【美国海军部长介绍即将发布的战略指南：不想与中国开战，但重点将是阻止攻台】
#美海军部长称重点是阻止攻台#
据美国《防务新闻》（Defense News）当地时间10月6日报道，美国海军部长将于本周发布一份战略指南，主要内容为概述美国海军和海军陆战队将如何保持全球海上主导地位，加强战略伙伴关系，并增加对抗中国的能力。
当地时间10月5日晚间，就任美国海军部长已有近两个月的卡洛斯·德尔·托罗（Carlos Del Toro）在美国海军学院（USNA）发表演讲，向军官学员们介绍了这一战略指导方针。
“坦率讲，我们的目标不是与中国开战。没有人想卷入冲突……我们的最终任务是阻止他们完成企图要做的事情，包括接管台湾地区。”德尔·托罗说，在当下和今年做投入是非常重要和必要的，这样能够真正更多地关注中国，并感知美国在全球各地面临的诸多其他威胁。
因此，他表明了自己的希望，不仅要发展各种尖端技术，还要增加船舰数量，并在连续多个财年计划中加大投入，同时加强盟友伙伴关系，目的就是为了达到遏制和威慑中国的效果。
报道称，德尔·托罗表示，考虑到首要目标，他的战略指南的首要任务是在目前，就如何用有限的国防资金来威慑中国作出艰难的决定。
他说：“我们正以国防部长奥斯汀的综合威慑计划为基础，建立一支灵活、随时待命的部队；我们正在（美国海军陆战队司令大卫·伯杰的）《2030部队设计》的基础上，实现海军陆战队远征态势的现代化；我们正在实施（美国海军作战部长迈克·吉尔戴的）2021年版《导航计划》，以扩大我们舰队的分布式作战能力。我们现在正作出艰难决定，确保未来的你们（指军官学员）能拥有正确数量和组合的船舰及武器，应对各种威胁。”
德尔·托罗补充说，美国海军正在对造船厂、维修站和其他战备设施进行投资，以确保这些船舰和武器能够继续在战斗中使用。
“人工智能、网络安全、无人驾驶平台、导能武器、高超声速武器、分布式电源，这些尖端科技将决定你们对抗中国的优势，我们迅速地部署这些东西至关重要。”德尔·托罗如此说道。
随后，德尔·托罗在面对记者时表示，近年来中国已经证明了其造船能力超过了美国，并在太空和网络空间领域进行了“机敏投资”（smart investments），这就使得美国的“机敏投资”变得至关重要。
他告诉记者，他想让美国海军有人驾驶的军舰数量达到355艘，并称这符合此前海军方面的目标以及美国国会于2017年12月通过的立法。“但是，无论是355艘，330艘还是300艘，显然这取决于你如何继续现代化和投资新技术，这确实会带来改变。”
德尔·托罗宣称，鉴于中国威胁到的不止是美国，还有美国的盟友和伙伴，因此他的战略指南的第二优先目标是维系全球联盟和伙伴关系。
图2：美国海军部长卡洛斯·德尔·托罗发表演讲现场图 图自美国海军学院网站
当被问及如何应对中国，特别是台湾问题时，德尔·托罗表示，美国海军与澳大利亚、印度、菲律宾、印度尼西亚等许多“受到威胁的印太国家”建立伙伴关系非常重要；他还声称，美国要为台湾地区提供必要的支援、武器和技术，使台湾地区能够“自卫”，利用此举阻止中国大陆实现夺取台湾这一最终目标。
“中国（大陆）可能会环顾四周，然后说：‘我们没有朋友，没有海上盟友和我们合作……’希望这样能阻止他们追求一些人所说的终极目标，也就是攻取台湾。”
德尔·托罗还攻击中国在中南美洲太平洋海岸以及非洲西海岸无处不在，并以此为由声称，美国海军不仅需要在南海海域存在，而且还需要在全球各地存在。
据报道，德尔·托罗证实，美国海军在等待美国国会提交2022财年支出计划的同时，已经将其2023财年计划提交五角大楼和白宫进行审查，并着手开始了2024财年计划的早期规划工作。
他透露，虽然同时应对处理三个财政年度的计划“非常复杂”，但这三项努力都让中国始终走在领先位置。因此，德尔·托罗希望美国国会通过一项增加250亿美元的国防开支预算计划，支持海军进一步发展和现代化，以和中国保持一致。而在提交2023财年计划后，他和拜登政府将研究“不同的议题”，其中包括认为需要额外投入的领域，他声称其中一些投资对在印太地区遏制中国非常重要。
对于2024财年计划，德尔·托罗再次表示，他将寻求在准备工作、产能和现代化之间取得平衡，以在威慑中国方面获得“最佳投资回报”。
针对美方频频插手中国的台湾事务，指手画脚，说三道四，中国国防部发言人吴谦大校9月30日曾强调，台湾问题是中国内政，事关中方核心利益，决不容许任何外来干涉。中国人民像保护眼睛一样珍惜中国主权和领土完整，眼里决容不下沙子。如果有人胆敢在台湾问题上挑战中方的底线，中国人民解放军决不答应，将坚决捍卫国家主权和领土完整。
#美海军部长称重点是阻止攻台#
据美国《防务新闻》（Defense News）当地时间10月6日报道，美国海军部长将于本周发布一份战略指南，主要内容为概述美国海军和海军陆战队将如何保持全球海上主导地位，加强战略伙伴关系，并增加对抗中国的能力。
当地时间10月5日晚间，就任美国海军部长已有近两个月的卡洛斯·德尔·托罗（Carlos Del Toro）在美国海军学院（USNA）发表演讲，向军官学员们介绍了这一战略指导方针。
“坦率讲，我们的目标不是与中国开战。没有人想卷入冲突……我们的最终任务是阻止他们完成企图要做的事情，包括接管台湾地区。”德尔·托罗说，在当下和今年做投入是非常重要和必要的，这样能够真正更多地关注中国，并感知美国在全球各地面临的诸多其他威胁。
因此，他表明了自己的希望，不仅要发展各种尖端技术，还要增加船舰数量，并在连续多个财年计划中加大投入，同时加强盟友伙伴关系，目的就是为了达到遏制和威慑中国的效果。
报道称，德尔·托罗表示，考虑到首要目标，他的战略指南的首要任务是在目前，就如何用有限的国防资金来威慑中国作出艰难的决定。
他说：“我们正以国防部长奥斯汀的综合威慑计划为基础，建立一支灵活、随时待命的部队；我们正在（美国海军陆战队司令大卫·伯杰的）《2030部队设计》的基础上，实现海军陆战队远征态势的现代化；我们正在实施（美国海军作战部长迈克·吉尔戴的）2021年版《导航计划》，以扩大我们舰队的分布式作战能力。我们现在正作出艰难决定，确保未来的你们（指军官学员）能拥有正确数量和组合的船舰及武器，应对各种威胁。”
德尔·托罗补充说，美国海军正在对造船厂、维修站和其他战备设施进行投资，以确保这些船舰和武器能够继续在战斗中使用。
“人工智能、网络安全、无人驾驶平台、导能武器、高超声速武器、分布式电源，这些尖端科技将决定你们对抗中国的优势，我们迅速地部署这些东西至关重要。”德尔·托罗如此说道。
随后，德尔·托罗在面对记者时表示，近年来中国已经证明了其造船能力超过了美国，并在太空和网络空间领域进行了“机敏投资”（smart investments），这就使得美国的“机敏投资”变得至关重要。
他告诉记者，他想让美国海军有人驾驶的军舰数量达到355艘，并称这符合此前海军方面的目标以及美国国会于2017年12月通过的立法。“但是，无论是355艘，330艘还是300艘，显然这取决于你如何继续现代化和投资新技术，这确实会带来改变。”
德尔·托罗宣称，鉴于中国威胁到的不止是美国，还有美国的盟友和伙伴，因此他的战略指南的第二优先目标是维系全球联盟和伙伴关系。
图2：美国海军部长卡洛斯·德尔·托罗发表演讲现场图 图自美国海军学院网站
当被问及如何应对中国，特别是台湾问题时，德尔·托罗表示，美国海军与澳大利亚、印度、菲律宾、印度尼西亚等许多“受到威胁的印太国家”建立伙伴关系非常重要；他还声称，美国要为台湾地区提供必要的支援、武器和技术，使台湾地区能够“自卫”，利用此举阻止中国大陆实现夺取台湾这一最终目标。
“中国（大陆）可能会环顾四周，然后说：‘我们没有朋友，没有海上盟友和我们合作……’希望这样能阻止他们追求一些人所说的终极目标，也就是攻取台湾。”
德尔·托罗还攻击中国在中南美洲太平洋海岸以及非洲西海岸无处不在，并以此为由声称，美国海军不仅需要在南海海域存在，而且还需要在全球各地存在。
据报道，德尔·托罗证实，美国海军在等待美国国会提交2022财年支出计划的同时，已经将其2023财年计划提交五角大楼和白宫进行审查，并着手开始了2024财年计划的早期规划工作。
他透露，虽然同时应对处理三个财政年度的计划“非常复杂”，但这三项努力都让中国始终走在领先位置。因此，德尔·托罗希望美国国会通过一项增加250亿美元的国防开支预算计划，支持海军进一步发展和现代化，以和中国保持一致。而在提交2023财年计划后，他和拜登政府将研究“不同的议题”，其中包括认为需要额外投入的领域，他声称其中一些投资对在印太地区遏制中国非常重要。
对于2024财年计划，德尔·托罗再次表示，他将寻求在准备工作、产能和现代化之间取得平衡，以在威慑中国方面获得“最佳投资回报”。
针对美方频频插手中国的台湾事务，指手画脚，说三道四，中国国防部发言人吴谦大校9月30日曾强调，台湾问题是中国内政，事关中方核心利益，决不容许任何外来干涉。中国人民像保护眼睛一样珍惜中国主权和领土完整，眼里决容不下沙子。如果有人胆敢在台湾问题上挑战中方的底线，中国人民解放军决不答应，将坚决捍卫国家主权和领土完整。
美国海军部长：“坦率讲，我们的目标不是与中国开战。没有人想卷入冲突。我们的最终任务是阻止他们完成企图要做的事情，包括接管台湾地区。在当下和今年做投入是非常重要和必要的，这样能够真正更多地关注中国，并感知美国在全球各地面临的诸多其他威胁。自己的希望不仅要发展各种尖端技术，还要增加船舰数量，并在连续多个财年计划中加大投入，同时加强盟友伙伴关系，目的就是为了达到遏制和威慑中国的效果。考虑到首要目标，他的战略指南的首要任务是在目前，就如何用有限的国防资金来威慑中国作出艰难的决定……”
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下一代半导体：一路向宽，一路向窄
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
超宽禁带半导体：
“上天入海”，适用范围广泛
禁带的宽度决定了电子跃迁的难度，是半导体的导电性的决定因素之一。禁带越宽，半导体材料越接近绝缘体，器件稳定性越强，因而超宽禁带半导体能应用于高温、高功率、高频率以及较耐辐照等特殊环境。
“硅器件工作温度范围相对有限，而超宽禁带半导体可谓‘上天下海’，适应范围非常宽广。”中国科学院半导体研究所研究员闫建昌向《中国电子报》记者表示。
在光电子领域，超宽禁带半导体在紫外发光、紫外探测有着广阔的应用空间。基于氮化铝镓等超宽禁带半导体的紫外发光二极管和紫外激光二极管应用于杀菌消毒等医疗卫生领域，特定波长的紫外线能帮助人体补钙。在工业上，超宽禁带可用于制造大功率的紫外光源。
在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。
与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化铝镓的禁带宽度可以在一定范围内调节，是一种灵活的半导体材料。
“通过调节铝的组份，氮化铝镓可以实现不同的禁带宽度，范围在氮化镓的3.4 eV到氮化铝的6 eV之间。通过合适的比例，可以获得特定的禁带宽度，发射相应波长的紫外线，这是一个有趣也有用的属性。”闫建昌表示。
在制备技术方面，氮化铝镓已经具备了一定的积累。
“氮化镓和氮化铝外延制备的主流方法是MOCVD（金属有机物化学气相沉积），在工艺、设备等产业环节已经有了二三十年的积累。氮化铝镓作为氮化镓、氮化铝的合金材料，在外延制备上与两者有很多相通之处，产业化已经开始起步，预计在接下来的3—5年，会具备规模化量产的水准。”闫建昌向记者指出。
氧化镓相比宽禁带半导体具有更高的能量转换效率。目前，氧化镓材料制备水平进展较快，但是外延、器件方面还有很多工作要做。
“氧化镓的禁带宽度比氮化镓、碳化硅等更宽，功率可以做得更高，也更加省电。氧化镓的制备条件比较苛刻，目前外延材料以2-3寸的小尺寸为主，量产和应用还有一段路要走。” 西安电子科技大学郭辉副教授向《中国电子报》记者表示。
闫建昌指出，散热能力不足是氧化镓的弊端，如何绕开这个弊端的话，去充分发挥它在功率器件的优势，是值得关注的发展方向。
金刚石被视为“终极半导体”材料，具有超宽禁带、高导热系数、高硬度的特点。但也由于硬度最高，实现半导体级别的高纯净度也最为困难，与产品化、产业化还有相当的距离。
“金刚石难以实现半导体级别的制备和掺杂，但我们可以利用类金刚石或者金刚石颗粒去改善半导体器件的散热，把金刚石自身的优势和长处先发挥出来。”闫建昌说。
窄禁带半导体：
继续拓展光谱范围，集中应用在红外光
与超宽禁带半导体相反，锑化物等窄禁带半导体具有高迁移率、导电性强的特点，应用领域也集中在红外线，与超宽禁带应用的紫外线正好分布在光谱两端。可以说，超宽禁带和窄禁带半导体拓展了人类对光谱的利用范围。
在光电子领域，锑化物材料体系有希望成为未来红外成像系统的主要材料体系。据中科院半导体研究所教授牛智川介绍，传统红外光电材料由于均匀性不足、基片面积小、良率极低等瓶颈，难以实现大阵列、双色、多色焦平面以及甚远红外焦平面的制造。
“锑化物在具有高性能的前提下，带隙调控适用范围更广、成本更低、制造规模更大，锑化镓基半导体外延材料技术已经成长为红外光电器件制造的主流。”牛智川向《中国电子报》记者表示。
在微电子领域，锑化物半导体具有超过前三代半导体体系的超高速迁移率，在发展超低功耗超高速微电子集成电路器件方面潜力重大。
在热电器件领域，含锑元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应，是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向，具有广阔的应用前景。
在制备方面，锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备工艺类似或兼容，因此不存在量产技术的障碍，其制备成本主要受单晶衬底晶圆面积、外延材料量产容量、工艺集成技术良率的制约。
“随着功能器件需求放大，基于锑化物的激光器和探测器制造已经在量产方面获得了充分的验证，在光电子功能的各类应用领域制造规模逐步扩大，已经具备量产条件。”牛智川指出。
下一代半导体：
越走越“宽”还是越“窄”？
新一代半导体材料是产业变革的基石。从以硅为代表的第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，半导体器件的工作范围和适用场景不断拓展，为信息社会的发展提供有力支撑。
半导体代表性材料进阶图 下图
那么，真正具有技术前景的新一代半导体材料，应该具备哪些要素？
牛智川表示，评估半导体材料的发展前景时，应注重两个指标。
一是能否发展出高可控性的量产制备技术，这是判断新体系材料是否具有长期发展前景的必要前提。在面向实际应用发展的初期阶段，必须评估规模化生产平台的可行性，包括大型制造设备等，并通过小试和中试工程化考验，检验产品良率和器件性能的稳定性。
其次是技术迭代链条是否完善，这是市场化成败的必要考量。半导体技术迭代链条包括所有技术环节所需的相关支撑条件是否具备可靠来源，市场周期的波动率，用户对产品需求性价比，以及对比竞品材料的优劣等。
在具备产业化前景的基础上，该如何发挥材料自身的性质，使之转化为产业发展的动力并释放市场价值？
闫建昌表示，每一种材料都有自身的优势和局限性，要充分发挥或者挖掘其有利因素，以扬长避短。曾经业界认为氮化镓材料缺陷密度太高，不可能用来发光，但氮化镓的一些特殊机制能够绕开缺陷密度的问题，并基于自身的硬度和化学稳定性等优势弥补纯净度的不足，赢得了发展空间。
“无论氮化铝镓、氧化镓还是金刚石，在器件和产业发展上还有很大的空间。发展的基础取决于材料本身和材料制备水平，要实现更低的缺陷密度，把材料的优势和潜力充分发掘出来，这是未来超宽禁带技术和产业发展的基础。”闫建昌说。
郭辉表示，新材料的上量有一个过程，要考虑综合效益，找寻市场地位。
“在微电子领域，超宽禁带半导体主要用于功率半导体，既要考虑材料本身的制备成本和功率器件本身的成本，也要考虑器件用在系统内的成本。通过综合效益寻找市场空间，形成市场竞争力。”郭辉说。
牛智川表示，要在扎实做好实验室技术开发研究基础上，深入理解材料物性优化的基本技术方法、路径，全方位建立基础物理化学性质数据，形成从设计到器件功能实现的最佳迭代模式。在此基础上，建设中试平台，集中考验实现高良率工程化制造的技术流程、方案和规范。后续增加用户定制要求，逐步完善器件的特定功能的量产制造技术、提高迭代效率，与市场深度融合。#财经##微博股票##今日看盘##财经头条##投资##财经头条文章#
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
超宽禁带半导体：
“上天入海”，适用范围广泛
禁带的宽度决定了电子跃迁的难度，是半导体的导电性的决定因素之一。禁带越宽，半导体材料越接近绝缘体，器件稳定性越强，因而超宽禁带半导体能应用于高温、高功率、高频率以及较耐辐照等特殊环境。
“硅器件工作温度范围相对有限，而超宽禁带半导体可谓‘上天下海’，适应范围非常宽广。”中国科学院半导体研究所研究员闫建昌向《中国电子报》记者表示。
在光电子领域，超宽禁带半导体在紫外发光、紫外探测有着广阔的应用空间。基于氮化铝镓等超宽禁带半导体的紫外发光二极管和紫外激光二极管应用于杀菌消毒等医疗卫生领域，特定波长的紫外线能帮助人体补钙。在工业上，超宽禁带可用于制造大功率的紫外光源。
在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。
与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化铝镓的禁带宽度可以在一定范围内调节，是一种灵活的半导体材料。
“通过调节铝的组份，氮化铝镓可以实现不同的禁带宽度，范围在氮化镓的3.4 eV到氮化铝的6 eV之间。通过合适的比例，可以获得特定的禁带宽度，发射相应波长的紫外线，这是一个有趣也有用的属性。”闫建昌表示。
在制备技术方面，氮化铝镓已经具备了一定的积累。
“氮化镓和氮化铝外延制备的主流方法是MOCVD（金属有机物化学气相沉积），在工艺、设备等产业环节已经有了二三十年的积累。氮化铝镓作为氮化镓、氮化铝的合金材料，在外延制备上与两者有很多相通之处，产业化已经开始起步，预计在接下来的3—5年，会具备规模化量产的水准。”闫建昌向记者指出。
氧化镓相比宽禁带半导体具有更高的能量转换效率。目前，氧化镓材料制备水平进展较快，但是外延、器件方面还有很多工作要做。
“氧化镓的禁带宽度比氮化镓、碳化硅等更宽，功率可以做得更高，也更加省电。氧化镓的制备条件比较苛刻，目前外延材料以2-3寸的小尺寸为主，量产和应用还有一段路要走。” 西安电子科技大学郭辉副教授向《中国电子报》记者表示。
闫建昌指出，散热能力不足是氧化镓的弊端，如何绕开这个弊端的话，去充分发挥它在功率器件的优势，是值得关注的发展方向。
金刚石被视为“终极半导体”材料，具有超宽禁带、高导热系数、高硬度的特点。但也由于硬度最高，实现半导体级别的高纯净度也最为困难，与产品化、产业化还有相当的距离。
“金刚石难以实现半导体级别的制备和掺杂，但我们可以利用类金刚石或者金刚石颗粒去改善半导体器件的散热，把金刚石自身的优势和长处先发挥出来。”闫建昌说。
窄禁带半导体：
继续拓展光谱范围，集中应用在红外光
与超宽禁带半导体相反，锑化物等窄禁带半导体具有高迁移率、导电性强的特点，应用领域也集中在红外线，与超宽禁带应用的紫外线正好分布在光谱两端。可以说，超宽禁带和窄禁带半导体拓展了人类对光谱的利用范围。
在光电子领域，锑化物材料体系有希望成为未来红外成像系统的主要材料体系。据中科院半导体研究所教授牛智川介绍，传统红外光电材料由于均匀性不足、基片面积小、良率极低等瓶颈，难以实现大阵列、双色、多色焦平面以及甚远红外焦平面的制造。
“锑化物在具有高性能的前提下，带隙调控适用范围更广、成本更低、制造规模更大，锑化镓基半导体外延材料技术已经成长为红外光电器件制造的主流。”牛智川向《中国电子报》记者表示。
在微电子领域，锑化物半导体具有超过前三代半导体体系的超高速迁移率，在发展超低功耗超高速微电子集成电路器件方面潜力重大。
在热电器件领域，含锑元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应，是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向，具有广阔的应用前景。
在制备方面，锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备工艺类似或兼容，因此不存在量产技术的障碍，其制备成本主要受单晶衬底晶圆面积、外延材料量产容量、工艺集成技术良率的制约。
“随着功能器件需求放大，基于锑化物的激光器和探测器制造已经在量产方面获得了充分的验证，在光电子功能的各类应用领域制造规模逐步扩大，已经具备量产条件。”牛智川指出。
下一代半导体：
越走越“宽”还是越“窄”？
新一代半导体材料是产业变革的基石。从以硅为代表的第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，半导体器件的工作范围和适用场景不断拓展，为信息社会的发展提供有力支撑。
半导体代表性材料进阶图 下图
那么，真正具有技术前景的新一代半导体材料，应该具备哪些要素？
牛智川表示，评估半导体材料的发展前景时，应注重两个指标。
一是能否发展出高可控性的量产制备技术，这是判断新体系材料是否具有长期发展前景的必要前提。在面向实际应用发展的初期阶段，必须评估规模化生产平台的可行性，包括大型制造设备等，并通过小试和中试工程化考验，检验产品良率和器件性能的稳定性。
其次是技术迭代链条是否完善，这是市场化成败的必要考量。半导体技术迭代链条包括所有技术环节所需的相关支撑条件是否具备可靠来源，市场周期的波动率，用户对产品需求性价比，以及对比竞品材料的优劣等。
在具备产业化前景的基础上，该如何发挥材料自身的性质，使之转化为产业发展的动力并释放市场价值？
闫建昌表示，每一种材料都有自身的优势和局限性，要充分发挥或者挖掘其有利因素，以扬长避短。曾经业界认为氮化镓材料缺陷密度太高，不可能用来发光，但氮化镓的一些特殊机制能够绕开缺陷密度的问题，并基于自身的硬度和化学稳定性等优势弥补纯净度的不足，赢得了发展空间。
“无论氮化铝镓、氧化镓还是金刚石，在器件和产业发展上还有很大的空间。发展的基础取决于材料本身和材料制备水平，要实现更低的缺陷密度，把材料的优势和潜力充分发掘出来，这是未来超宽禁带技术和产业发展的基础。”闫建昌说。
郭辉表示，新材料的上量有一个过程，要考虑综合效益，找寻市场地位。
“在微电子领域，超宽禁带半导体主要用于功率半导体，既要考虑材料本身的制备成本和功率器件本身的成本，也要考虑器件用在系统内的成本。通过综合效益寻找市场空间，形成市场竞争力。”郭辉说。
牛智川表示，要在扎实做好实验室技术开发研究基础上，深入理解材料物性优化的基本技术方法、路径，全方位建立基础物理化学性质数据，形成从设计到器件功能实现的最佳迭代模式。在此基础上，建设中试平台，集中考验实现高良率工程化制造的技术流程、方案和规范。后续增加用户定制要求，逐步完善器件的特定功能的量产制造技术、提高迭代效率，与市场深度融合。#财经##微博股票##今日看盘##财经头条##投资##财经头条文章#
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