中芯国际14纳米工艺成熟产量逐步提升，越过10纳米跨代研发7纳米有望Q4面世[吃瓜]

中芯国际已开始发展更新一代的N+1、N+2工艺，据中芯国际联席CEO梁孟松透露，N+1工艺和14nm相比性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小63%，SoC面积减少55%，这些指标意味着晶体管密度至少提升了1倍，这显著超过10nm工艺水平，N+1基本上可以确定是7nm级别工艺，但并没有使用台积电目前的最新极紫外光刻EVU工艺。

最新消息称中芯国际的N+1 FinFET工艺已有客户导入，今年Q4季度即将小规模量产，华为或将有共同测试计划[笑而不语]

当年三星和台积电的迅猛发展也离不开梁孟松的影子。梁孟松还是厉害，不服不行！[good]

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中芯国际 2 月 14 日举行线上投资人会议，Co-CEO 梁孟松指出
1、第一代 FinFET 制程 14nm 已开始小量产出，2019 年第四季贡献营收 1%，但 14nm 真正营收和产能放量会是在 2020 年底，主要的应用包含高端消费电子产品、高速运算，低阶 AP 和 Baseband、AI、汽车应用等。14nm 制程的产能将从 3000 片扩大到 15000 片，这中间会有三个时程：2020 年 3 月扩产到 4000 片、7 月到 9000 片、12 月朝 15000 片迈进。
在第二代 FinFET 制程 N+1 方面，2019 年第四季进入 NTO（New Tape-out）阶段，目前正处于客户产品认证期，预计 2020 年第四季可以看到小量产出。
2、N+1 制程瞄准的应用是低成本 low-cost 产品。N+1 与中芯自己的 14nm 制程比较，效能增加 20%、功耗减少 57%、逻辑面积减少 63%、SoC 面积减少 55%。如果看功耗等指标，其实 N+1 与 7nm 制程十分接近，唯一不同在于，N+1 的效能还追不上 7nm，这也是中芯 N+1 与 7nm 的最大差异。
3、中芯 8 寸晶圆的产能利用率已经达到 99%，主要是受惠以下几个产品的火爆订单：影像传感器 CIS、电源管理芯片 PMIC、指纹识别芯片、蓝牙芯片、特殊型存储芯片等，这些应用在 2019 年第四季成长 5%，年增率 11%。
4、中芯国际 2019 年全年总营收为 31.2 亿美元，较 2018 年下降 7.3%，主要是因为 2019 年的重点在于冲刺研发，另外还有出售意大利 LFoundry 工厂影响。中芯国际预估，2020 年第一季预期收入将季增 0%～2%，年增率则是达到 25~28%，毛利率介于 21%-23%。 https://t.cn/AigLuslw