#富士通电子市场活动#大比特资讯将于10月30日在上海举办“第十四届（上海）新能源汽车核心电源技术研讨会”，同期将举办“第九届（上海）新能源汽车电驱动与BMS暨充电装置技术研讨会”，届时将邀请国内外知名企业和行业专家精英共聚一堂。在本期研讨会上，富士通电子元器件（上海）有限公司产品总监冯逸新将为大家带来【FRAM--高性能存储器，是优化车载电子系统的最佳存储解决方案】主题演讲。
时间：2020年10月30日
地点：上海龙之梦万丽酒店十楼宴会厅
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#富士通电子代理产线红宝石Rubycon#是日本最高品质专业铝质电解电容器制造厂之一，成立64年来一直专注最高品质铝质电解电容器制造，高品质的电容，高性能电路系统的保障。其产品具有低阻抗、高纹波、长寿命等特点，特别适用于可靠性、稳定性方面都要求较高的电子线路中。红宝石的铝质电解电容品种繁多，在包括医疗器械、闪光灯、电子节能灯、电子整流器、电能表、通讯产品、开关电源、家用电器、光伏电源等诸多领域应用广泛。
【看看芯片的计量单位，你就知道制造芯片有多难！】
芯片尺寸构装（Chip Scale Package, CSP）是一种半导体构装技术。。作为新一代的芯片封装技术，在TSOP、BGA的基础上，CSP的性能又有了革命性的提升。
CSP，全称为Chip Scale Package，即芯片尺寸封装。作为新一代的芯片封装技术，在TSOP、BGA的基础上，CSP的性能又有了革命性的提升。
最早CSP只是芯片尺寸封装的缩写。根据IPC的标准J-STD-012, "Implementation of Flip Chip and Chip Scale Technology"，以符合芯片规模，封装必须有一个面积不超过1.2倍，更大的模具和它必须一个单芯片，直接表面贴装封装。
由于便携式电子产品的外形尺寸日趋缩小，富士通和日立电线跟Mukarami首次提出了这一概念。然而，第一个概念演示来自三菱电机。
芯片尺寸构装是在TSOP、球栅阵列（ball grid array,BGA）的基础上，可蚀刻或直接印在硅片，导致在一个包，非常接近硅片的大小：这种包装被称为晶圆级芯片规模封装（WL-CSP）或晶圆级封装（WLP）。
CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32mm2，约为BGA的1/3，仅仅相当于TSOP面积的1/6。这样在相同封装尺寸时可有更多的I/O数，使组装密度进一步提高，可以说CSP是缩小了的BGA。
CSP封装芯片不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。
CSP封装的电气性能和可靠性也比BGA、TSOP有相当大的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP（薄形小外形封装）、BGA引脚数多的多（TSOP最多304根，BGA以600根为限，CSP原则上可以制造1000根），这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。
CSP封装芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离，衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。
芯片的大小用nm来表示，nm是一个长度单位，它表示的意思就是纳米，1mm（毫米）=1000um（微米)，1um=1000nm(纳米）。
我们经常看到报道上说芯片制程达到了14nm、7nm（如例图1）、5nm，最近中芯国际在没有ASML的EUV光刻机的情况下，实现了7nm的制程，有很多人对此感到很兴奋。同时也有人问，半导体的多少纳米制程，到底是指晶体管间距多少纳米，还是晶体管的大小是多少纳米？
IBM提供的微处理器截面
要回答这个问题，我们得从一个晶体管单位的组成说起。
晶体管工作的时候，电流从源极（Source）流入漏极（Drain），中间绿色的那堵墙叫作栅极（Gate），相当于一个闸门，它负责控制源极和漏极之间电流的通断。而电流通过栅极（Gate）时会损耗，栅极的宽度就决定了损耗的大小。表现在芯片上，就是芯片的发热和功耗，栅极越窄，芯片的功耗就越小。
栅极的最小宽度（栅长，就是上面右图Gate的宽度）就是多少nm工艺中的数值了。
在实际芯片制程工艺中，越小的制程工艺，不但对制造工艺和设备有更高的要求，其芯片性能也会受到极大的影响。当宽度逼近20nm的时候，栅极对电流的控制能力就会急剧下降，从而发生“漏电”的问题。
漏电会导致芯片的功耗上升，更会使电路发生错误，信号模糊。为了解决信号模糊的问题，芯片又不得不提高核心电压，使得功耗更大。这对于更小工艺制程来说，是一个矛盾。
为了解决这个问题，台积电和三星等芯片制造企业，提出了FinFET工艺。这种工艺，简单来说，就是将芯片内部平面的结构，变成了立体的，把栅极形状改制，增大接触面积，减少栅极宽度的同时降低漏电率，而晶体管空间利用率大大增加。
FinFET（鳍式场效应晶体管），是一种新型的晶体管，这种被称为CMOS的工艺优势很明显，很快就被大规模应用于手机芯片上。
然而，在5nm以下的制程芯片中，影响芯片性能的除了漏电问题之外，更大的是量子效应的影响，这时芯片的特性更难控制，科学家们要寻求新工艺才能使芯片更进一步。
业内正在发展的一种新技术叫做环绕式栅极技术（Gate-All-Around），简称为GAA横向晶体管技术（GAAFET）。这项技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利用线状（可以理解为棍状）或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现MOSFET的基本结构和功能。#老铁说股#
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芯片尺寸构装（Chip Scale Package, CSP）是一种半导体构装技术。。作为新一代的芯片封装技术，在TSOP、BGA的基础上，CSP的性能又有了革命性的提升。
CSP，全称为Chip Scale Package，即芯片尺寸封装。作为新一代的芯片封装技术，在TSOP、BGA的基础上，CSP的性能又有了革命性的提升。
最早CSP只是芯片尺寸封装的缩写。根据IPC的标准J-STD-012, "Implementation of Flip Chip and Chip Scale Technology"，以符合芯片规模，封装必须有一个面积不超过1.2倍，更大的模具和它必须一个单芯片，直接表面贴装封装。
由于便携式电子产品的外形尺寸日趋缩小，富士通和日立电线跟Mukarami首次提出了这一概念。然而，第一个概念演示来自三菱电机。
芯片尺寸构装是在TSOP、球栅阵列（ball grid array,BGA）的基础上，可蚀刻或直接印在硅片，导致在一个包，非常接近硅片的大小：这种包装被称为晶圆级芯片规模封装（WL-CSP）或晶圆级封装（WLP）。
CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32mm2，约为BGA的1/3，仅仅相当于TSOP面积的1/6。这样在相同封装尺寸时可有更多的I/O数，使组装密度进一步提高，可以说CSP是缩小了的BGA。
CSP封装芯片不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。
CSP封装的电气性能和可靠性也比BGA、TSOP有相当大的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP（薄形小外形封装）、BGA引脚数多的多（TSOP最多304根，BGA以600根为限，CSP原则上可以制造1000根），这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。
CSP封装芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离，衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。
芯片的大小用nm来表示，nm是一个长度单位，它表示的意思就是纳米，1mm（毫米）=1000um（微米)，1um=1000nm(纳米）。
我们经常看到报道上说芯片制程达到了14nm、7nm（如例图1）、5nm，最近中芯国际在没有ASML的EUV光刻机的情况下，实现了7nm的制程，有很多人对此感到很兴奋。同时也有人问，半导体的多少纳米制程，到底是指晶体管间距多少纳米，还是晶体管的大小是多少纳米？
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要回答这个问题，我们得从一个晶体管单位的组成说起。
晶体管工作的时候，电流从源极（Source）流入漏极（Drain），中间绿色的那堵墙叫作栅极（Gate），相当于一个闸门，它负责控制源极和漏极之间电流的通断。而电流通过栅极（Gate）时会损耗，栅极的宽度就决定了损耗的大小。表现在芯片上，就是芯片的发热和功耗，栅极越窄，芯片的功耗就越小。
栅极的最小宽度（栅长，就是上面右图Gate的宽度）就是多少nm工艺中的数值了。
在实际芯片制程工艺中，越小的制程工艺，不但对制造工艺和设备有更高的要求，其芯片性能也会受到极大的影响。当宽度逼近20nm的时候，栅极对电流的控制能力就会急剧下降，从而发生“漏电”的问题。
漏电会导致芯片的功耗上升，更会使电路发生错误，信号模糊。为了解决信号模糊的问题，芯片又不得不提高核心电压，使得功耗更大。这对于更小工艺制程来说，是一个矛盾。
为了解决这个问题，台积电和三星等芯片制造企业，提出了FinFET工艺。这种工艺，简单来说，就是将芯片内部平面的结构，变成了立体的，把栅极形状改制，增大接触面积，减少栅极宽度的同时降低漏电率，而晶体管空间利用率大大增加。
FinFET（鳍式场效应晶体管），是一种新型的晶体管，这种被称为CMOS的工艺优势很明显，很快就被大规模应用于手机芯片上。
然而，在5nm以下的制程芯片中，影响芯片性能的除了漏电问题之外，更大的是量子效应的影响，这时芯片的特性更难控制，科学家们要寻求新工艺才能使芯片更进一步。
业内正在发展的一种新技术叫做环绕式栅极技术（Gate-All-Around），简称为GAA横向晶体管技术（GAAFET）。这项技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利用线状（可以理解为棍状）或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现MOSFET的基本结构和功能。#老铁说股#
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