#深圳四车炸街司机被拘#【街头出现“四车竞速‘炸街’” 司机均被拘留】近日，深圳有四名司机为寻求刺激，在经宝安区桃源居路段时，故意加速并追逐行驶，产生巨大轰鸣声。时隔几天后，其中三人驾车在同一路段“故技重施”。
经交警部门调查，四车均存在不同程度的动力改装，且改装的行为破坏了原车的安全系数和技术数据，上道路行驶存在一定的安全隐患。四人的行为严重影响正常行驶的车辆及周边居民休息，扰乱公共场所秩序。目前已依法对四名违法行为人处以行政拘留处罚。
交警部门提醒，市民如遇上述情况，可拨打交警热线83333333举报或提供线索，也可在微信公众号“深圳交警权威发布”上登录“三长信箱”，线上举报或提供线索。（来源：深圳商报）
经交警部门调查，四车均存在不同程度的动力改装，且改装的行为破坏了原车的安全系数和技术数据，上道路行驶存在一定的安全隐患。四人的行为严重影响正常行驶的车辆及周边居民休息，扰乱公共场所秩序。目前已依法对四名违法行为人处以行政拘留处罚。
交警部门提醒，市民如遇上述情况，可拨打交警热线83333333举报或提供线索，也可在微信公众号“深圳交警权威发布”上登录“三长信箱”，线上举报或提供线索。（来源：深圳商报）
编程的意义：包括文字编辑、图形编辑等，是计算机系统的重要软件之一，而编辑程序中所采用的数据组织方法的好坏，将直接影响到整个编辑程序的性能。从20世纪80年代后期就开始研究和开发商用编辑软件，先后开发成功“中日英混合文字处理系统ＮＨ”和“图象图形文字混合处理系统Ｐａｎｄａ”。
一、编辑程序方法：①先用C提供的“预处理器”，对程序中的预处理指令进行编译预处理。
②对源程序进行语法检查，判断是否有语法错误，直到没有语法错误未知。
③编译程序自动把源程序转换为二进制形式的目标程序。
程序连接：将所有编译后得到的目标模块连接装配起来，在与函数库相连接成为一个整体的过程称之为程序连接。
二、编辑程序解答：
1.编辑程序是指具有编辑功能的程序，能把存在计算机中的源程序显示在屏幕上然后用户可以利用此程序对存储在计算机中的文卷进行增加、删除、修改、剪贴等加工处理，依据用户环境的不同，编辑程序可以分为如下两类：交互式编辑程序，用户通过终端编辑命令把编辑指令提供给编辑程序。
2.批处理式编辑程序，用户使用编辑宏指令构造编辑文卷通过编辑文卷把编辑指令提供给编辑程序。
三、编辑顺序：
1.流程编辑器。2.引言。3.查看。缩放以及拉动流程图。4.右键扩展菜单。5.添加工具。6.联结、分离工。
2.显示程序目录位置：EDIT（编辑）模式按：PROG（程序）功能键按：[LIB]或[DIR]（列表）软件。
四、程序编辑操作：
1.建立一个新程序的流程及建立新程序后的显示画面如下，
（1）模式按钮选择“EDIT”。
（2）按下功能键“PROG”。
（3）输入地址O，输入程序号，如O0001，按下EOB键。
（4）输入新程序O0001并按下INSERT键即可完成插入。
注意：新建立的程序，必须是内存储器中没有的新的程序号。
2.调用内存中储存的程序：
（1）模式按钮选择“EDIT”。
（2）按下MDI功能键“PROG”。
（3）输入地址O，输入要调用的程序号，如O0002。
（4）按光标向下移动键，即可完成程序O0002的调用。
注意：程序调用时，一定要用内存储器中已存在的程序。
3.删除程序：
（1）模式按钮选择“EDIT”
（2）按下功能键“PROG”。
（3）输入地址“O”，输入要删除的程序号，如O0002。
（4）按下DELETE键，即可完成对单个程序O0002的删除。
注意：如要删除内存储器中的所有程序，输入“O-9999”后按下DELETE键，即可删除所有程序。一旦删除了，不能恢复。
一、编辑程序方法：①先用C提供的“预处理器”，对程序中的预处理指令进行编译预处理。
②对源程序进行语法检查，判断是否有语法错误，直到没有语法错误未知。
③编译程序自动把源程序转换为二进制形式的目标程序。
程序连接：将所有编译后得到的目标模块连接装配起来，在与函数库相连接成为一个整体的过程称之为程序连接。
二、编辑程序解答：
1.编辑程序是指具有编辑功能的程序，能把存在计算机中的源程序显示在屏幕上然后用户可以利用此程序对存储在计算机中的文卷进行增加、删除、修改、剪贴等加工处理，依据用户环境的不同，编辑程序可以分为如下两类：交互式编辑程序，用户通过终端编辑命令把编辑指令提供给编辑程序。
2.批处理式编辑程序，用户使用编辑宏指令构造编辑文卷通过编辑文卷把编辑指令提供给编辑程序。
三、编辑顺序：
1.流程编辑器。2.引言。3.查看。缩放以及拉动流程图。4.右键扩展菜单。5.添加工具。6.联结、分离工。
2.显示程序目录位置：EDIT（编辑）模式按：PROG（程序）功能键按：[LIB]或[DIR]（列表）软件。
四、程序编辑操作：
1.建立一个新程序的流程及建立新程序后的显示画面如下，
（1）模式按钮选择“EDIT”。
（2）按下功能键“PROG”。
（3）输入地址O，输入程序号，如O0001，按下EOB键。
（4）输入新程序O0001并按下INSERT键即可完成插入。
注意：新建立的程序，必须是内存储器中没有的新的程序号。
2.调用内存中储存的程序：
（1）模式按钮选择“EDIT”。
（2）按下MDI功能键“PROG”。
（3）输入地址O，输入要调用的程序号，如O0002。
（4）按光标向下移动键，即可完成程序O0002的调用。
注意：程序调用时，一定要用内存储器中已存在的程序。
3.删除程序：
（1）模式按钮选择“EDIT”
（2）按下功能键“PROG”。
（3）输入地址“O”，输入要删除的程序号，如O0002。
（4）按下DELETE键，即可完成对单个程序O0002的删除。
注意：如要删除内存储器中的所有程序，输入“O-9999”后按下DELETE键，即可删除所有程序。一旦删除了，不能恢复。
（以下内容从浙商证券《电子行业深度报告：光刻胶：半导体产业核心卡脖子环节，国内厂商蓄势待发》研报附件原文摘录）
投资要点
光刻胶是半导体光刻工艺的核心原材料，其产品水平直接影响芯片制造水平，按曝光波长由大到小可分为 G/I 线胶、KrF 胶、ArF 胶和 EUV 胶，随着芯片集成度的提高，适用于 8 寸、 12 寸半导体硅片的配 KrF、 ArF 是当下及未来短期内各光刻胶公司的重点发力市场。目前国内半导体光刻胶需求 90%依赖从日本、美国进口，国内厂商徐州博康、北京科华、苏州瑞红、南大光电、上海新阳等在半导体高端光刻胶研发和量产上实现突破，光刻胶国产化是大势所趋，随着关键原材料国产化进程提速，国内厂商有望实现份额提升。
光刻胶是半导体产业关键原材料之一。
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一，成本约为整个晶圆制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～60%。 光刻材料是指光刻工艺中用到的光刻胶、抗反射涂层、旋涂碳、旋涂玻璃等，其中最为重要的就是光刻胶。光刻胶是一类光敏感聚合物，在一定波长的光照下光子激发材料中的光化学反应，进而改变光刻胶在显影液中的溶解度，从而实现图形化的目的。根据曝光后光刻胶薄膜化学性质变化不同所导致的去留情况，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶，正性光刻胶曝光区域光刻胶中的高分子链发生化学反应并在基板上获得与掩膜版相同的图案；反之，负性光刻胶的高分子链在曝光区域光刻胶中因发生交联而不溶从而获得与掩膜版图形相反的图案。半导体光刻胶根据波长可进一步分为G 线光刻胶（436nm） 、I 线光刻胶（365nm） 、KrF 光刻胶（248nm） 、ArF 光刻胶（193nm）、EUV 光刻胶（13.5nm）等分辨率逐步提升。
2022 年全球市场预计突破 26 亿美元，晶圆厂扩产+技术迭代提供扩张驱动力。下游数据中心服务器及新能源汽车等行业的快速扩张驱动全球晶圆代工厂积极扩产，从而为上游半导体光刻胶提供了持久的增长动力。SEMI 数据显示，2021 年全球半导体光刻胶市场约为 24.71 亿美元，中国大陆市场约 4.93 亿美元，下游晶圆厂扩产有望推动国内 KrF 和 ArF 胶市场扩容；工艺节点进步和存储技术升级，光刻层数提升， 推动单位面积光刻胶价值量增长， 随着中国大陆 12 寸晶圆产线陆续开出，价值含量更高的 KrF 和 ArF（ArFi）光刻胶使用频率提升、价值量占比提升。 根据 SEMI 数据，单位面积光刻胶价值含量由 2015 年的约 0.120 美元/平方英寸上涨至 2021 年的 0.174 美元/平方英寸。 得益于晶圆厂扩产以及市场需求结构性升级，我们测算 2022 年全球半导体光刻机市场将超过 26 亿美元。
90%以上市场为海外巨头垄断，国内厂商机遇与挑战并存。
日本掌握最领先的光刻胶配方和工艺，东京应化、JSR、富士、信越化学、住友化学等日本厂商占据 80%以上市场份额。国内厂商主要有北京科华、徐州博康、南大光电、苏州瑞红、上海新阳等，具体来看，G 线国产化率较高，I 线、KrF、ArF国产化率仍较低，目前部分国内企业已实现 KrF 胶量产，打破国外垄断，少数厂商已实现 ArF 光刻胶自主技术的突破。我国光刻胶行业发展面临的主要问题有光刻胶关键原料单体、树脂、光敏剂等进口依赖较强，对应的测试验证设备光刻机资源紧张，海外厂商先发优势显著，国内企业尽管在 KrF 胶上实现部分料号量产但覆盖面仍较窄。当前半导体产业链逆全球化趋势正在形成，半导体供应链安全至关重要，光刻胶作为半导体产业核心原材料，技术壁垒高，原料自主可控尤为关键。同时我们认为，国内厂商也具备一定发展优势，首先是国产晶圆厂商逆周期扩产新增大量光刻胶需求，国产替代空间广阔，客户替代意愿强。第二，国内光刻胶厂商具备本土化优势，与客户联系更紧密、反馈沟通更便捷。面对当前困境，我们认为国内晶圆厂应当加强与国产光刻胶厂商联系、及时提供测试反馈，加快产品验证与导入速度，给光刻胶国产化以更好的成长环境。
投资建议
建议关注：华懋科技、彤程新材、晶瑞电材、南大光电、上海新阳。华懋科技参股子公司徐州博康是国内半导体光刻胶领先企业，已实现 I 线胶和 KrF 胶批量生产，多款 ArF 胶（含 ArFi 胶）处于研发改进中，有望于 2022 年底实现批量销售，公司同时具备单体、光刻胶树脂及光敏剂等原材料自主供应能力，在供应链安全方面有明显优势；彤程新材通过并购北京科华实现半导体光刻胶业务布局，北京科华在国内 G 线胶和 I 线胶市场份额处于相对领先位置，KrF 胶已量产，且在Poly、 AA、 Metal 等关键层工艺实现重大突破， 规模处于国内领先； 晶瑞电材子公司苏州瑞红是国内最早开始研制半导体光刻胶的厂商， 已实现 G/I 线量产， KrF 胶实现小额销售，并已购入 ArF 光刻机加快进行 ArF 胶研发。
风险提示
光刻胶研发和导入进度不及预期；原材料供应链中断影响企业生产经营风险；半导体下游需求不及预期；疫情反复对厂商生产及物流运输带来负面影响。
投资要点
光刻胶是半导体光刻工艺的核心原材料，其产品水平直接影响芯片制造水平，按曝光波长由大到小可分为 G/I 线胶、KrF 胶、ArF 胶和 EUV 胶，随着芯片集成度的提高，适用于 8 寸、 12 寸半导体硅片的配 KrF、 ArF 是当下及未来短期内各光刻胶公司的重点发力市场。目前国内半导体光刻胶需求 90%依赖从日本、美国进口，国内厂商徐州博康、北京科华、苏州瑞红、南大光电、上海新阳等在半导体高端光刻胶研发和量产上实现突破，光刻胶国产化是大势所趋，随着关键原材料国产化进程提速，国内厂商有望实现份额提升。
光刻胶是半导体产业关键原材料之一。
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一，成本约为整个晶圆制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～60%。 光刻材料是指光刻工艺中用到的光刻胶、抗反射涂层、旋涂碳、旋涂玻璃等，其中最为重要的就是光刻胶。光刻胶是一类光敏感聚合物，在一定波长的光照下光子激发材料中的光化学反应，进而改变光刻胶在显影液中的溶解度，从而实现图形化的目的。根据曝光后光刻胶薄膜化学性质变化不同所导致的去留情况，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶，正性光刻胶曝光区域光刻胶中的高分子链发生化学反应并在基板上获得与掩膜版相同的图案；反之，负性光刻胶的高分子链在曝光区域光刻胶中因发生交联而不溶从而获得与掩膜版图形相反的图案。半导体光刻胶根据波长可进一步分为G 线光刻胶（436nm） 、I 线光刻胶（365nm） 、KrF 光刻胶（248nm） 、ArF 光刻胶（193nm）、EUV 光刻胶（13.5nm）等分辨率逐步提升。
2022 年全球市场预计突破 26 亿美元，晶圆厂扩产+技术迭代提供扩张驱动力。下游数据中心服务器及新能源汽车等行业的快速扩张驱动全球晶圆代工厂积极扩产，从而为上游半导体光刻胶提供了持久的增长动力。SEMI 数据显示，2021 年全球半导体光刻胶市场约为 24.71 亿美元，中国大陆市场约 4.93 亿美元，下游晶圆厂扩产有望推动国内 KrF 和 ArF 胶市场扩容；工艺节点进步和存储技术升级，光刻层数提升， 推动单位面积光刻胶价值量增长， 随着中国大陆 12 寸晶圆产线陆续开出，价值含量更高的 KrF 和 ArF（ArFi）光刻胶使用频率提升、价值量占比提升。 根据 SEMI 数据，单位面积光刻胶价值含量由 2015 年的约 0.120 美元/平方英寸上涨至 2021 年的 0.174 美元/平方英寸。 得益于晶圆厂扩产以及市场需求结构性升级，我们测算 2022 年全球半导体光刻机市场将超过 26 亿美元。
90%以上市场为海外巨头垄断，国内厂商机遇与挑战并存。
日本掌握最领先的光刻胶配方和工艺，东京应化、JSR、富士、信越化学、住友化学等日本厂商占据 80%以上市场份额。国内厂商主要有北京科华、徐州博康、南大光电、苏州瑞红、上海新阳等，具体来看，G 线国产化率较高，I 线、KrF、ArF国产化率仍较低，目前部分国内企业已实现 KrF 胶量产，打破国外垄断，少数厂商已实现 ArF 光刻胶自主技术的突破。我国光刻胶行业发展面临的主要问题有光刻胶关键原料单体、树脂、光敏剂等进口依赖较强，对应的测试验证设备光刻机资源紧张，海外厂商先发优势显著，国内企业尽管在 KrF 胶上实现部分料号量产但覆盖面仍较窄。当前半导体产业链逆全球化趋势正在形成，半导体供应链安全至关重要，光刻胶作为半导体产业核心原材料，技术壁垒高，原料自主可控尤为关键。同时我们认为，国内厂商也具备一定发展优势，首先是国产晶圆厂商逆周期扩产新增大量光刻胶需求，国产替代空间广阔，客户替代意愿强。第二，国内光刻胶厂商具备本土化优势，与客户联系更紧密、反馈沟通更便捷。面对当前困境，我们认为国内晶圆厂应当加强与国产光刻胶厂商联系、及时提供测试反馈，加快产品验证与导入速度，给光刻胶国产化以更好的成长环境。
投资建议
建议关注：华懋科技、彤程新材、晶瑞电材、南大光电、上海新阳。华懋科技参股子公司徐州博康是国内半导体光刻胶领先企业，已实现 I 线胶和 KrF 胶批量生产，多款 ArF 胶（含 ArFi 胶）处于研发改进中，有望于 2022 年底实现批量销售，公司同时具备单体、光刻胶树脂及光敏剂等原材料自主供应能力，在供应链安全方面有明显优势；彤程新材通过并购北京科华实现半导体光刻胶业务布局，北京科华在国内 G 线胶和 I 线胶市场份额处于相对领先位置，KrF 胶已量产，且在Poly、 AA、 Metal 等关键层工艺实现重大突破， 规模处于国内领先； 晶瑞电材子公司苏州瑞红是国内最早开始研制半导体光刻胶的厂商， 已实现 G/I 线量产， KrF 胶实现小额销售，并已购入 ArF 光刻机加快进行 ArF 胶研发。
风险提示
光刻胶研发和导入进度不及预期；原材料供应链中断影响企业生产经营风险；半导体下游需求不及预期；疫情反复对厂商生产及物流运输带来负面影响。
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