#第三代半导体分析# 第一代半导体主要是指硅半导体（Si）、锗元素（Ge）半导体材料； 第二代半导体主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟(InP)等化合物为代表。 第三代半导体主要是指碳化硅(SiC) 、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)等宽带（Eg≥2.2eV）半导体原料。应用于半导体照明、智能电网、新能源车、5G射频器件、军用电子等领域有广泛应用场景。特性与第一二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势。
SIC产业链分为三大环节：上游的SIC晶片和外延→中间的功率器件的制造（包含经典的IC设计→制造→封装三个小环节）→下游工控、新能源车、光伏风电等应用。目前上游的晶片基本被美国CREE和II-VI等美国厂商垄断；国内方面，SiC晶片商天科合达和山东天岳已经能供应2英寸~6英寸的单晶衬底，且营收都达到了一定的规模（今年均会超过2亿元RMB）；SiC外延片：硅峰半导体、厦门瀚天天成与东莞天域可生产2英寸~6英寸SiC外延片。
国内SIC功率器件企业：泰科天润，中电科55所，基本半导体，三安集成，华润微等。

什么是第三代半导体？

最近第三代半导体成了市场的热点，那到底什么是第三代半导体？它应用在哪些方面？接下来小编跟大家说一说。
在聊第三代半导体之前，我们先来说说前两代半导体。
第一代半导体主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。第一代半导体应用极其普遍，包括国际信息产业技术中的各类分立器件、集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和新能源硅光伏产业等领域，可以说硅芯片涉及到生活的每个角落。
第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）为代表，是4G时代的大部分通信设备的材料。
一、二代半导体各有优点和局限性，两者可以互补从而符合更高要求的产品。
下面来说说第三代半导体：
第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、
氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。主要应用于消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等领域。因具备众多优良的性能所以被市场看好，随着不断的发展有望取代一、二代半导体材料。

看了上面的介绍，大家应该知道第三代半导体的重要性了吧！快去找找相关个股吧！

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由中国科学技术大学近代物理系 “核探测与核电子学国家重点实验室” 王坚课题组带领的光电探测技术团队经过两年的攻关，根据 InSb 探测器在 2.5-5um 波段上高响应的性能，利用线性可变滤波片在此波段线性可变的特点完成了此波段上连续扫描观测的红外天光背景测量仪。论文链接：https://t.cn/A6UkjFNG