#企知认证#【金牛区出台知识产权创新发展十项政策措施】9月1日，从成都市金牛区市场监管局传来消息，为激发全社会创新活力，全面提升知识产权创造、运用、保护、管理和服务水平，持续优化营商环境，助企纾困，该区制定出台的《成都市金牛区促进知识产权创新发展政策措施》将于今年9月15日起施行，重点对以下十大类别予以资助。

其中，8.支持开展知识产权贯标认证。对首次通过《企业知识产权管理规范》（GB／T29490－2013）、《科研组织知识产权管理规范》（GB／T33250－2016）、《高等学校知识产权管理规范》（GB／T33251－2016）贯标认证的企业、科研院所和高等学校，一次性给予2万元资助。对首次通过《企业商业秘密管理规范》（T/PPAC 701-2021）贯标认证的企业，一次性给予2万元资助。（来源：掌上金牛，侵删）PS：了解企知认证：https://t.cn/E9IoV6X

#佳影像真色彩#
中国人像摄影十杰联合输出论坛讲师阵容强大，由人像摄影十杰摄影师(李炼、郑海军、奚绍雄)和第28届全国艺术摄影展终评评委宋泽毅等影像技术专家老师组成的讲师团，与到场的摄影师、后期技术师、输出技师等专业人士分享了 “干货”满满的实践性课程。

奚绍雄（图4、图7）
2022年第十届中国人像摄影十杰，第12 届芬兰摄影联赛银奖获得者，现任同远集团潮舍品牌首席摄影师。

郑海军（图5、图8）
2019年第九届中国人像摄影十杰，同远集团重庆安琪尔云端私人订制中心摄影总监，2018年PPAC国际摄影大赛下半年创意人像组冠军，第二届华夏艺术金鸡奖。

宋泽毅（图6、图9）
摄影师，中国传媒大学数字影像研究方向硕士，国家艺术基金摄影项目获得者，第28届全国摄影艺术展终评评委。曾获平遥国际摄影节新锐摄影师奖，第三届传媒影像力“首席摄影师”奖。目前从事数字摄影技术研究，也擅长大范围地理移动下的历史地理、纪实及生态类摄影创作。

集成电路制造工艺——HKMG

传统多晶硅栅的晶体管与HKMG晶体管的对比
最近在研究集成电路制造工艺的内容，关注上了HKMG，High-k Metal Gate。HKMG基本上在集成电路制造工艺进入到45nm节点时候采用的技术。2007年1月，Intel公司宣布在45nm技术节点利用新型High-k（高K介电常数）介质材料HfO2来代替传统SiON作为栅介质层来改善栅极漏电流问题，同时利用金属栅代替多晶硅栅，开发出HKMG工艺。

HKMG此技术的定义简单的可以如下文表述，利用HK介质材料代替SiON和利用金属栅取代多晶硅栅的技术称为HKMG工艺技术。

这里有两个点：
1）采用High k介质材料代替SiON；
2）利用金属栅取代多晶硅栅。

按照咱们的正常逻辑，我们在介绍HKMG的时候，首先要了解什么是HKMG，以及为什么使用HKMG技术的原因。

为什么要使用HKMG呢？

主要是在进入45nm以后技术节点，集成电路制造工艺所遇到的挑战。一直以来集成电路行业一直在追球PPAC，Performance，Power，Area，以及Cost。但是在对应的技术节点相关的工艺遇到了挑战。

在早期的时候，栅极采用的是铝金属栅极。采用的相关配套的结构是铝金属/纯二氧化硅；后来经过发展采用了多晶硅栅，采用的结构仍然是多晶硅栅/纯二氧化硅；后来又经过一段发展，便成为了多晶硅栅/SiON；然后在进入45nm以后技术节点的时候采用了HKMG。

原来是用铪基材料代替了SiON，但是铪基材料与多晶硅栅的兼容性一直是一个问题，所以需要采用金属栅。所以这就解答了为什么会是前文所说的有两个点：1）栅极的改变；2）介质的改变。

当然，在进行HKMG技术的时候，要注意对于金属栅极是有有要求的。根据《纳米集成电路制造技术》一书，金属栅极的选择受到大约如下多个因素的影响。

主要因素包括：
1）金属栅极的功函数；
2）较高的热稳定性；
3）较低的界面态密度；
4）HKMG整合工艺；
5）金属栅有效功函数的调制；
6）金属栅极的制备方法。

当然即便目前行业内在使用HKMG技术，但是仍然存在问题