更高水平开放 更多制度创新
深耕试验田，勇闯开放路。
广西自贸试验区钦州港片区自2019年8月30日挂牌以来，强化制度创新，承担广西自贸试验区总体方案120项改革试点任务中的94项，截至今年上半年，已累计完成89项，累计完成率94.7%，在广西自贸试验区3个片区中位列第一，多项成果独具钦州特色并属全国首创，改革创新成果近百余，交出了亮丽的创新答卷。
大胆试——更多“首单”落地
“大胆试、大胆闯、自主改”，钦州港片区全力完成改革试点任务，大力开展自主改革创新，以创新驱动“一港两区”加快建设，助推片区经济平 稳快速发展。两年来，该片区累计总结提炼形成 78项制度创新成果，其中，19项纳入广西自贸试验区首批制度创新成果清单在全区复制推广，多项成果独具“钦州特色”并属全国首创。在建设国际陆海贸易新通道门户港、向海经济集聚区和中国—东盟合作示范区方面，取得“改革试点任务完成率排名第一“”自主创新成果排名第一”两项全广西第一的好成绩，实现以制度创新促进经 济发展提效破局。
今年4月，广西北部湾联合国际船舶代理有限公司通过广西国际贸易“单一窗口”升级版北部湾港无纸化(智慧湾)项目舱单协同系统，向海关申报一票出口到印度的货物信息，不到两分钟就显示海关回执“申报成功”，随后企业快速完成了报关出口、查验货物放行等事项。据悉，单一窗口在升级改革后，船代公司在舱单协同系统中一次性就能提交所有申报信息，无须重复录入数据，通过智慧湾平台的信息整合，实现了联检单位的信息共享，对于企业业务做到了减环节、省时间、减材料、少跑腿。
通过集成改革，钦州港海铁联运班列持续大幅增长，西部陆海新通道海铁联运班列已覆盖 西部10省(自治区、直辖市)，经36 市，达71站。今年1月—7月，西部陆海新通道班列完成3440 列，到发171650标箱，同比增长63%，其中区内完成460列，23006标箱，增长369%。海铁联运班列的快速发展，同时带动了港口吞吐量迅速增 长。今年1月—7月，钦州港累计完成港口货物吞吐量9328.8万吨，同比增长21.5%，集装箱完成238.5万标箱，同比增长22.1%，增长幅度均位 列全国前茅。
钦州港片区制度创新局协理局长吴华军用了三个“突出”介绍成效“:片区特别突出西部陆 海新通道发展战略，着力打造一个高水平的国际门户港;突出中马‘两国双园’最大特色和优势， 打造中国—东盟合作示范区以及突出围绕着新业态，新动能去创新建设片区高水平的向海经济集群。随着钦州港片区不断深化改革，进口和出 口的综合成本分别下降了40%和30%左右。综合物流成本也下降了，比2019年下降了20%左右，接近全国的一流水平。在多方部门支持下，通关、进口等整体时间方面，比2019年整天时间 再压缩了19%，钦州港片区已从原来全国沿海口岸的倒数，提升到先进一流水平。
大胆闯——走出特色自贸路
制度创新是自由贸易试验区建设的核心任务，两年来，钦州港片区开展更多差异化、特 色化的探索和实践，以建设制度创新、政策创 新“齐头并进”“双轮驱动”为目标，充分发挥自贸试验区全面深化改革和扩大开放的“试验田”作用，努力走出一条独具特色的“钦州自贸之路”。
目前，该区梳理了全国自贸试验区已形成的278项可复制推广经验或案例，截至目前已复制推广落地207项;广西首批44项在全区复制推广的创新成果已全面落地实施。
时下，广西自贸试验区宝畅联达新材料有限公司生产车间内一 片繁忙，工人们正认真安装调试生产设备。据悉，该项目投资 2.6 个亿，年产20万吨应力钢绞线，预计年产值可以达到10个亿左右，年 税收在4000万元，可以带动当地就业200人。该公司总经理徐毅军告诉记者，目前项目三大主体已全部完工，现在场内进行设备初步调试，调试产能初步达到年产5万吨应力钢绞线。
“钦州速度”有多快？徐毅军给记者算了一下时间节点：2020 年 6 月宝畅联达新材料有限公司到钦州港片区考察，7 月签订投资协议，11月份就快速地推进项目，到今年4月份项目主体基本竣工。徐毅军表示，效率快、服务好，在项目签约、落点、开竣工中，钦州港片区为项目提供很多的便利，让企业享受到了先建后验的政策，有专门对接服务企业的部门，相关文件审批非常便捷，企业提出需求，相关部门上门服务，大大缩短流程，减少企 业来回跑的过程。选择落户钦州港片区之前，徐毅军考察过很多地方，都是从拿地到开工建设至少需 要半年以上或者一年以上。
图片钦州港片区政务服务中心
“今年以来，开工建设项目17个，在建项目76个，计划总投资 929亿元，目前，竣工项目21个，完成投资45亿元”，钦州港片区产 业服务中心协理主任朱自云表示，“片区在服务企业和项目过程 中，创新提出了企业全生命周期 服务‘12345’模式。1个专员，企业签约后，为每个企业、项目指派1位全生命周期服务专员，负责全方位、全过程跟踪服务企业和项目；2个计划，项目落地后，结合企业、项目的具体情况，组成专业团队，为企业制定项目推进计划和企业发展成长计划；3个清单，问题清单、履约清单、档案清单；4个跟踪，项目审批方面，土地(厂房) 交付方面，施工要素(水电路)保障方面，工程进度方面；5个机制，分别是综合协调机制、帮办代办机制、跟踪督办机制、评价考核机制和投诉问责机制。”
自主改——“跑”出新速度
深化“放管服”。钦州港片区对自治区、钦州市有关部门下放的301项行政权力事项做好承接落实，配合梳理出不予授权或委托实施的自治区级管理权限目录清单119 项，出台行政权力事项承接运行总体方案和项目审批、工程建设、交通运输等领域的行政审批协作方案，创建规范化、集成化审批模式，构建协作审批、协同监管、联动执法的工作机制，确保各项权力事项承接运行顺畅，加快了“一枚印章管审批”和“片 区事片区办”进程“。片区以‘放管服’ 改革为抓手，以优化营商环境为目标，主动向上级部门争取事权下放。”钦州港片区行政审批局协理局长陆崇山表示。
如今，正在如火如荼开工建设的华谊氯碱项目享受着钦州港片区诸多便利政策，广西华谊氯碱化工有限公司总经理李臣阳表示，该项目是华谊钦州一体化基地二期的一个子项目，投资45亿元，主要建设30万吨/年的烧碱(项目)、40 万吨/年的聚氯乙烯(项目)，计划在2022年的9月底交付，2022年的4季度试生产。项目在立项过程中得到了钦州港片区全力支持，在项目审批、项目施工许可等过程中，片区行政审批局主动服务，对项目采取承诺审批制度，大大节约建设时间。项目从签约、落地、开工，到投产整个建设周期压缩了9个月，既减少了项目投资建设成本，也能够实现项目快速建成 ，快速实现项目产值。
深耕试验田，勇闯开放路。
广西自贸试验区钦州港片区自2019年8月30日挂牌以来，强化制度创新，承担广西自贸试验区总体方案120项改革试点任务中的94项，截至今年上半年，已累计完成89项，累计完成率94.7%，在广西自贸试验区3个片区中位列第一，多项成果独具钦州特色并属全国首创，改革创新成果近百余，交出了亮丽的创新答卷。
大胆试——更多“首单”落地
“大胆试、大胆闯、自主改”，钦州港片区全力完成改革试点任务，大力开展自主改革创新，以创新驱动“一港两区”加快建设，助推片区经济平 稳快速发展。两年来，该片区累计总结提炼形成 78项制度创新成果，其中，19项纳入广西自贸试验区首批制度创新成果清单在全区复制推广，多项成果独具“钦州特色”并属全国首创。在建设国际陆海贸易新通道门户港、向海经济集聚区和中国—东盟合作示范区方面，取得“改革试点任务完成率排名第一“”自主创新成果排名第一”两项全广西第一的好成绩，实现以制度创新促进经 济发展提效破局。
今年4月，广西北部湾联合国际船舶代理有限公司通过广西国际贸易“单一窗口”升级版北部湾港无纸化(智慧湾)项目舱单协同系统，向海关申报一票出口到印度的货物信息，不到两分钟就显示海关回执“申报成功”，随后企业快速完成了报关出口、查验货物放行等事项。据悉，单一窗口在升级改革后，船代公司在舱单协同系统中一次性就能提交所有申报信息，无须重复录入数据，通过智慧湾平台的信息整合，实现了联检单位的信息共享，对于企业业务做到了减环节、省时间、减材料、少跑腿。
通过集成改革，钦州港海铁联运班列持续大幅增长，西部陆海新通道海铁联运班列已覆盖 西部10省(自治区、直辖市)，经36 市，达71站。今年1月—7月，西部陆海新通道班列完成3440 列，到发171650标箱，同比增长63%，其中区内完成460列，23006标箱，增长369%。海铁联运班列的快速发展，同时带动了港口吞吐量迅速增 长。今年1月—7月，钦州港累计完成港口货物吞吐量9328.8万吨，同比增长21.5%，集装箱完成238.5万标箱，同比增长22.1%，增长幅度均位 列全国前茅。
钦州港片区制度创新局协理局长吴华军用了三个“突出”介绍成效“:片区特别突出西部陆 海新通道发展战略，着力打造一个高水平的国际门户港;突出中马‘两国双园’最大特色和优势， 打造中国—东盟合作示范区以及突出围绕着新业态，新动能去创新建设片区高水平的向海经济集群。随着钦州港片区不断深化改革，进口和出 口的综合成本分别下降了40%和30%左右。综合物流成本也下降了，比2019年下降了20%左右，接近全国的一流水平。在多方部门支持下，通关、进口等整体时间方面，比2019年整天时间 再压缩了19%，钦州港片区已从原来全国沿海口岸的倒数，提升到先进一流水平。
大胆闯——走出特色自贸路
制度创新是自由贸易试验区建设的核心任务，两年来，钦州港片区开展更多差异化、特 色化的探索和实践，以建设制度创新、政策创 新“齐头并进”“双轮驱动”为目标，充分发挥自贸试验区全面深化改革和扩大开放的“试验田”作用，努力走出一条独具特色的“钦州自贸之路”。
目前，该区梳理了全国自贸试验区已形成的278项可复制推广经验或案例，截至目前已复制推广落地207项;广西首批44项在全区复制推广的创新成果已全面落地实施。
时下，广西自贸试验区宝畅联达新材料有限公司生产车间内一 片繁忙，工人们正认真安装调试生产设备。据悉，该项目投资 2.6 个亿，年产20万吨应力钢绞线，预计年产值可以达到10个亿左右，年 税收在4000万元，可以带动当地就业200人。该公司总经理徐毅军告诉记者，目前项目三大主体已全部完工，现在场内进行设备初步调试，调试产能初步达到年产5万吨应力钢绞线。
“钦州速度”有多快？徐毅军给记者算了一下时间节点：2020 年 6 月宝畅联达新材料有限公司到钦州港片区考察，7 月签订投资协议，11月份就快速地推进项目，到今年4月份项目主体基本竣工。徐毅军表示，效率快、服务好，在项目签约、落点、开竣工中，钦州港片区为项目提供很多的便利，让企业享受到了先建后验的政策，有专门对接服务企业的部门，相关文件审批非常便捷，企业提出需求，相关部门上门服务，大大缩短流程，减少企 业来回跑的过程。选择落户钦州港片区之前，徐毅军考察过很多地方，都是从拿地到开工建设至少需 要半年以上或者一年以上。
图片钦州港片区政务服务中心
“今年以来，开工建设项目17个，在建项目76个，计划总投资 929亿元，目前，竣工项目21个，完成投资45亿元”，钦州港片区产 业服务中心协理主任朱自云表示，“片区在服务企业和项目过程 中，创新提出了企业全生命周期 服务‘12345’模式。1个专员，企业签约后，为每个企业、项目指派1位全生命周期服务专员，负责全方位、全过程跟踪服务企业和项目；2个计划，项目落地后，结合企业、项目的具体情况，组成专业团队，为企业制定项目推进计划和企业发展成长计划；3个清单，问题清单、履约清单、档案清单；4个跟踪，项目审批方面，土地(厂房) 交付方面，施工要素(水电路)保障方面，工程进度方面；5个机制，分别是综合协调机制、帮办代办机制、跟踪督办机制、评价考核机制和投诉问责机制。”
自主改——“跑”出新速度
深化“放管服”。钦州港片区对自治区、钦州市有关部门下放的301项行政权力事项做好承接落实，配合梳理出不予授权或委托实施的自治区级管理权限目录清单119 项，出台行政权力事项承接运行总体方案和项目审批、工程建设、交通运输等领域的行政审批协作方案，创建规范化、集成化审批模式，构建协作审批、协同监管、联动执法的工作机制，确保各项权力事项承接运行顺畅，加快了“一枚印章管审批”和“片 区事片区办”进程“。片区以‘放管服’ 改革为抓手，以优化营商环境为目标，主动向上级部门争取事权下放。”钦州港片区行政审批局协理局长陆崇山表示。
如今，正在如火如荼开工建设的华谊氯碱项目享受着钦州港片区诸多便利政策，广西华谊氯碱化工有限公司总经理李臣阳表示，该项目是华谊钦州一体化基地二期的一个子项目，投资45亿元，主要建设30万吨/年的烧碱(项目)、40 万吨/年的聚氯乙烯(项目)，计划在2022年的9月底交付，2022年的4季度试生产。项目在立项过程中得到了钦州港片区全力支持，在项目审批、项目施工许可等过程中，片区行政审批局主动服务，对项目采取承诺审批制度，大大节约建设时间。项目从签约、落地、开工，到投产整个建设周期压缩了9个月，既减少了项目投资建设成本，也能够实现项目快速建成 ，快速实现项目产值。
汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
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在生态环境保护建设上，一定要树立大局观、长远观、整体观，坚持保护优先，坚持节约资源和保护环境的基本国策，像保护眼睛一样保护生态环境，像对待生命一样对待生态环境，推动形成绿色发展方式和生活方式。捡起脚下别人扔的纸片，扔到垃圾箱里去。
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