超高亮度LED的性能（1）
超高亮度
红A1GaAsLED与GaAsP-GaP LED相比，具有更高的发光效率，透明衬低(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w，比红色GaAsP-GaP LED大10倍。超高亮度InGaAlP LED提供的颜色与GaAsP-GaP LED相同包括：绿黄色(560nm)、浅绿黄色(570nm)、黄色(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm深红(640nm)。透明衬底A1GaInP LED发光效率与其它LED结构及白炽光源的比较，InGaAlP LED吸收衬底(AS)的流明效率为101m/w，透明衬底(TS)为201m/w，在590－626nm的波长范围内比GaAsP-GaP LED的流明效率要高10－20倍；在560－570的波长范围内则比GaAsP-GaP LED高出2－4倍。超高亮度InGaN LED提供了兰色光和绿色光，其波长范围兰色为450－480nm，兰绿色为500nm，绿色为520nm；其流明效率为3－151m/w。超高亮度LED目前的流明效率已超过了带滤光片的白炽灯，可以取代功率1w以内的白炽灯，而且用LED阵列可以取代功率150w以内的白炽灯。对于许多应用，白炽灯都是采用滤光片来得到红色、橙色、绿色和兰色，而用超高亮度LED则可得到相同的颜色。近年AlGaInP材料和InGaN材料制造的超高亮度LED将多个(红、兰、绿)超高亮度LED芯片组合在一起，不用滤光片也能得到各种颜色。包括红、橙、黄、绿、蓝，目前其发光效率均已超过白炽灯，正向荧光灯接近。发光亮度已高于1000mcd，可满足室外全天候、全色显示的需要，用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋，实现三维动画。新一代红、绿、蓝超高亮度LED达到了前所未有的性能，可以实现拼接显示，采用BSV液晶拼接技术实现大画面高亮度显示。
超高亮度
红A1GaAsLED与GaAsP-GaP LED相比，具有更高的发光效率，透明衬低(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w，比红色GaAsP-GaP LED大10倍。超高亮度InGaAlP LED提供的颜色与GaAsP-GaP LED相同包括：绿黄色(560nm)、浅绿黄色(570nm)、黄色(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm深红(640nm)。透明衬底A1GaInP LED发光效率与其它LED结构及白炽光源的比较，InGaAlP LED吸收衬底(AS)的流明效率为101m/w，透明衬底(TS)为201m/w，在590－626nm的波长范围内比GaAsP-GaP LED的流明效率要高10－20倍；在560－570的波长范围内则比GaAsP-GaP LED高出2－4倍。超高亮度InGaN LED提供了兰色光和绿色光，其波长范围兰色为450－480nm，兰绿色为500nm，绿色为520nm；其流明效率为3－151m/w。超高亮度LED目前的流明效率已超过了带滤光片的白炽灯，可以取代功率1w以内的白炽灯，而且用LED阵列可以取代功率150w以内的白炽灯。对于许多应用，白炽灯都是采用滤光片来得到红色、橙色、绿色和兰色，而用超高亮度LED则可得到相同的颜色。近年AlGaInP材料和InGaN材料制造的超高亮度LED将多个(红、兰、绿)超高亮度LED芯片组合在一起，不用滤光片也能得到各种颜色。包括红、橙、黄、绿、蓝，目前其发光效率均已超过白炽灯，正向荧光灯接近。发光亮度已高于1000mcd，可满足室外全天候、全色显示的需要，用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋，实现三维动画。新一代红、绿、蓝超高亮度LED达到了前所未有的性能，可以实现拼接显示，采用BSV液晶拼接技术实现大画面高亮度显示。
剥离转移良率接近100%，上海芯元基突破Micro LED芯片量产关键技术
上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称：芯元基）利用其独立知识产权的DPSS衬底技术、侧向外延生长技术和化学剥离蓝宝石衬底技术成功开发出了10微米-50微米的GaN基薄膜倒装Micro LED芯片，相比行业现有的激光剥离蓝宝石衬底技术，芯元基首创的化学剥离蓝宝石衬底技术不仅能够实现100%的剥离良率，而且对GaN，特别是InGaN量子阱毫无损伤，规模化量产后的成本优势非常明显。
芯元基的侧向外延生产技术不仅可以把GaN外延层中的位错密度降到107cm-2，而且还可以控制位错的位置，使得我们可以把Micro LED阵列安排到没有位错的位置，从根本上解决困扰行业的不均性问题。
芯元基独创的化学剥离技术，不仅可以保证100%的剥离良率，而且还和现有的半导体晶元加工技术有非常好的兼容性，可以利用现有的半导体晶元临时键合技术实现晶元级巨量转移，从而加速Micro LED显示产业化的进程。
在芯片结构上，利用沟槽结构取代了常规的台面结构，实现了P电极和N电极的等高，解决了驱动背板上的焊点和芯片电极高度不匹配的问题；芯元基的芯片工艺保证了芯片只有一个具有纳米粗化结构的出光面，芯片的四周及其底部具有相应的反射结构，解决了显示光串扰问题的同时，可以进一步提高显示的亮度。
上述芯片可应用于车载显示、AR/VR等新兴市场，芯元基已经开始与国内知名厂商展开合作，送样测试。同时，芯元基设计了一款尺寸为16*27微米的薄膜倒装芯片可以随时给意向客户送样测试，出货方式上，可通过批量转移技术将芯片转移到客户定制的柔性材料上或者键合在临时背板上，便于客户使用。
芯元基半导体
上海芯元基半导体成立于2014年，是基于第三代半导体氮化镓材料为主研发、设计、生产芯片的创新型公司。公司拥有全球首创的以复合图形化衬底和化学剥离为核心的技术体系，并拥有完整自主知识产权。目前已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。 https://t.cn/R2WxdDX
上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称：芯元基）利用其独立知识产权的DPSS衬底技术、侧向外延生长技术和化学剥离蓝宝石衬底技术成功开发出了10微米-50微米的GaN基薄膜倒装Micro LED芯片，相比行业现有的激光剥离蓝宝石衬底技术，芯元基首创的化学剥离蓝宝石衬底技术不仅能够实现100%的剥离良率，而且对GaN，特别是InGaN量子阱毫无损伤，规模化量产后的成本优势非常明显。
芯元基的侧向外延生产技术不仅可以把GaN外延层中的位错密度降到107cm-2，而且还可以控制位错的位置，使得我们可以把Micro LED阵列安排到没有位错的位置，从根本上解决困扰行业的不均性问题。
芯元基独创的化学剥离技术，不仅可以保证100%的剥离良率，而且还和现有的半导体晶元加工技术有非常好的兼容性，可以利用现有的半导体晶元临时键合技术实现晶元级巨量转移，从而加速Micro LED显示产业化的进程。
在芯片结构上，利用沟槽结构取代了常规的台面结构，实现了P电极和N电极的等高，解决了驱动背板上的焊点和芯片电极高度不匹配的问题；芯元基的芯片工艺保证了芯片只有一个具有纳米粗化结构的出光面，芯片的四周及其底部具有相应的反射结构，解决了显示光串扰问题的同时，可以进一步提高显示的亮度。
上述芯片可应用于车载显示、AR/VR等新兴市场，芯元基已经开始与国内知名厂商展开合作，送样测试。同时，芯元基设计了一款尺寸为16*27微米的薄膜倒装芯片可以随时给意向客户送样测试，出货方式上，可通过批量转移技术将芯片转移到客户定制的柔性材料上或者键合在临时背板上，便于客户使用。
芯元基半导体
上海芯元基半导体成立于2014年，是基于第三代半导体氮化镓材料为主研发、设计、生产芯片的创新型公司。公司拥有全球首创的以复合图形化衬底和化学剥离为核心的技术体系，并拥有完整自主知识产权。目前已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。 https://t.cn/R2WxdDX
LED 芯片 5 W 12v 纯白 COB 大功率 LED
项目 5w cob led 芯片
产品名称 Bridgelux Epistar 芯片 5 W 12v 纯白 COB 大功率 LED
白色 COB 大功率 LED
功率5w
芯片材料 InGaN
色温(K) 2800-7000k
工作温度 -20°C- +60°C
电流(mA) 300mA
正向电压 15-18V
认证 CE, RoHS
保修 2 年
COB LED芯片特点：
1.Bridgelux, Epistar, Epileds cob led 芯片
2.日本道康宁硅胶填料，符合环保要求
3.Intematix荧光粉，品质保证
4. 亮度高，光衰小，耗电少，寿命长。
5.光衰：小于1%
项目 5w cob led 芯片
产品名称 Bridgelux Epistar 芯片 5 W 12v 纯白 COB 大功率 LED
白色 COB 大功率 LED
功率5w
芯片材料 InGaN
色温(K) 2800-7000k
工作温度 -20°C- +60°C
电流(mA) 300mA
正向电压 15-18V
认证 CE, RoHS
保修 2 年
COB LED芯片特点：
1.Bridgelux, Epistar, Epileds cob led 芯片
2.日本道康宁硅胶填料，符合环保要求
3.Intematix荧光粉，品质保证
4. 亮度高，光衰小，耗电少，寿命长。
5.光衰：小于1%
✋热门推荐