国内光刻第一股来了!;

集微网报道,科创板自设立以来,就得到了中芯国际、沪硅产业、安集科技等众多优秀的半导体企业的青睐,这些企业无不是拥有业内领先的半导体技术,投资者也愿意给予这些高成长企业更高的估值。

同样,在目前正冲刺科创板上市的数百家企业中,也不乏拥有核心技术,并打破国外垄断成功实现进口替代的明星企业,芯碁微装便是其中之一。

芯碁微装是专业的光刻设备供应商,专注服务于电子信息产业中PCB领域及泛半导体领域的客户,为客户提供直接成像设备、直写光刻设备以及相应的维保服务。经过多年的深耕与积累,芯碁微装累计服务近70家客户,包括深南电路、健鼎科技、胜宏科技、景旺电子、维信诺、中电科、佛智芯、沃格光电、矽迈微电子、中国科学院半导体研究所、中国工程物理研究院激光聚变研究中心、中国电子科技集团公司第十一研究所等知名企业和研究机构。

芯碁微装拟将IPO募集资金用于高端PCB激光直接成像(LDI)设备升级迭代项目、晶圆级封装(WLP)直写光刻设备产业化项目、平板显示(FPD)光刻设备研发项目和微纳制造技术研发中心建设项目。通过上述项目的实施,公司将进一步满足下游不断发展的光刻设备应用需求,为公司未来业绩的增长和业务发展打下坚实的基础。

4月1日,芯碁微装成功登陆科创板,成为“国产光刻设备第一股”。

3月31日晚,芯碁微装举行了首次发行上市答谢酒会,政府领导、证券机构、行业客户等各界朋友等近三百位嘉宾出席芯碁微装上市答谢酒会,一起分享芯碁微装上市的喜悦,并纷纷预祝芯碁微装成功上市。

国家IC大基金总裁丁文武致辞

中国科学院集成电路创新研究所院长叶甜春致辞

国家IC大基金总裁丁文武、中国科学院集成电路创新研究所院长/国家02专项总设计师叶甜春分别上台讲话表达了对芯碁微装上市的热烈祝贺。

图示:左一芯碁微装董事长程卓,左二合肥市委副书记罗云峰,右二华登国际合伙人黄庆,右一华登国际合伙人彭桂娥博士

政策+市场双轮驱动,业绩爆发毛利率上升

众所周知,以光刻设备为代表的高端装备制造业是半导体产业的“硬伤”之一。目前,我国高端PCB制造及泛半导体产业所需的高端设备主要依赖进口。此外,高端光刻设备被列入《关于常规武器和两用物品及技术出口控制的瓦森纳协定》,属于出口管制的范围。

为打破国外企业的技术封锁和垄断,推动国产光刻设备产业的发展,我国政府出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》等一系列产业政策,助力我国光刻设备产业技术水平的提高,也为企业创造了良好的经营环境。

同时,泛半导体行业处于高景气周期,叠加“国产替代”逻辑,以泛半导体为代表的科技股成为近年来A股市场的领涨主力,而泛半导体设备行业更是A股市场的“当红辣子鸡”,这对于主要生产高端泛半导体设备的企业在二级市场上构成利好。

芯碁微装主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备以及上述产品的售后维保服务,实现了PCB领域和泛半导体领域的国产替代,是国内泛半导体领域唯一能与国外对标的光刻设备企业之一。

近年来,芯碁微装的业绩呈现出快速增长的趋势,基本面强劲。2017年至2019年,公司营业收入分别为2218.04万元、8729.53万元和20226.12万元,年复合增速达到201.98%;净利润分别为-684.67万元、1729.27万元和4762.51万元。2020年公司实现营业收入31008.76万元,净利润7103.89万元,当年增长率超过50%。

与此同时,芯碁微装所处PCB直接成像设备及泛半导体直写光刻设备制造行业具有较高的技术壁垒,公司综合毛利率整体也处于上升通道,由2017年的37.05%上涨至2020年上半年的48.32%。

持续加码技术创新,掌握关键核心技术

近年来,随着人工智能、大数据、云计算、物联网等技术的蓬勃发展,下游终端产品迎来创新潮,带动PCB产品全面升级,同时消费电子、汽车电子、5G等产品销量的爆发式增长,也给泛半导体产业带来了巨额需求。

目前,我国正在承接高端PCB、半导体、显示面板等产业转移,国内厂商纷纷开启新一轮扩产,在自主可控的国家战略任务影响下,以芯碁微装为代表的具备核心技术优势的上游设备企业将有望受益市场需求的持续爆发,并获得较为领先的市场份额。

芯碁微装深知,技术创新是公司保持竞争优势的关键。自成立以来,公司始终坚持在直写光刻设备领域的创新,持续加大研发投入。2017年至2019年,其研发投入分别为791.80万元、1698.10万元和2854.95万元,年均复合增长率达89.88%。这为公司形成体系化的技术升级能力和打造不断深化的技术创新优势提供了重要保障。

持续的技术研发投入也为公司积累了大量技术成果,截至2020年6月末,芯碁微装已获得71项国家专利授权,其中发明24项,实用新型44项,并拥有13项软件著作权。

同时,芯碁微装已掌握直写光刻设备关键系统模块的自主研发能力,形成了系统集成技术、光刻紫外光学及光源技术、高精度高速实时自动对焦技术、高精度高速对准多层套刻技术、高精度多轴高速大行程精密驱动控制技术、高可靠高稳定性及ECC技术、高速实时高精度图形处理技术等一系列直写光刻关键技术。

此外,芯碁微装还承担了一系列国家级、省级重大科研项目,正在推进晶圆级封装光刻设备、IC 载板曝光设备等多个研发的项目,并与安徽大学、中国科技大学、中科院等多所高校、企业、科研机构所建立了多层次、多方位的技术合作关系,为公司持续科技创新以及未来发展提供强劲动力。

打破依赖进口格局,成为国产设备中坚力量

在泛半导体领域,芯碁微装抓住了国内集成电路及平板显示产业快速发展的机遇,通过自主研发推出了适用于500nm及以上线宽的掩膜版制版光刻设备及IC制造直写光刻设备,可应用于下游IC掩膜版制版以及IC芯片制造、MEMS、OLED显示面板制造过程中的光刻工艺环节,成功实现了在制版领域\科研院所、产线试验及少量多品种等应用场景下的市场销售,实现进口替代,打破我国在该领域内长期高度依赖进口的局面。

此外,在半导体直写光刻设备的技术基础上,于2018年推出首条国产OLED显示面板直写光刻自动线系统(LDW-D1),线宽精度达0.7um,属于世界领先水平,并且成功通过了下游显示面板客户的产线验证。为进入高世代线显示面板制造领域及高精度芯片制造领域打下了坚实的基础。

随着全球泛半导体产业进入新一轮扩产周期,在供应链自主可控的趋势下,国产泛半导体设备厂商将会迎来爆发新契机。而作为即将登陆A股的泛半导体设备厂商——芯碁微装有望借助资本市场的力量加大研发投入,实现高质量发展,成为国产泛半导体设备厂商的中坚力量。

(校对/GY)

集微网

#科技# “疯狂的MLCC”
自2020年7月以来,部分被动元器件的价格便持续上涨,部分产品到今年2月涨幅甚至已高达100%,但元器件涨价的浪潮似乎仍在继续翻腾。3月16日,据中国台湾经济日报报道,有代理商透露,华新科已于近期发出调涨MLCC报价的通知,涨幅高达30%~40%。

供应链指出,此次华新科对代理商调价范围涵盖MLCC所有尺寸,优先调涨毛利较低规格产品,其中缺货严峻的0603、0805等大尺寸MLCC将首当其冲。供应链预计,华新科也很快会向规模较小的合约商谈判新一轮的合约价。

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供货趋紧,MLCC涨声四起

值得注意的是,在MLCC行情向好的时期,此前华新科调涨MLCC的价格一般比位于同一地区的友商国巨晚一个季度,这次是少见地与国巨几乎同步传出调整价格,涨幅还远高于同行。且截至当前,全球MLCC出货量排名前五的原厂都显现出货调涨或拉长交货期的状况,引发市场热议。

如图 1
图:2019年全球mlcc主要企业产能占比
来源:前瞻产业研究院

国巨MLCC涨价10~20%

全球第三大被动元件大厂国巨于3月8日对客户端发出涨价通知,据供应链表示,本次国巨电阻、MLCC预计调涨10~20%,新价格将于4月1日生效。

此次调涨是国巨今年第三次价格调整行动,此前两次调涨产品为钽电容、电阻,同时前两次主要针对代理商,而这次首度将合约客户纳入调涨对象当中。

国巨方面也从其发言通道中确认了调涨行动,表示过去一段时间面临成本上涨压力,的确在客户端有程度不一的价格调整动作。国巨强调,人工成本、运输成本高涨,加上多项原材料价格如陶瓷基板价格轮番上涨,公司的成本结构承压。

三星MLCC平均调涨10%

全球第二大MLCC原厂三星近日也传出再度调涨MLCC价格。据中国台湾工商时报3月16日报道,供应链消息称,三星针对中型合约客户调涨MLCC价格,平均调涨幅度达10%(有消息指出涨价幅度为10%-26%),利润愈低的规格,调整幅度愈大,新价格将于4月1日生效。

这也并不是三星近期第一次调整MLCC 价格。据业界分析,三星本次调涨的规格集中在中高容MLCC,在此之前,三星电机已经针对代理商调涨MLCC价格,中大型合约客户则采逐家议价的方式,拍板价格。

三星电机在农历年前就透过外资券商,释放涨价的风向球,对合约客户涨价的规划,还早于国巨,相较于2018年那一波涨价潮,这一波价格调涨侧重于针对规格,摒除齐头式的上涨,缓涨取代急涨成为共识,避免来自于客户的反弹压力。

村田、太阳诱电和TDK交货期延长

除了以上三家价格调涨的原厂,村田、太阳诱电、TDK等日商也传出供货趋紧,交货周期大幅拉长的消息。自2020年下半年以来,全球MLCC龙头村田制作所的大部分产能已被汽车和手机客户占用。2020年底,村田MLCC产品平均交期超过112天,其中用于汽车的MLCC的交货周期则达到5~6个月;同期,太阳诱电也宣布的交货周期也长达112天;TDK则统一向代工厂客户发出通知,强调高容MLCC供应持续紧张。

深圳华强北现货调涨25%-30%

原厂之外,在代理商环节MLCC 报价也趋涨,众所周知,华强北是全国乃至全世界最大的电子元器件现货交易市场。农历春节前,有业内人士寄望于华强北开始后有望缓解MLCC供应困境。但据市场人士反馈,在深圳华强北,不论是MLCC或芯片电阻,其价格均已经较春节前上涨了25%-30%。除了国巨以外,村田、三星电机的MLCC代理商已经开始调涨,厚声、旺诠、华新科等电阻大厂也对代理商价格进行调涨。

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原料上涨、需求爆发,催涨MLCC

在当前半导体产品不断传出涨价的氛围内,MLCC的“涨声响起”并不令人意外。据业内人士分析,MLCC春节后“涨声”氛围浓厚,主要原因是市场对5G智能手机的需求优于预期,加上宅经济推升PC与笔记本电脑出货持续维持高位,以及车用相关市场快速回升。

如图2
图源:摄图网

5G需求方面,由于5G手机使用的MLCC数量,比4G手机大增30%,随着中国大陆五大手机品牌备货5G市场,同步推升MLCC需求激增;从5G基站建设来看,相较于4G基站,5G基站覆盖能力较弱,布建5G网络覆盖的基站数量大约是4G的1.2倍到1.5倍,且5G基地台电路复杂,粗估5G基地台MLCC平均用量约1.5万颗,较4G基地台平均3,750颗,增加了三倍。

再加上今年全球电动车销量约458万辆,较去年成长超过50%,据村田披露的数据显示,每辆LVO车需要3000颗MLCC,而LV4电动车对MLCC需求量便达到20000颗。兴业证券预计,在汽车电动化、智能化、网联化趋势带动下,车用MLCC需求量可达25%的复合增速。

市场需求的大增令供应链压力大增,原厂同时还要承受来自上游材料上的涨价压力。以元器件常见材料陶瓷基板为例,3月1日起,陶瓷基板已经全面适用调涨后的价格,涨价幅度在 7%-15%左右,加上人工费及运输、存储等费用,均成为元器件厂商迫切想要转嫁的成本压力。

3
技术壁垒高,国产MLCC何时崛起?

从以上MLCC市场行情信息来看,当前MLCC价格话语权由日韩、中国台湾厂商掌握,全球前五大MLCC原厂出货量占总量80%,行业集中度高,当前中国大陆厂商在该领域仍“人轻言微”。数据显示,中国大陆MLCC赛道玩家主要为风华高科、三环集团、宇阳、微容等,全球市占率合计为4%,国产化率不足10%。
如图3
图源:台湾经济日报

近年来,大陆MLCC厂商也不断宣布MLCC扩产计划,其中风华高科在年初发布公告称非公开募资不超过50亿元用于高端电容基地建设及电阻器扩产项目,因为公司现有产能规模远不能满足国产替代背景下产业链广阔需求。

但一方面由于建厂周期长,风华高科这部分的扩产计划预计在2024年才可实现高端MLCC新增月产能规模约450亿只、2023年可实现片式电阻新增月产能规模约280亿只。

另一方面,部分MLCC产品技术门槛比较高,大陆原厂的技术追赶也需要时间。据了解,MLCC生产的技术壁垒主要在材料、设备、工艺三个环节。上游材料的关键主要为陶瓷粉体。粉体在MLCC的成本结构中占比在20~45%之间,粉体的自制直接影响MLCC的盈利;粉体的纯度和精细度直接影响MLCC的性能。目前能够实现高纯度、精细度和均匀度的陶瓷粉体制备的厂商以日本和美国为主,日、美的四大头部企业已占据85%左右份额。而国内能批量生产且对外供销陶瓷粉体的厂家仅有山东国瓷材料,市占率在10%左右。在2020年的慕尼黑电子展上,有江西厂家对芯师爷表示,当前该公司采用产学研合作的方式对陶瓷粉体进行研发生产,已经有一定成绩,但市场应用仍有待推进。

此外,在MLCC生产中,设备环节投资最大、技术难度最高的是流延机,国内MLCC厂商的流延设备大部分依赖进口。同时,标准化设备不足以满足企业生产需求,所以厂商需要根据自身对材料特性和工艺理解对标准化设备进行改造。这与材料和工艺环节息息相关,需要长期经验积累和技术改进才可达到良好效果。可见卡脖子的技术不仅在上游陶瓷粉末上,在设备环节对进口产品的依赖同样是绕不开的难题。

在产业政策上,MLCC原厂也需要更多支持,有投资者表示,“民营企业机制更灵活,但大规模的资金研发投入是难题,国有企业的融资环境更友善,但机制相对比较僵化,因此相比表面的技术壁垒,深层次的机制窘境更需尽快解决。”

综合以上种种,短期内,大陆厂家恐怕难解MLCC的供应困境。当前MLCC的供应链涨价情绪究竟何时才能得到安抚,还需要观察。
亚显(上海)光电科技*分享

揭秘华为激光雷达
华为最近展出了针对自动驾驶的一系列传感器,包括双目摄像头、毫米波雷达和激光雷达。这次我们首先解密华为的激光雷达,下次是双目摄像头。

华为的保密工作一向是业内最好的,因此别指望有太多公开资料,因此突破口还是选在专利上。2020年7月2日,世界知识产权组织国际局公布了华为的一项有关激光雷达的专利,发明名称为一种激光雷达测量模组和激光雷达。这是华为激光雷达领域覆盖面最广的专利,长达52页,大多数中文发明专利不超过20页。华为专利申请详细说明了激光雷达的原理和构造。很有可能就是华为这款激光雷达2.0的详细介绍。

在解密华为激光雷达前先了解一下激光雷达信噪比的概念,任何传感器,最重要的参数就是信噪比,非相干激光雷达的信噪比SNR方程可以表示为:

从上面公式可以看出,要提高信噪比,最简单有效的方法是提高接收信号光功率和量子效率。激光雷达按光学扫描器目前可以分为三大类,一类是旋转型机械激光雷达,包括360度旋转和反射镜往复的Scala,是目前最常见最成熟的激光雷达。第二类是MEMS激光雷达。第三类是Flash激光雷达,Flash激光雷达实际是2D/3D焦平面(FPA)摄像机,也就是手机和平板领域大量使用的ToF相机,两者完全一样,只是有效距离差很多。Flash激光雷达全半导体构成,与目前传统摄像头几乎没有差别,因此前途远大,但近期内落地较难,因为目前VCSEL的效率和指向性,让Flash激光雷达有效距离和分辨率都不及前两类,顺便要说一下,前两类激光雷达输出的是点云,Flash激光雷达输出的是3D图像,当然也可以输出点云。目前高性能Flash激光雷达主要是IBEO和OUSTER。都对Beam做了调整,不是单一Beam而是Multi-Beam。

MEMS是目前最快落地的方案,和机械激光雷达相比,其优势有三,首先MEMS微振镜帮助激光雷达摆脱了笨重的马达、多棱镜等机械运动装置,毫米级尺寸的微振镜大大减少了激光雷达的尺寸,提高了可靠性。

其次是成本,MEMS微振镜的引入可以减少激光器和探测器数量,极大地降低成本。传统的机械式激光雷达要实现多少线束,就需要多少组发射模块与接收模块。而采用二维MEMS微振镜,仅需要一束激光光源,通过一面MEMS微振镜来反射激光器的光束,两者采用微秒级的频率协同工作,通过探测器接收后达到对目标物体进行3D扫描的目的。与多组发射/接收芯片组的机械式激光雷达结构相比,MEMS激光雷达对激光器和探测器的数量需求明显减少。从成本角度分析,N线机械式激光雷达需要N组IC芯片组:跨阻放大器(TIA)、低噪声放大器(LNA)、比较器(Comparator)、模数转换器(ADC)等。如果采用进口的激光器(典型的如Excelitas的LD)和探测器(典型的如滨松的PD),1K数量下每线激光雷达的成本大约200美元,国产如常用的长春光机所激光器价格能低一些。MEMS理论上可以做到其1/16的成本。

最后是分辨率,MEMS振镜可以精确控制偏转角度,而不像机械激光雷达那样只能调整马达转速。像Velodyne的Velarray每秒单次回波点达200万个,而Velodyne的128线激光雷达也不过240万个,Velarray几乎相当于106线机械激光雷达。

那么MEMS的缺点是什么?缺点就是信噪比和有效距离及FOV太窄。因为MEMS只用一组发射激光和接收装置,那么信号光功率必定远低于机械激光雷达。同时 MEMS激光雷达接收端的收光孔径非常小,远低于机械激光雷达,而光接收峰值功率与接收器孔径面积成正比。导致功率进一步下降。这就意味着信噪比的降低,同时也意味着有效距离的缩短。扫描系统分辨率由镜面尺寸与最大偏转角度的乘积共同决定,镜面尺寸与偏转角度是矛盾的,镜面尺寸越大,偏转角度就越小。而镜面尺寸越大,分辨率就越高。最后MEMS振镜的成本和尺寸也是正比,目前MEMS振镜最大尺寸是Mirrorcle,可达7.5毫米,售价高达1199美元。速腾投资的希景科技开发的MEMS微振镜镜面直径为5mm,已经进入量产阶段;禾赛科技的PandarGT 3.0中用到的MEMS微振镜则是由自研团队提供。

解决办法主要有两种,一是使用1550纳米发射波长的激光器,用光纤领域的掺铒放大器进一步提升功率,1550 nm波段的激光,其人眼安全阈值远高于905nm激光。因此在安全范围内可以大幅度提高1550 nm光纤激光器的激光功率。典型例子就是沃尔沃和丰田投资的Luminar。缺点是1550纳米激光器价格极其昂贵,且这是激光器产业的范畴,激光雷达厂家的技术远不及激光器产业厂家,想压低成本几乎不可能,还有一个缺点是1550纳米对阳光比较敏感。不过1550纳米附加一个优点就是像毫米波雷达一样全天候。二是使用SPAD或SiPM接收阵列,而不是传统APD阵列,SPAD阵列效率比APD高大约10万倍,典型例子是丰田中央研究院。但SPAD阵列目前还不算特别成熟,价格也略高。

华为要想快速切入激光雷达领域,自然也是选择MEMS激光雷达,不过针对功率过低的缺点,华为做了改进,也就是华为专利所说的,多线程微振镜激光测量模组。

华为采用机械激光雷达的做法,采用多个发射和接收组件,而不是传统MEMS激光雷达那样只有一个,因为华为在光电领域产业庞大,规模效应突出,采购激光发射器和接收器的成本远比传统激光雷达要低。

图中画出了三个测距模组,分别是100a、100b、100c,每个模组包括三个元件,分别是激光发射器101B,分光镜102a,接收器103a。104a为出射光束,110为反射镜,105a为回波光束,120为MEMS振镜,微振镜二维扫描摆动,实现光束140a(源自104a)的扫描。130为处理电路。100a、100b、100c结构完全一致,分时发射激光束。华为的等效100线,当然也不是100个测距模组,那样增加成本太多了,毕竟MEMS振镜的垂直扫描密度要好控制的多。

110反射镜的出现,让华为激光雷达更紧凑,更加方便线路板布线。同时以120MEMS振镜为核心,两边对称放置测距模组。结构更加简洁。160和170为连接线缆,180为透光外壳窗口。

华为这种设计,当然成本和体积肯定比传统MEMS激光雷达大多了,但性能也增加了,特别是有效距离和FOV,通常激光雷达厂家在说明有效距离时不会加上反射率,一般默认为90%,这样数字会好看很多,而华为特别点明反射率10%,反射率10%的情况下,即使短距离激光雷达都可达80米,传统MEMS激光雷达通常只有一半即40米。功率的增加让MEMS振镜尺寸可以缩小,FOV就可以大一点,华为激光雷达的FOV也是业内最大的。振镜越小,价格也越低。华为这种模块式布局,可以快速出产多种用途的激光雷达,适应不同的市场需求。

最有希望的Flash激光雷达,相信华为也有布局,不过Flash激光雷达的关键不在于激光雷达厂家,而是ToF传感器厂家,这些领域都是巨头,索尼、OV、ST、东芝、松下、安森美、英飞凌等。未来可能像摄像头一样,这些巨头提供传感器,激光雷达厂家做成模组,但这个过程可能长达8-10年。这期间三种激光雷达可能长期共存。(来源:佐思专利研究组 佐思汽车研究)


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