凯法罗尼亚(Kefalonia)是爱奥尼亚海上一颗夺目的宝石，这个翠绿的岛屿有着令人叹为观止的海滩和透亮的水蓝色大海，以及独具特色的文化传统和丰富的历史。它是爱奥尼亚群岛中最大的岛屿，山绿与海蓝在这里完美的结合。松树，柏树和橄榄树覆盖了阿诺斯山(Mount. Ainos)的山峰，在山脚遍布着葡萄种植园，这里酿造出了声名远扬的罗伯纳葡萄酒（Robola wine）。
如果您喜欢浮潜或潜水，那么这里的海底世界肯定会让您满意。您甚至可能有机会在这里遇到罕见的红海龟(Caretta caretta)以及地中海僧海豹。另外岛上的传统美食，历史，保留完好的村庄，丰富的夜生活和原始海滩定会让您爱上这里。
阿尔戈斯托利 Argostoli
该岛最大的城镇和首府是阿尔戈斯托利。这是一个围绕山丘建造的小镇，有着城市般的生活，充满了各种类型的娱乐活动：无论是商店，咖啡馆，酒吧还是海滩，您总能找到适合您的消遣。尽管该镇在1953年因地震而损毁，但仍然保留有古老的威尼斯时期建筑遗址。除此之外，漫步在镇上您也许有机会遇到当地的爱乐乐团演奏传统的爱奥尼亚岛歌曲！
利克苏里翁 lixouri
凯法罗尼亚的两个半岛中最西侧的是Paliki，利克苏里翁便在这个半岛上，这是凯岛的第二大城镇，但是它是一个相对宁静的小镇，非常适合好静的人。您可以在此享用咖啡，甜点糖果和这个港口小镇的当地美食。您还可以参观基普里亚修道院(Kipouria)，并在那里享受岛上令人叹为观止的日落。
菲斯卡多 Fiscardo
菲斯卡多在1953年的地震中幸存了下来。大多数建筑都保留了传统的本地色彩，使您仿佛觉得时光倒流：优雅的阳台，历史悠久的宅院，红瓦铺就的屋顶，翠绿的山峰，湛蓝的大海...风景令人着迷。这个风景如画的村庄是希腊诗人尼科斯·卡夫瓦迪亚斯（Nikos Kavvadias）的家乡，他撰写了众多关于大海的诗篇。
梅利萨尼岩洞 Melissani
梅利莎尼岩洞（Melissani）是自然界的奇观，也是位于萨米镇附近的Karavomylos，是凯法罗尼亚岛上最令人印象深刻的景点之一。该岩洞于1951年被发现，岩洞的神奇之处在于它位于地表的顶部坍塌后使得地下湖的部分显露了出来。如果您在晴朗的白天参观，阳光挥洒在地下的湖面上，从地面上看这里如同一块闪亮的蓝宝石。
阿索斯 Assos
在凯岛的北部，风景如画的阿索斯村依山崖而建，在松树和柏树中。阿索斯村最令人印象深刻的景观莫过于其以传统色彩粉刷的建筑了。镇上的海湾风景优美，且在附近也有很多海滩海湾等您探索，尤其不要错过Myrtos海滩。
美食
凯法罗尼亚的美食也非常著名。凯岛盛产黄奶酪，菲达奶酪，橄榄油，蜂蜜和各式本地肉类。这里也是很多美食的发源地，很多食谱都是代代相传。您必尝的菜包括著名的肉馅饼，炖兔肉lagoto和炖羊肉sofigado,以及填满腌鳕鱼和skordalia（一种蒜酱）的鳕鱼派，您还得尝尝凯岛特色的番茄炒蛋strapatsada和番茄炖菜tsigaridia。不要错过当地的葡萄酒；罗伯纳Robola葡萄酒是这里最著名的葡萄酒，这种干白葡萄酒非常适合您搭配岛上的传统菜肴享用！
交通
凯法罗尼亚位于爱奥尼亚海，位于雅典以西约260公里。凯法罗尼亚机场连接雅典以及一些欧洲主要城市，乘机从雅典飞往凯岛需约55分钟。您亦可以前往伯罗奔尼撒半岛的Kyllini码头乘渡轮前往凯岛，渡轮可前往凯岛的Sami和Poros码头，耗时约90分钟
如果您喜欢浮潜或潜水，那么这里的海底世界肯定会让您满意。您甚至可能有机会在这里遇到罕见的红海龟(Caretta caretta)以及地中海僧海豹。另外岛上的传统美食，历史，保留完好的村庄，丰富的夜生活和原始海滩定会让您爱上这里。
阿尔戈斯托利 Argostoli
该岛最大的城镇和首府是阿尔戈斯托利。这是一个围绕山丘建造的小镇，有着城市般的生活，充满了各种类型的娱乐活动：无论是商店，咖啡馆，酒吧还是海滩，您总能找到适合您的消遣。尽管该镇在1953年因地震而损毁，但仍然保留有古老的威尼斯时期建筑遗址。除此之外，漫步在镇上您也许有机会遇到当地的爱乐乐团演奏传统的爱奥尼亚岛歌曲！
利克苏里翁 lixouri
凯法罗尼亚的两个半岛中最西侧的是Paliki，利克苏里翁便在这个半岛上，这是凯岛的第二大城镇，但是它是一个相对宁静的小镇，非常适合好静的人。您可以在此享用咖啡，甜点糖果和这个港口小镇的当地美食。您还可以参观基普里亚修道院(Kipouria)，并在那里享受岛上令人叹为观止的日落。
菲斯卡多 Fiscardo
菲斯卡多在1953年的地震中幸存了下来。大多数建筑都保留了传统的本地色彩，使您仿佛觉得时光倒流：优雅的阳台，历史悠久的宅院，红瓦铺就的屋顶，翠绿的山峰，湛蓝的大海...风景令人着迷。这个风景如画的村庄是希腊诗人尼科斯·卡夫瓦迪亚斯（Nikos Kavvadias）的家乡，他撰写了众多关于大海的诗篇。
梅利萨尼岩洞 Melissani
梅利莎尼岩洞（Melissani）是自然界的奇观，也是位于萨米镇附近的Karavomylos，是凯法罗尼亚岛上最令人印象深刻的景点之一。该岩洞于1951年被发现，岩洞的神奇之处在于它位于地表的顶部坍塌后使得地下湖的部分显露了出来。如果您在晴朗的白天参观，阳光挥洒在地下的湖面上，从地面上看这里如同一块闪亮的蓝宝石。
阿索斯 Assos
在凯岛的北部，风景如画的阿索斯村依山崖而建，在松树和柏树中。阿索斯村最令人印象深刻的景观莫过于其以传统色彩粉刷的建筑了。镇上的海湾风景优美，且在附近也有很多海滩海湾等您探索，尤其不要错过Myrtos海滩。
美食
凯法罗尼亚的美食也非常著名。凯岛盛产黄奶酪，菲达奶酪，橄榄油，蜂蜜和各式本地肉类。这里也是很多美食的发源地，很多食谱都是代代相传。您必尝的菜包括著名的肉馅饼，炖兔肉lagoto和炖羊肉sofigado,以及填满腌鳕鱼和skordalia（一种蒜酱）的鳕鱼派，您还得尝尝凯岛特色的番茄炒蛋strapatsada和番茄炖菜tsigaridia。不要错过当地的葡萄酒；罗伯纳Robola葡萄酒是这里最著名的葡萄酒，这种干白葡萄酒非常适合您搭配岛上的传统菜肴享用！
交通
凯法罗尼亚位于爱奥尼亚海，位于雅典以西约260公里。凯法罗尼亚机场连接雅典以及一些欧洲主要城市，乘机从雅典飞往凯岛需约55分钟。您亦可以前往伯罗奔尼撒半岛的Kyllini码头乘渡轮前往凯岛，渡轮可前往凯岛的Sami和Poros码头，耗时约90分钟
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【第三代半导体投资收购不断 产业链加速成熟】
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。
近年来第三代半导体风起，2022年投资、整合、扩产不断。
8月15日，氮化镓龙头纳微半导体宣布收购碳化硅企业GeneSiC，业务线拓展至碳化硅市场。据悉，GeneSiC在碳化硅功率器件领域排名前十，主要提供650V-6500V全系列车规级碳化硅MOS，收购总额约19亿美元。
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。在当前的半导体世界中，硅器件仍占据九成市场，第三代半导体规模仍小、技术也需要再突破，但是整体成长速度飞快。
在2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示：“在全球疫情反复等客观因素的影响下，消费电子等终端市场需求有所下滑，但应用于功率元件的第三代半导体在各领域的渗透率仍然呈现持续攀升之势，其中，800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的快速发展，推升了2022年SiC(碳化硅)/GaN(氮化镓)功率半导体市场需求。”
国内企业也纷纷落子第三代半导体，布局新能源、新基建等增长型市场，同时也面临着挑战。龚瑞骄告诉21世纪经济报道记者，整体来看，国内第三代半导体的困境体现在两方面，其一是器件技术方面，比如碳化硅MOS芯片和海外有较大差距，并且主要依靠海外代工;其二，原材料领域，国际上碳化硅衬底已经进入8英寸，中国才刚刚步入6英寸量产。
2.jpg
氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场。视觉中国
碳化硅加速上车
经过十多年的发展，碳化硅早已走向商用，而随着全球低碳化趋势，以及新能源汽车的崛起，碳化硅乘上了新东风，尤其是在汽车领域，按下了上车的加速度。
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2022第三代半导体功率应用市场报告》显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
Wolfspeed中国区销售与市场副总裁张三岭谈道，终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
他举例道，以电动汽车的22kW OBC(车载充电器)应用为例，SiC器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本的下降。同时SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开发展空间。
谈及碳化硅在汽车领域的挑战，龚瑞骄接受记者采访时表示：“核心挑战在于主驱逆变器的可靠性要求很高，成本高。产业链也在通过多个方式降低成本，其中在衬底领域有不小空间，比如切割环节，普通晶体切割工艺会损失大量产能，使用新型的激光切割等方法来减少损失。此外，国内芯片良率上，和国外还有差距。”
面对电动汽车等市场机遇，全球厂商们不断扩大碳化硅产能、投入研发。今年4月，全球SiC材料龙头Wolfspeed全球最大的首座8英寸(200mm)SiC工厂正式开业，该工厂预计2024年达产，届时产能将达2017年的30倍。除了Wolfspeed，今年英飞凌计划斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品。同时，更多的企业在8英寸领域进行突破，比如法国企业Soitec发布了首款8英寸碳化硅晶圆、中国电科材料烁科公司研制出8英寸碳化硅晶体。
当前，国内的碳化硅项目也层出不穷，并且汽车领域竞争激烈，除了国外大厂，国内的上汽、北汽、广汽、吉利等大型汽车集团正在加大本土碳化硅产业链的投资力度。在泰科天润应用测试中心主任高远看来，国产碳化硅芯片项目面临多方面的问题。比如对于6英寸、8英寸的选择上，短期内仍以6英寸为主，可以谨慎布局英8寸技术，未来瓶颈在国产8英寸衬底供应，同时芯片制造工艺上也亟待突破。
高远还指出，二极管已成红海市场，碳化硅二极管成为国产化的突破口，但随着价格的不断下降，导致新进玩家门槛越来越高。在碳化硅器件的主战场主逆变器方面，国产器件需要在工业领域、OBC、车载DC-DC充分验证后才能放心上主驱逆变器，预计还需要3-5年时间。
氮化镓急拓新市场
再看热门的氮化镓领域，龚瑞骄介绍道，氮化镓材料被广泛应用在功率半导体、微波射频元件、光电子元件。在Power(电源)领域，目前主流的衬底类型是硅基氮化镓，Transphorm、Navitas(纳微半导体)、Innoscience(英诺赛科)等厂商均是采用这类的结构。另外在RF元件市场，主要以碳化硅基氮化镓为主流的结构，相关厂商有住友电工、科沃、NXP、Wolfspeed等。
当前，氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场，厂商们也在不遗余力地往数据中心、电动汽车等新市场拓展。
目前在全球氮化镓市场上，英诺赛科排名前三，并采用IDM模式，在苏州和珠海建有8英寸硅基氮化镓量产线。英诺赛科首席营销官冯雷向21世纪经济报道记者表示，氮化镓的优势不仅在充电器领域，还包括数据中心和车载市场。以数据中心电源应用为例，英诺赛科已经和国内外头部厂商进行合作，比如已经和英伟达进入到验证阶段。
他进一步说道，美国厂商在经历架构变化，谷歌提倡服务器电源从12V到48V的转换，会减少电源损失，氮化镓的优势非常明显。
同时，在新能源汽车领域，英诺赛科也已经进行布局。冯雷介绍道：“进入量产的是在激光雷达的驱动激光板的开关，只有氮化镓才可以实现需求。下一步，更高压的氮化镓是否能做核心驱动，还在验证阶段。”
谈及产能，冯雷告诉记者，目前英诺赛科的产能可以满足今年和明年需求，在他看来：“2023年是氮化镓增长元年，2024年将开始指数级增长。氮化镓从试产到量产应用，已经走过一个循环，市场还会不断增长，数据中心、服务器大厂家都在明确地投入，开发氮化镓高效率的解决方案。”
从全球产业看，氮化镓企业也在加快研发脚步，据介绍，在材料领域，丰田开发出超过6英寸的氮化镓单晶衬底，韩国IVWorks收购法国Saint-Gobain的氮化镓单晶衬底业务;器件领域，Nanowin产品进入三星快速充电器，今年成立首个电动汽车氮化镓IC设计中心。
龚瑞骄表示：“车身的OBC、DC/DC、激光雷达中氮化镓有非常好的应用，我们预估氮化镓的功率元件市场规模将在今年达到2.6亿美元，2026年成长至17.7亿美元，复合增长率达到61%。”
不过，他也指出，目前氮化镓材料的成本还非常高，可以看到4英寸的氮化镓单晶衬底大概是1500美金，折算回同尺寸的碳化硅大概是四倍的价格。
冯雷则向记者表示：“成本上，氮化镓近三年内快速降低，同样功率等级的情况下和硅产品相比，已经从5、6倍降至1.5倍的水平，接下来还会进一步下降。”
随着氮化镓产业链的成熟和成本的不断降低，氮化镓功率器件的应用场景将会进一步拓展。
【第三代半导体投资收购不断 产业链加速成熟】
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。
近年来第三代半导体风起，2022年投资、整合、扩产不断。
8月15日，氮化镓龙头纳微半导体宣布收购碳化硅企业GeneSiC，业务线拓展至碳化硅市场。据悉，GeneSiC在碳化硅功率器件领域排名前十，主要提供650V-6500V全系列车规级碳化硅MOS，收购总额约19亿美元。
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。在当前的半导体世界中，硅器件仍占据九成市场，第三代半导体规模仍小、技术也需要再突破，但是整体成长速度飞快。
在2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示：“在全球疫情反复等客观因素的影响下，消费电子等终端市场需求有所下滑，但应用于功率元件的第三代半导体在各领域的渗透率仍然呈现持续攀升之势，其中，800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的快速发展，推升了2022年SiC(碳化硅)/GaN(氮化镓)功率半导体市场需求。”
国内企业也纷纷落子第三代半导体，布局新能源、新基建等增长型市场，同时也面临着挑战。龚瑞骄告诉21世纪经济报道记者，整体来看，国内第三代半导体的困境体现在两方面，其一是器件技术方面，比如碳化硅MOS芯片和海外有较大差距，并且主要依靠海外代工;其二，原材料领域，国际上碳化硅衬底已经进入8英寸，中国才刚刚步入6英寸量产。
2.jpg
氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场。视觉中国
碳化硅加速上车
经过十多年的发展，碳化硅早已走向商用，而随着全球低碳化趋势，以及新能源汽车的崛起，碳化硅乘上了新东风，尤其是在汽车领域，按下了上车的加速度。
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2022第三代半导体功率应用市场报告》显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
Wolfspeed中国区销售与市场副总裁张三岭谈道，终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
他举例道，以电动汽车的22kW OBC(车载充电器)应用为例，SiC器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本的下降。同时SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开发展空间。
谈及碳化硅在汽车领域的挑战，龚瑞骄接受记者采访时表示：“核心挑战在于主驱逆变器的可靠性要求很高，成本高。产业链也在通过多个方式降低成本，其中在衬底领域有不小空间，比如切割环节，普通晶体切割工艺会损失大量产能，使用新型的激光切割等方法来减少损失。此外，国内芯片良率上，和国外还有差距。”
面对电动汽车等市场机遇，全球厂商们不断扩大碳化硅产能、投入研发。今年4月，全球SiC材料龙头Wolfspeed全球最大的首座8英寸(200mm)SiC工厂正式开业，该工厂预计2024年达产，届时产能将达2017年的30倍。除了Wolfspeed，今年英飞凌计划斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品。同时，更多的企业在8英寸领域进行突破，比如法国企业Soitec发布了首款8英寸碳化硅晶圆、中国电科材料烁科公司研制出8英寸碳化硅晶体。
当前，国内的碳化硅项目也层出不穷，并且汽车领域竞争激烈，除了国外大厂，国内的上汽、北汽、广汽、吉利等大型汽车集团正在加大本土碳化硅产业链的投资力度。在泰科天润应用测试中心主任高远看来，国产碳化硅芯片项目面临多方面的问题。比如对于6英寸、8英寸的选择上，短期内仍以6英寸为主，可以谨慎布局英8寸技术，未来瓶颈在国产8英寸衬底供应，同时芯片制造工艺上也亟待突破。
高远还指出，二极管已成红海市场，碳化硅二极管成为国产化的突破口，但随着价格的不断下降，导致新进玩家门槛越来越高。在碳化硅器件的主战场主逆变器方面，国产器件需要在工业领域、OBC、车载DC-DC充分验证后才能放心上主驱逆变器，预计还需要3-5年时间。
氮化镓急拓新市场
再看热门的氮化镓领域，龚瑞骄介绍道，氮化镓材料被广泛应用在功率半导体、微波射频元件、光电子元件。在Power(电源)领域，目前主流的衬底类型是硅基氮化镓，Transphorm、Navitas(纳微半导体)、Innoscience(英诺赛科)等厂商均是采用这类的结构。另外在RF元件市场，主要以碳化硅基氮化镓为主流的结构，相关厂商有住友电工、科沃、NXP、Wolfspeed等。
当前，氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场，厂商们也在不遗余力地往数据中心、电动汽车等新市场拓展。
目前在全球氮化镓市场上，英诺赛科排名前三，并采用IDM模式，在苏州和珠海建有8英寸硅基氮化镓量产线。英诺赛科首席营销官冯雷向21世纪经济报道记者表示，氮化镓的优势不仅在充电器领域，还包括数据中心和车载市场。以数据中心电源应用为例，英诺赛科已经和国内外头部厂商进行合作，比如已经和英伟达进入到验证阶段。
他进一步说道，美国厂商在经历架构变化，谷歌提倡服务器电源从12V到48V的转换，会减少电源损失，氮化镓的优势非常明显。
同时，在新能源汽车领域，英诺赛科也已经进行布局。冯雷介绍道：“进入量产的是在激光雷达的驱动激光板的开关，只有氮化镓才可以实现需求。下一步，更高压的氮化镓是否能做核心驱动，还在验证阶段。”
谈及产能，冯雷告诉记者，目前英诺赛科的产能可以满足今年和明年需求，在他看来：“2023年是氮化镓增长元年，2024年将开始指数级增长。氮化镓从试产到量产应用，已经走过一个循环，市场还会不断增长，数据中心、服务器大厂家都在明确地投入，开发氮化镓高效率的解决方案。”
从全球产业看，氮化镓企业也在加快研发脚步，据介绍，在材料领域，丰田开发出超过6英寸的氮化镓单晶衬底，韩国IVWorks收购法国Saint-Gobain的氮化镓单晶衬底业务;器件领域，Nanowin产品进入三星快速充电器，今年成立首个电动汽车氮化镓IC设计中心。
龚瑞骄表示：“车身的OBC、DC/DC、激光雷达中氮化镓有非常好的应用，我们预估氮化镓的功率元件市场规模将在今年达到2.6亿美元，2026年成长至17.7亿美元，复合增长率达到61%。”
不过，他也指出，目前氮化镓材料的成本还非常高，可以看到4英寸的氮化镓单晶衬底大概是1500美金，折算回同尺寸的碳化硅大概是四倍的价格。
冯雷则向记者表示：“成本上，氮化镓近三年内快速降低，同样功率等级的情况下和硅产品相比，已经从5、6倍降至1.5倍的水平，接下来还会进一步下降。”
随着氮化镓产业链的成熟和成本的不断降低，氮化镓功率器件的应用场景将会进一步拓展。
【又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅 如何跑得更快更远 - 原创 ZeR0 芯东西 2022-7-04 发表于北京】
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
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