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【诗画德兴】话说德兴银山银矿遗址的价值#德兴# 话说德兴银山银矿遗址的价值

银山银矿遗址,位于德兴市银城街道天门山居委会南山坞至马脑坞一带。遗址总面积约2.14平方公里。采矿区有矿洞、巷道194处,另有大型露采坑、槽坑和大量废石堆积,地下开采深度达侵蚀基准面100米以下。国内外矿冶考古专家认为,银山采矿盛期为唐宋,它是目前中国开采时间最早、矿山规模最大、采冶技术最为先进的一处大型银矿遗址。采矿区保护范围:东至银城与苗圃山脊分水岭,南至南山坞正湾南面山脊,西至银山矿区北面山脚,北至马脑坞山脚。建设控制地带:遗址保护范围周围外延50米。2008年12月银山银矿遗址载入国家文物局编纂的文物普查专辑《2008年第三次全国文物普查重要新发现》。2013年5月3日,国务院公布第七批全国重点文物保护单位,银山银矿遗址列入。

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银山银矿遗址点多面广,矿井形式丰富。有横井、竖井、斜井、盲井等,采矿区与冶炼区齐全,矿渣堆积丰富。保存的矿冶遗迹宏伟壮观,地形地貌原始古朴。银山银矿遗址对研究我国银矿的开采与冶炼技术发展史,具有重要的历史价值、科学价值、社会价值。

01

历史价值

银山古银矿是唐宋时期的一座大型银矿山,是唐宋时期中国白银生产的重要基地。银山古银矿在此期间的白银产量史书记载颇多。《文献通考》卷十八记载:“贞观初,御史权万纪上言,宣、饶二州银大发,采之岁可得数百万缗。”《太平寰宇记》卷一○七记载:“总章二年(609),邑人邓远上列取银之利。上元二年(675)因置场监,令百姓任便采取,官司什二税之,其场即以邓公为名。”夏湘蓉、李仲钧、王根元编写的《中国古代矿业开发史》一书中评述:“岁产量就有十余万两之多。银山银矿的税率,有百分之七和百分之二十两种不同的记载。如按百分之七计算,元和初岁产银应为十七万两。又如包括德兴银山的十余万两在内,那么,饶州银山的年产量约占当时全国银产量的百分之五十九。”《太平广记》卷104《银山老人条》引《报应记》云:“采户逾万,并是草屋,延和中(712年)火发,万室皆尽。”据路甬祥主编的《中国古代金属矿和煤矿开采工程技术史》考证,《太平广记》中的“银山老人”乃饶州银山老人,即德兴一带。这里是唐代银产量最大的银矿区,民间的开采者竟达万户以上,足见当时民间采矿的兴盛和开采大势。《唐六典》卷20记:右藏署,“掌握邦国宝货之事”。列举唐产银地“饶、道、宜、永、安南、邕等州”,以饶州为首,则饶州首推银山。北宋至道三年(997),邓公场课银14.5万两。天禧五年(1021),以银山为主要产地的德兴县产银达88.3万两,为全国之首。北宋初期至天禧五年,银场有三监、三务、五十一场,饶州德兴邓公场位列诸矿之冠。正因为德兴采银业如此兴旺,到太平兴国元年特在德兴设市银院。综上所述,从唐代中期至北宋早期银山银矿一直是中国第一大银矿,引领风骚长达三百余年。

02

科学价值

唐宋时期的德兴银山银矿遗存表明,这是一座大型矿山,其规模和采矿冶炼技术均代表当时国内先进水平,在中国矿冶史上留下了浓墨重彩的一笔。

银山银矿具有当时的先进采冶水平,矿山开拓规模大,地下开拓系统乃至矿山整体布局科学合理。所谓开拓范围大,包括矿山规模大、露采规模大、地下井深大三个方面。

矿山规模大:《太平广记》载:“饶州银山,采户逾万”,矿山规模之大由此可见一斑。《元和郡县图志》言,银山每岁出银十余万两,收税山银千两。据历史数据统计,银山矿产出的白银相当元和时全国银产量的59%,宣宗时总额的28%。由此可见,银山矿作为唐王朝第一大银矿,其经济和政治地位举足轻重。

露采规模大:民国27年,江西省地质调查所地质学者夏湘蓉、刘辉泗来德兴调查地质和矿产资源,并依据调查所得编撰《德兴县矿产志》(载《江西地质调查所地质汇刊第3号》)。该志载述:“银山山高约130-150公尺,峰岗错出。其间古时之废井,虽历千年仍有遗迹可考,而废石沿山坡堆积,延长约二里,高达百公尺,犹可藉以推想昔日工程之伟大。银井位于县城东约半里,井旁为古时冶银处(昔称邓公场),炼渣堆积如山,遥望之一片黑色,面积约计达一方里以上。”银山采掘之历史,亘四百余年,产量之丰,可以想见。矿产志介绍了古银山银矿的露天开采情况:“银山在西南里许山坝上,有一狭长深沟,沿山坡直上,走向约为东西,因无路可通,未至近前观察,但其为古人沿矿脉露头作露天开掘之遗迹。”夏、刘两位地质学者认为,“银山之银矿,就矿山遗迹及历史记载考之,其藏量丰富,殊无足疑,第因采掘历史悠久,地面易采部分,殊已告罄。”卢本珊在《中国古代金属矿和煤矿开采工程技术史》一书中述及上世纪70年代所见银山古银矿遗存:“江西德兴银山高约130-150米,矿床为低温热液,矿体多呈扁豆体,薄者2米,厚达20米,充填于千枚岩中并交代变质古火山岩,规模大,含银量特富,矿体上部出露地表,因而被古人充分进行露天开采。露采位于银山西南山坡上,沿矿脉由低向高向山坡直上,开凿一狭长的凹陷露天采场,走向为东西。”近年,市组织有关专家学者对银山古银矿遗存进行考察调查。考察调查所见,遗存在南山坞的1、2号塌陷区,其上部应是古代二大露采坑,其底部则是古代地下采场,由于地下被采空,故形成大塌陷坑。全封闭的露采坑大多呈椭圆形,长径约500米、短径约300米,这种露采坑矿体处于山脊中部。还有一种是矿体处于山坡,往往形成单壁壑沟式山坡露天矿。在仙人架板、十八脚均有这种垫堑沟式露采探槽,长120-100米,宽9-12米,深5-13米。

地下井深大:银山古银矿的地下开采距地表深达30-40米,采用竖井和平巷、斜巷联合开拓。井巷采场位于矿体内部,采掘方向沿矿体走向。当井巷开拓到纵深处时,往往形成地下主采场,高度一般都有3-8米,采场面积有的达50平方米以上。井巷和采场设计施工都在矿体内。采空区的布局方法采用宝塔形,即几个叠压的采空区,上面比下面大,在平面投影上,由西北往东南方向错位布置,避免完全重叠,形成下层采场的围岩成为上层采场的矿柱,其布局反映了唐宋工匠对于地下管理的认识处于一个很高水平。这样设计,有利于地下开拓规模进一步扩大,使地下回采工艺达到了新的水平。竖井有大中小型之别,大井筒直径达3米,深度达30-40米不等,井底两对壁有巷道延伸至地下深部采矿。

科学布局的地下开拓系统是古银山矿先进技术水平的体现。古银山矿的地下开拓方法灵活多样,适应了矿体地质构造,符合安全开采的要求。地下开拓系统主要是平巷、斜巷沿矿体走向开拓,常常在巷道的尽头开拓采场。为追踪富矿,往往根据矿脉走向,采用树枝状不规则矿洞挖取富矿,扩大采掘面。还有一种方法是当平巷或斜巷向前掘进一段后,开掘大的地下采场,采取留柱空场法,即房柱法采矿,以此最大限度地开采富矿带,并保证采空区的稳定性。

银山矿的布局及其设计思想在当时是先进的。矿山的平面布置结合了地形、地质条件和生产工艺要求,做到有利生产。古代矿山工业场地包括井架、井口棚、筛分场、选矿场、贮矿场、废石场以及工具制造场。当时矿工使用的瓷陶器有罐、壶、碗、灯等,主要是饮食器,大多在矿洞前废石堆内发现。同时还发现兽骨,竹火签头、木炭等,说明当时矿工大多数时间在作业区野外露餐。另外,从采集到的唐代青瓷器残件和宋代青白瓷残件的分布点判断,似乎可以看到唐宋时期矿区分布规律:唐代采区主要在银城洎水河沿的低山处,即南山坞一带;宋代矿区主要分布在路途更远的山腰中段以上。露采坑,唐代选择围岩含砂石土的封闭式椭圆形大坑。宋代则改为剥离比更少,含富矿的全裸露坚硬岩石矿,多采用长达百余米的探槽法。

银井

古代冶银场集中于矿山西北角的铁石山,冶炼场一带分布有水井群。宋太平兴国元年(976)设立的市银院即官府收购银矿石或银锭,核收银山税的专门机构也设于此。从《德兴县志》有关银城的古代城廓图看,旧时的官署机构,以及书院、寺庙、塔等城市地标性的建筑都在铁石山冶炼场一带。虽是明清建筑,但仍是历史传承地。后人为纪念邓公场创办者邓远而兴建的邓公祠在铁石山,北宋江南名楼聚远楼旧址亦在这一带。银山古银矿的开发,带来了城市的繁荣,德兴县城以银城为名就是最好的诠释。

03

社会价值

银山古银矿遗存是中国迄今所见保存矿山历史风貌和矿业遗迹最为丰富、规模最大、年代最为久远的银矿业遗存。银山古银矿规模不仅在国内首屈一指,在世界现存的银矿山中也是少见的。

在此,我们不妨将古银山矿及其遗存与欧州、亚州的著名古银矿及其遗存作一比较,看看银山古银矿及其遗存在世界银采冶业中的历史地位和价值。银山矿的始采年代约公元616年,时值盛唐时代。以采矿、冶炼为主,采用民采官收,官方监管制度。矿冶技术为露采和地下开采相结合,灰吹法炼银。生产环境与城镇关联,人文传说丰富,传说有神鹿。银山古银矿为唐代至北宋前期中国最大的银矿。值得一提的是,银山银矿至今还在正常生产。银山银采冶遗址是当今国内历史风貌和采冶遗迹最为丰富完整,规模最大、年代最为久远的古银采业遗存。德国的格拉斯拉尔银矿,始采于德意志王公时代(约公元968年),为御用矿山。今银矿周边存有古城和古今采银遗迹,环境与古城关联,传说有神马。格拉斯拉尔银矿遗址已被列入世界文化遗产。亚州的日本石见银矿,始采于江户时代(约公元1564年),遗存有古城和开采冶炼遗迹。使用灰吹法炼银,矿山属海岛矿山。石见银矿遗址近年亦被列入世界文化遗产。国内其它古银矿遗址,大多为明代遗存,少数为宋代遗存,规模和历史风貌的丰富和完整等方面均不及银山古银矿遗址。综上所述,银山古银矿是目前国内,乃至世界上已知的开采历史最长,规模最大的银矿之一;银山古银矿遗址是国内外罕见的古银采业遗存,是人类不可多得的历史文化遗产。

美媒探访#台积电# #美国#5nm工厂 还提到#两岸关系#

【文/观察者网 吕栋 编辑/陶立烽】

当地时间10月16日,美国消费者新闻与商业频道(CNBC)实地探访了台积电正在美国建设的5纳米工厂。从现场画面看,这座已经规划一年半、开工6个月的工厂,似乎仍然处于初期的施工阶段,而美国政府承诺给台积电的补贴至今尚未落实。

宣布建厂一年多后的台积电亚利桑那工厂

宣布建厂一年多后的台积电亚利桑那工厂

在这篇探访报道中,CNBC还特别提到两岸关系,声称台积电的重要工厂大多位于中国台湾和中国大陆,这使得全球芯片供应很容易受到自然灾害和地缘政治紧张局势的影响,甚至还有一些专家将台积电称为台湾地区与大陆紧张关系中的“硅盾”。

无独有偶,半导体分析机构“IC Insights”10月13日发布报告称,目前没有比中国台湾更重要的芯片生产基地。如果中国大陆在芯片设备方面始终无法取得突破,可以通过必要手段实现两岸统一来解决这个问题。

届时,中国大陆和台湾地区的芯片产能将占全球产能的37%,约为北美产能的3倍。

CNBC报道截图

CNBC报道截图

“台积电产能大部分在台湾,对西方是一个重要问题”

“台积电可能不是一个家喻户晓的公司,但它的市值超过5500亿美元,是全球市值最高的10家公司之一。现在,它正在利用其可观的资源将世界上最先进的芯片制造工厂带回(bring back)美国本土。”CNBC在报道中写道。

日前,CNBC前往美国亚利桑那州,实地探访了台积电正在当地建设的晶圆厂。在投资120亿美元将这座工厂建成后,台积电将在该工厂将生产5纳米先进制程,月产能2万片晶圆。

目前,5纳米是世界上最先进的芯片制程,英特尔等美国公司尚未量产这一节点,而台积电的到来有望改变这种情况。不过,从现场画面来看,在宣布建厂1年多后,台积电亚利桑那工厂仍处于初期施工阶段。

图片来源:CNBC

图片来源:CNBC

“实际上,我们正在复制在台湾的建厂模式”,台积电技术处长陈锵泽(Tony Chen)在现场介绍称,该公司正在建造一座230万平方英尺(约合21.4万平方米)的四层晶圆厂。在台积电工作的23年里,陈锵泽曾推动其他17个晶圆厂建设项目。

“如果你想要更多的产能,就必须建造更多的晶圆厂,这就是我们搬到美国的原因之一。”台积电首席战略官、亚利桑那项目总裁兼首席执行官里克·卡西迪表示,“我们的客户希望我们在美国,美国政府也希望我们在这里。”

图片来源:CNBC

图片来源:CNBC

作为世界上最大的晶圆代工厂,台积电可以生产从手机到F-35战斗机、再到美国宇航局(NASA)火星探测器“毅力号”(Perseverance Rover)的各种关键芯片。本月早些时候,台积电宣布在日本建设新厂的计划,该公司将在那里使用28nm等成熟制程生产芯片,用于家用设备和某些汽车部件。除此之外,该公司还是苹果iPhone和大多数Mac电脑中最先进芯片的独家供应商。

事实上,美国才是芯片产业的发源地。但几十年来,全球芯片制造产能持续向亚洲转移。国际半导体产业协会(SEMI)的数据显示,截至2020年,亚洲占全球芯片产能的79%,美国占全球芯片产能的12%,远低于1990年的37%。

图片来源:CNBC

图片来源:CNBC

台积电披露的数据显示,2020年,该公司占全球半导体产能的24%,比2019年提高3个百分点。而研究机构凯投宏观的数据显示,在最新款iPhone、超级计算机和汽车人工智能等领域使用的芯片中,台积电产能占92%,三星产能占8%。

“台积电几乎已经成为先进芯片的垄断者,这些制造业务大部分都集中在台湾,这对美国甚至西方世界来说,都是一个重要的国家问题。”萨斯奎哈纳(Susquehanna)高级半导体分析师克里斯托弗·罗兰表示。

除最先进的3纳米和5纳米芯片外,台积电还为电动牙刷和咖啡机等产品生产面积更大的芯片。但目前几乎所有类型的芯片都出现产能紧缺,包括通用汽车和丰田在内的汽车制造商已暂停部分工厂的生产,苹果也可能会削减其2021年iPhone 13的生产目标,部分机型的订单将推迟一个多月。

图片来源:CNBC

图片来源:CNBC

机构:两岸统一,中国芯片产能将是北美3倍

短期来看,芯片短缺制约着各行业的发展。长期来看,随着万物互联时代的到来,全球芯片使用量或将大幅增加,这让台积电这类芯片代工厂的重要性日益凸显。

借着这个话题,CNBC再次提到了两岸关系。该报道有些炒作意味,称台积电的12英寸晶圆厂大多位于台湾和中国大陆,这使得全球芯片供应很容易受到自然灾害(包括目前台湾岛内的干旱)或该地区地缘政治紧张局势的影响。而一些专家甚至将台积电称为台湾与大陆紧张关系中的“硅盾”(silicon shield)。

“媒体描绘了一幅非常黯淡的画面,”高级半导体分析师克里斯托弗·罗兰表示,“但我实际上乐观得多,因为中国大陆和台湾之间存在互惠关系,中国大陆目前的先进制造业需要台积电的芯片。”

高级半导体分析师克里斯托弗·罗兰 CNBC视频截图

高级半导体分析师克里斯托弗·罗兰 CNBC视频截图

中国大陆的确需要台积电生产的先进芯片,但美国政府过去几年一直在通过长臂管辖阻碍大陆部分企业获取芯片产能,并且打压大陆本土的芯片制造厂商。

10月13日,知名半导体分析机构IC Insights发布报告称,随着中美贸易紧张关系加剧,美国对部分中国半导体企业实施严厉制裁,这让中国开始思考未来如何参与集成电路和电子行业的全球竞争。

IC Insights报告截图

IC Insights报告截图

IC Insights数据显示,2020年中国大陆芯片自给率为15.9%。预计到2025年,中国大陆半导体芯片市场规模将达到2230亿美元,2020-2025年间的年复合增长率将达9.2%。而2025年中国大陆半导体芯片产值将达到432亿美元,2020-2025年间的年复合增长率将达到13.7%。

按这个数据计算,到2025年中国大陆生产的半导体芯片产值,在整个中国大陆半导体芯片市场当中的占比将达到19.4%。

还需要注意的是,在2020年中国大陆227亿美元的芯片产值中,总部位于中国大陆的企业只生产了其中的83亿美元(36.6%),台积电、SK海力士、三星、英特尔、联电和其他在中国大陆拥有晶圆厂的企业生产了其余的芯片。

报告指出,未来全球经济的健康增长越来越依赖于先进电子系统的持续引入。这些系统中的关键部件是集成电路,没有集成电路,就无法生产先进的电子系统。

数据来源:IC Insights

数据来源:IC Insights

在此背景下,中国大陆如何快速发展芯片产业、提高芯片自给率?

IC Insights罕见指出,实现两岸统一或是一个选项。理由如下:

1.截至2020年12月,中国台湾在全球IC产业产能中所占份额居首位。如果两岸实现统一,中国大陆和台湾地区的芯片产能将占全球芯片产能的约37%,约为北美地区产能的3倍。

2.在台积电的引领下,截至目前,中国台湾的先进芯片(制程<10纳米)产能是世界任何国家和地区中最大的(63%),以三星为代表的韩国拥有剩余的37%。

3.中国台湾的公司占岛内总产能的近90%。岛内少数的非本土晶圆厂有美国Diodes,拥有的一个小型6英寸晶圆厂,以及美光拥有的两个先进的12英寸DRAM晶圆厂(分别是桃园的Fab11晶圆厂,每月产能为10万8000片,和台中Fab16晶圆厂,产能为月产能10万片)。

4.中国台湾拥有全球22%的12英寸晶圆产能,紧随韩国的25%。相比之下,北美仅占11%;岛内半导体总产能约80%来自代工生产。预计到2021年,中国台湾的纯代工厂(即台积电、联电、力积电等)将占全球纯代工市场总量的近80%。

各地区芯片产能占比 数据来源:IC Insights

各地区芯片产能占比 数据来源:IC Insights

因此,IC Insights指出:目前没有比中国台湾更重要的芯片生产基地。如果中国大陆在芯片设备方面始终无法取得突破,可以通过必要手段实现两岸统一来解决这个问题。

2021年三季度,台积电各制程营收占比

2021年三季度,台积电各制程营收占比

正从台湾请专家协助建厂

大洋彼岸,台积电亚利桑那州工地现场,世界上最大的起重机之一正被提升到200英尺的高度,这个重达2300吨的起重机由153辆半卡车运到现场。

工地主管吉姆·怀特(Jim White)透露,自今年4月开工以来,承包商已经搬移近400万立方码(1立方米等于1.3立方码)的泥土,并使用了超过2.6亿加仑(1加仑=3.79升)的水。

CNBC视频截图

CNBC视频截图

建造晶圆厂和制造芯片需要大量的水,而在亚利桑那的沙漠中,水并不是丰富的资源。该州最大的水资源是地下水,但大型农场的深井用水的速度比自然补充的速度要快。

陈锵泽介绍称,台积电每天需要大约470万加仑的水来支持生产。

台积电对水资源短缺并不陌生。目前,台湾地区正面临56年来最严重的干旱,但台积电表示,这并未影响生产。该公司透露,在亚利桑那州一个现场水处理中心,将回收高达90%的工厂用水。

另外一个挑战是,台积电大多数5纳米专家都在亚洲。

为了解决这个问题,台积电的学术关系经理罗克珊娜·维加透露,该公司将从台湾请来一些顶级专家,“他们被认为是我们工厂的主题专家。这将是一项临时任务……两年,也许三年。”

台积电方面透露,该公司已经向台湾派遣了250多名美国新员工,进行为期12至18个月的培训,以跟上工厂进度。

CNBC称,多元化是台积电将先进制造业带到美国的一个关键原因。高级半导体分析师克里斯托弗·罗兰指出,在模拟半导体设计方面,台湾没有优势,如果搬到美国,就能接触到更多的模拟设计公司。

事实上,美国严重依赖台积电的芯片产能,才是特朗普执政时期对台积电软硬兼施的真正原因。

“亚利桑那州有许多计划,包括合格设施税收抵免和优质工作税收抵免,这确实是帮助降低运营成本的一个激励因素。除此之外,凤凰城还提供了一项2亿美元的基础设施计划,帮助台积电获得所需的水和其他基础设施。”大凤凰城经济委员会主席兼首席执行官克里斯·卡马乔表示。

CNBC视频截图

CNBC视频截图

目前,拜登政府已经提议为台积电等芯片公司在美国本土建厂提供520亿美元的补贴。行业报告预计,美国政府将投资约500亿美元,在未来10年在美国建造19座晶圆厂,使美国本土芯片制造能力翻一番。

但日经新闻日前曾尖锐指出,目前距台积电宣布在美建厂已过去1年半以上,美国众议院的相关法案连补贴内容都没有纳入,审议也没有进展,给台积电的补贴完全无法落实。对于向海外企业提供巨额补贴,美国国内也存在反对声音。

随着全球芯片持续紧缺,台积电已承诺在未来三年内投资1000亿美元扩产。类似的扩产行动也正在世界各地进行。SEMI预计,到2024年将有72家新晶圆厂或重大扩产项目投产,其中10家位于北美和南美。

SEMI总裁兼首席执行官阿吉特·马诺查(Ajit Manocha)坦言:“我在过去两三年听到的投资公告比我一生听到的都多。基于此,我们认为,到明年年底,芯片短缺问题应该会有所缓解。”

《华尔街日报》报道称,在此之前,由于需求持续飙升,台积电把芯片价格上调至多20%,成本可能会通过电子产品的价格转嫁到消费者身上。该公司还在继续提高产能,包括在美国的产能,亚利桑那州占地1100英亩(约合445.2万平方米)的工厂肯定有余力进行第二阶段的生产。


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