对于电路处理盐雾试验箱的含盐浓度配比有要求

　　盐雾试验箱内产生的单相现象主要有：复合绝缘体在静电场作用下的防腐蚀堆积物，其漏流将增加。当漏电电流达到一定值后，高压流将迅速反向流动，造成短路故障接地装置在瞬间发生短路故障。

　　单接地体可分为显性地体和隐性地体两类，瓷质复合绝缘体是显性地体的主要表现，其安全事故较易处理。而陶瓷复合绝缘子不破裂，只是使绝缘层下降，陶瓷复合绝缘子表面是有空隙的，一般不易察觉，此类接地装置安全事故较难解决。电气设备耐腐蚀、浸蚀等问题较为突出。在恶劣气候条件下，由于长期暴露于外，承受着日晒、雨淋和腐蚀，设备的外壳在恶劣的气候条件下更容易被侵蚀。该界面具有明显的渗透性，易发生气氧化渗涨、卷曲等接触不良现象。铜接处的浸蚀相对较轻，铝接头的浸蚀较为严重，从铜-铝连接处可以很明显地看到，铝连接处有乳白色斑点，并有烫痕。

　　对沿海城市而言，耐腐蚀、浸水作用重，是危及输变电线路安全运行、缩短线路使用寿命、增加维修劳动量的重要因素。为实现这一目标，我县在农网改造和城网改造设计过程中，对输变电线路进行抗腐蚀、防腐、防渗等方面提出了更高的要求，从设计方案到工程施工、线路维护等管理方法，尽量采用耐腐蚀工作能力强的新材料。盐雾试验箱十分重要，可减少损失，甚至能起到防损作用，越来越受到用户的青睐。

　　盐雾试验箱也不例外，或多或少地会有影响其正常工作的因素。日常运行中，经常会遇到耗水量正常且沉降量较小的情况，一般情况下，可先考虑盐水是否有泄漏，在此基础上，还要考虑喷嘴是否有破裂的情况，这样就可以判断出漏斗间有没有堵塞。盐雾测试箱内的温度设定问题，对于盐雾测试箱会产生较大的影响，从而影响测试结果。关于试验设备的沉降量问题，一般设备盐雾沉降量的标准通常为1~2ml/80cm2.h，实验中盐雾沉降标准未达到，因此，毫无疑问，后一段时间会有一些影响，遇到这种情况时，可以在实验中通过盐水的总消耗量进行比较。

　　盐水浓度是影响盐雾试验箱内盐水浓度的一个因素，标注盐水浓度应为5%，如果盐水浓度太高，则会直接增大试样的腐蚀性。配制盐水后，盐水的PH值应在6.5~7.2之间，此时为中性，但实际工作中，有些盐纯度并不是很纯，又可能由于水质不能达到那个标准，这时需要配置盐水，用PH试纸检测它的酸碱度，一旦盐酸碱度超过这个标准，可以加入少量氯化氢中和，如果低于标准，则需加入一些氢氧化钠中和，使其达到PH值。如果盐水的酸碱度没有达到正常标准，那将会直接影响后续的测试数据。

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Day3
《半导体制造技术》读书笔记
第3章 器件技术
1.电子器件.
通用的微芯片器件
电路类型：数字电路、模拟电路
无源元件结构
有源元件结构

2.CMOS器件.
电荷载流子的分类
根据流经材料电流的不同：导体、绝缘体、半导体
电导率与电阻率
电容和介电常数

3.集成电路产品
线性集成电路产品
数字集成电路产品

参考文献：
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:41-63

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Day2
《半导体制造技术》读书笔记
第2章 半导体材料特性
1.分立原子相关物理和化学概念.
原子结构：价电子层、能带理论和离子
元素周期表中的主族元素
离子键和共价键的形成

2.材料分类.
电荷载流子的分类
根据流经材料电流的不同：导体、绝缘体、半导体
电导率与电阻率
电容和介电常数

3.半导体工业中重要的半导体材料.
硅：纯硅（本征硅）、掺杂硅（n型硅和p型硅）
如何选择硅
pn结
可选择的半导体材料：Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物
砷化镓半导体材料的优缺点

参考文献：
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:20-40