#蒸汽发电锅炉脱硝供热链条炉脱硝#
厂家：13011997763
脱硝工艺现在大致分为：高分子脱硝工艺、sncr脱硝工艺、scr脱硝工艺、氧化法工艺、四种，我们会根据客户锅炉或窑炉烟气情况
不同，单独定制脱硝工艺，既保证环保要求的达标值，又节约成本，一切从客户角度出发，所以客户都愿意安装我公司的脱硝设备。
固态高分子的脱硝工艺是一种炉内脱硝工艺，它采用粉体气相自动输送系统，在炉体烟气出口处及炉膛高温区选择几处
合适位置打孔将高分子脱硝剂喷入，在合适反应温度区将NOx还原成N2和H2O。
高分子HNCR脱硝工艺的技术特点
1. 脱硝效率高；
众所周知，氨系SNCR的脱硝效率一般在40~60%之间，而高分子HNCR脱硝效率可达85%以上。
2. 工艺简单，使用方便，空间布置灵活；
标准化的气流混合及输送一体化装置，不受现有脱硝现场的场地及空间限制，特别适合对SCR脱硝场地有严格要求的场合。
3. 项目一次性投资少
蒸汽发电锅炉脱硝供热链条炉脱硝
气流混合及输送装置一体化、系列化和标准化，无需现场施工安装，一次性投资比SNCR和SCR工艺大大减少。
4. 脱硝能耗少，使用成本低
工艺装置的动力要求很少，一般整套工艺装置20~30kW的动力配置即可。高分子脱硝剂的用量比和氨系SNCR还原剂的用量相同或者还要低。
5. 没有有害副产物，不形成二次污染；
高分子脱硝剂的反应生成物为N2、CO2和H2O，无其它y机物产生，不生成有害副产物，不会形成铵盐，也无氨逃逸现象。
6. 具有节能和清洁的x果。
在使用了高分子脱硝剂之后，锅炉管壁积灰和结焦都会缓解或q除，使热传导加快，热损失减少，因而起到节能和清洁的x果。
和传统的SNCR脱硝工艺相比，固态高分子脱硝工艺无需向炉膛中喷入工艺水，无需消耗气化潜热，因此也提高了锅炉的燃烧效率。
7. 脱硝系统a全性好
和传统的SNCR脱硝工艺相比，高分子HNCR脱硝工艺不利用*水或者液氨来还原NOx，因此工艺设计上也无需考
虑**运输及存储所带来的a全问题。因此HNCR在脱硝工艺上的a全性大大提高。
蒸汽发电锅炉脱硝供热链条炉脱硝
厂家：13011997763
脱硝工艺现在大致分为：高分子脱硝工艺、sncr脱硝工艺、scr脱硝工艺、氧化法工艺、四种，我们会根据客户锅炉或窑炉烟气情况
不同，单独定制脱硝工艺，既保证环保要求的达标值，又节约成本，一切从客户角度出发，所以客户都愿意安装我公司的脱硝设备。
固态高分子的脱硝工艺是一种炉内脱硝工艺，它采用粉体气相自动输送系统，在炉体烟气出口处及炉膛高温区选择几处
合适位置打孔将高分子脱硝剂喷入，在合适反应温度区将NOx还原成N2和H2O。
高分子HNCR脱硝工艺的技术特点
1. 脱硝效率高；
众所周知，氨系SNCR的脱硝效率一般在40~60%之间，而高分子HNCR脱硝效率可达85%以上。
2. 工艺简单，使用方便，空间布置灵活；
标准化的气流混合及输送一体化装置，不受现有脱硝现场的场地及空间限制，特别适合对SCR脱硝场地有严格要求的场合。
3. 项目一次性投资少
蒸汽发电锅炉脱硝供热链条炉脱硝
气流混合及输送装置一体化、系列化和标准化，无需现场施工安装，一次性投资比SNCR和SCR工艺大大减少。
4. 脱硝能耗少，使用成本低
工艺装置的动力要求很少，一般整套工艺装置20~30kW的动力配置即可。高分子脱硝剂的用量比和氨系SNCR还原剂的用量相同或者还要低。
5. 没有有害副产物，不形成二次污染；
高分子脱硝剂的反应生成物为N2、CO2和H2O，无其它y机物产生，不生成有害副产物，不会形成铵盐，也无氨逃逸现象。
6. 具有节能和清洁的x果。
在使用了高分子脱硝剂之后，锅炉管壁积灰和结焦都会缓解或q除，使热传导加快，热损失减少，因而起到节能和清洁的x果。
和传统的SNCR脱硝工艺相比，固态高分子脱硝工艺无需向炉膛中喷入工艺水，无需消耗气化潜热，因此也提高了锅炉的燃烧效率。
7. 脱硝系统a全性好
和传统的SNCR脱硝工艺相比，高分子HNCR脱硝工艺不利用*水或者液氨来还原NOx，因此工艺设计上也无需考
虑**运输及存储所带来的a全问题。因此HNCR在脱硝工艺上的a全性大大提高。
蒸汽发电锅炉脱硝供热链条炉脱硝
刻蚀的重要参数报告
1.刻蚀速率
刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2.刻蚀剖面
刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。 有两种基本的刻蚀剖面： 各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向) 以相同的刻蚀速率进行刻蚀， 导致被刻蚀材料在掩膜下面产生钻蚀面形成的，这带来不希望的线宽损失。 湿法化学腐蚀本质上是各向同性的，因而湿法腐蚀不用于亚微米器件制作中的选择性图形刻蚀。一些干法等离子体系统也能进行各向同性刻蚀。 由于后续上艺步骤或者被刻蚀材料的特殊需要， 也自一些要用到
各向同性腐蚀的地方。
3.刻蚀偏差
刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化(见图16. 6) 。它通常是由于横向钻蚀引起的(见图16. 7) ， 但也能由刻蚀剖面引起。 当刻蚀中要去除掩膜下过量的材料时， 会引起被刻蚀材料的上表面向光刻胶边缘凹进去， 这样就会产生横向钻蚀。
4.选择比
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。 它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止) 并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度，特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。
5.均匀性
刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上， 或整个一批， 或批与批之间刻蚀能力的参数。 均匀性与选择比有密切的关系， 因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。 保持硅片的均匀性是保证制造性能一致的关键。 难点在于刻蚀工艺必须在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保证均匀性， 例如图形密的硅片区域，大的图形间隔和高深宽比图形。均匀性的一些问题是因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生的。 刻蚀速率在小窗口图形中较慢， 甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀居然停止。
6.残留物
刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。它常常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。 它的产生有多种原因， 例如被刻蚀膜层中的污染物、 选择了不合适的化学刻蚀剂(如刻蚀太快) 、 腔体中的污染物、 膜层中不均匀的杂质分布。 刻蚀以后的残留物有不同的名称，包括长细线条、遮蔽物、冠状物和栅条。
7.聚合物
聚合物的形成有时是有意的， 是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀 ，这样做能形成高的各向异性图形，因为聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀， 增强刻蚀的方向性， 从而实现对图形关键尺寸的良好控制。 这些聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体(如C2F4) 和刻蚀生成物结合在一起而形成的。 能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。
8.等离子体诱导损伤
包含带能离子、电子和激发分子的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。 一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷， 引起薄栅氧化硅的击穿。 差的设备或在优化的工艺窗口之外进行刻蚀工艺会使等离子体变得不均匀。 另一种器件损伤是能量离子对曝露的栅氧化层的轰击。 在刻蚀过程中， 这种损伤在刻蚀的时候能在栅电极的边缘发生。 等离子体损伤有时可以通过退火或湿法化学腐蚀消除。
9.颗粒沾污
子体带来的硅片损伤有时也由硅片表面附近的等离子体产生的颗粒沾污而引起。 研究表明， 由于电势的差异， 颗粒产生在等离子体和壳层的界面处。 当没有了等离子体时， 这些颗粒就会掉到硅片表面。 氟基化学气体等离子体比氯基或溴基等离子体产生较少的颗粒， 因为氟产生的刻蚀生成物具有较高的蒸气压。颗粒沾污的控制可通过优化刻蚀设备， 合适的操作和关机， 对被刻蚀的膜层选用合适的化学气体。
更多相关内容关注后可查看哦#潘长江涉嫌虚假宣传卖酒#
1.刻蚀速率
刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2.刻蚀剖面
刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。 有两种基本的刻蚀剖面： 各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向) 以相同的刻蚀速率进行刻蚀， 导致被刻蚀材料在掩膜下面产生钻蚀面形成的，这带来不希望的线宽损失。 湿法化学腐蚀本质上是各向同性的，因而湿法腐蚀不用于亚微米器件制作中的选择性图形刻蚀。一些干法等离子体系统也能进行各向同性刻蚀。 由于后续上艺步骤或者被刻蚀材料的特殊需要， 也自一些要用到
各向同性腐蚀的地方。
3.刻蚀偏差
刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化(见图16. 6) 。它通常是由于横向钻蚀引起的(见图16. 7) ， 但也能由刻蚀剖面引起。 当刻蚀中要去除掩膜下过量的材料时， 会引起被刻蚀材料的上表面向光刻胶边缘凹进去， 这样就会产生横向钻蚀。
4.选择比
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。 它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止) 并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度，特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。
5.均匀性
刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上， 或整个一批， 或批与批之间刻蚀能力的参数。 均匀性与选择比有密切的关系， 因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。 保持硅片的均匀性是保证制造性能一致的关键。 难点在于刻蚀工艺必须在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保证均匀性， 例如图形密的硅片区域，大的图形间隔和高深宽比图形。均匀性的一些问题是因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生的。 刻蚀速率在小窗口图形中较慢， 甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀居然停止。
6.残留物
刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。它常常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。 它的产生有多种原因， 例如被刻蚀膜层中的污染物、 选择了不合适的化学刻蚀剂(如刻蚀太快) 、 腔体中的污染物、 膜层中不均匀的杂质分布。 刻蚀以后的残留物有不同的名称，包括长细线条、遮蔽物、冠状物和栅条。
7.聚合物
聚合物的形成有时是有意的， 是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀 ，这样做能形成高的各向异性图形，因为聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀， 增强刻蚀的方向性， 从而实现对图形关键尺寸的良好控制。 这些聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体(如C2F4) 和刻蚀生成物结合在一起而形成的。 能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。
8.等离子体诱导损伤
包含带能离子、电子和激发分子的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。 一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷， 引起薄栅氧化硅的击穿。 差的设备或在优化的工艺窗口之外进行刻蚀工艺会使等离子体变得不均匀。 另一种器件损伤是能量离子对曝露的栅氧化层的轰击。 在刻蚀过程中， 这种损伤在刻蚀的时候能在栅电极的边缘发生。 等离子体损伤有时可以通过退火或湿法化学腐蚀消除。
9.颗粒沾污
子体带来的硅片损伤有时也由硅片表面附近的等离子体产生的颗粒沾污而引起。 研究表明， 由于电势的差异， 颗粒产生在等离子体和壳层的界面处。 当没有了等离子体时， 这些颗粒就会掉到硅片表面。 氟基化学气体等离子体比氯基或溴基等离子体产生较少的颗粒， 因为氟产生的刻蚀生成物具有较高的蒸气压。颗粒沾污的控制可通过优化刻蚀设备， 合适的操作和关机， 对被刻蚀的膜层选用合适的化学气体。
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好丽友这个配方还行吧，以它在各平台和超市的价格使用全可可脂也几乎是不可能的吧。要注意反式脂肪酸和代可可脂区别啊，不饱和脂肪酸加氢后就是饱和脂肪，中间可能会产生反式脂肪酸，但是最后的生成物（代可可脂植脂末）不就等于反式脂肪。另外天然的奶油也是含有反式脂肪酸的，只不过小于国家要求就可以标0。如果好丽友真的是卖高价在中国市场使用劣质原料，那该抵制它，但是结合它的售价天猫超市是30多24个，遇见打折还能更便宜，达利园都不止这个价格了。支持俄罗斯产品也可以，但是看清他们的产品配料表，紫皮糖反式脂肪酸已经达0.4g#好丽友##好丽友称反式脂肪酸含量符合国家标准#
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