窄的电流越大，漏电越高，相应的，最高频率就可以冲的更高。所以我们有时候还能看到uLVTC16，LVTC24之类的参数，这里的C就是指ChannelLength。
由发哥的论文可知，x2大核基本上都是使用了ulvt和elvt单元库，所以漏电大是情有可原的，但是中核为了超频没有使用低漏电的lvt而是使用了ulvt-ll，这一方面虽然频率降下来了，但是又维持在相对高的水平，且漏电依然堪忧。
今天晚上就到这，我看了很多内容，但是主要还是单元库和leakage的内容，需要整合一下。
✋热门推荐