坑试验怎么做？附详解！在半导体封装工艺中，弹坑试验是用来评估键合参数以及键合可靠性的。键合工艺使用的材料一般是金线，铜线或铝线，其中铝线一般是在大功率的产品中使用，铜线在解决了可靠性的问题之后应用也越来越多。弹坑试验数据能够指导工艺工程等部门进行工艺设计改进，优化。FA 在进行这种分析时，针对不同的产品类型，一般采用什么样的方法呢？本文介绍几种常见的方法。
1. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：分离金球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH溶液 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是利用铝的两性，通过碱性溶剂把金球和bond pad之间的铝层溶掉，最终把bond pad和金线分离出来，用于检查分析。在腐蚀铝层时，金线不会被腐蚀掉。溶液浓度可根据产品特点进行调整，也有用氢氧化钾的，但不宜用高浓度的碱进行腐蚀，需要控制好时间，否则会对芯片造成损伤。
2. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：检查bond pad，不关注bond ball 试剂：碘化钾，单质碘，纯水， KI : I2 : DI =115g : 65g : 100g 温度：室温 腐蚀时间：10分钟~15分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是直接把金溶掉，最终把bond pad暴露出来进行检查分析，在腐蚀金的同时，bond pad上面的铝层也会被腐蚀掉。 特点是对金的腐蚀速率较快，缺点是腐蚀不掉的残留物有时较难去除干净。当然去除金的方法还有多种，比如王水，汞等，但王水的氧化性太强，对很多材料都有腐蚀性或者负面影响，汞属于毒性很强的物质一般也不常用，在冶金上面会用于提取金。
3. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：分离铜球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用氢氧化钠溶解铝层，但氢氧化钠不会腐蚀铜线，最终可以把bond pad和铜线分离出来，可以检查bond pad和IMC，与金线IMC检查的方法一样。
4. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：溶解铜线，用于检查分析 bond pad，不需要保证铜线的完整性 试剂：发烟硝酸 温度：室温 腐蚀时间：30秒~ 1分钟 （取决于样品） 这时可以进行bond pad的检查，此时铝层还在pad上，如果需要进一步把铝层去除，可以接着做下面一步： 试剂：HCL （37% ） 温度：50 °C 腐蚀时间：1分钟~ 3分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用发烟硝酸直接溶解铜线，但由于铝具有钝化作用而得以保留，该方法分两步分别把铜线和铝层溶解掉，可以检查bond pad的铝层形貌以及去掉铝层后的芯片pad。
5. 铝 （Al bond pad）+ 铝线键合（Al wire bond） 目的：溶解铝线和铝层，用于检查分析 bond pad，不能保证铝线线的完整性 试剂：HCL （37% ） 温度：35 °C 腐蚀时间：1分钟~ 2分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用盐酸溶解铝质材料，最终可以把bond pad暴露出来，但无法选择性地只去除bond pad上的铝层，这种产品没有IMC的问题，如果要检查键合效果一般会通过其它方法来评估，比如断面分析，RIE等。微ictest1#半导体##芯片##测试#
1. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：分离金球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH溶液 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是利用铝的两性，通过碱性溶剂把金球和bond pad之间的铝层溶掉，最终把bond pad和金线分离出来，用于检查分析。在腐蚀铝层时，金线不会被腐蚀掉。溶液浓度可根据产品特点进行调整，也有用氢氧化钾的，但不宜用高浓度的碱进行腐蚀，需要控制好时间，否则会对芯片造成损伤。
2. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：检查bond pad，不关注bond ball 试剂：碘化钾，单质碘，纯水， KI : I2 : DI =115g : 65g : 100g 温度：室温 腐蚀时间：10分钟~15分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是直接把金溶掉，最终把bond pad暴露出来进行检查分析，在腐蚀金的同时，bond pad上面的铝层也会被腐蚀掉。 特点是对金的腐蚀速率较快，缺点是腐蚀不掉的残留物有时较难去除干净。当然去除金的方法还有多种，比如王水，汞等，但王水的氧化性太强，对很多材料都有腐蚀性或者负面影响，汞属于毒性很强的物质一般也不常用，在冶金上面会用于提取金。
3. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：分离铜球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用氢氧化钠溶解铝层，但氢氧化钠不会腐蚀铜线，最终可以把bond pad和铜线分离出来，可以检查bond pad和IMC，与金线IMC检查的方法一样。
4. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：溶解铜线，用于检查分析 bond pad，不需要保证铜线的完整性 试剂：发烟硝酸 温度：室温 腐蚀时间：30秒~ 1分钟 （取决于样品） 这时可以进行bond pad的检查，此时铝层还在pad上，如果需要进一步把铝层去除，可以接着做下面一步： 试剂：HCL （37% ） 温度：50 °C 腐蚀时间：1分钟~ 3分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用发烟硝酸直接溶解铜线，但由于铝具有钝化作用而得以保留，该方法分两步分别把铜线和铝层溶解掉，可以检查bond pad的铝层形貌以及去掉铝层后的芯片pad。
5. 铝 （Al bond pad）+ 铝线键合（Al wire bond） 目的：溶解铝线和铝层，用于检查分析 bond pad，不能保证铝线线的完整性 试剂：HCL （37% ） 温度：35 °C 腐蚀时间：1分钟~ 2分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用盐酸溶解铝质材料，最终可以把bond pad暴露出来，但无法选择性地只去除bond pad上的铝层，这种产品没有IMC的问题，如果要检查键合效果一般会通过其它方法来评估，比如断面分析，RIE等。微ictest1#半导体##芯片##测试#
6m+18d的崽崽[心]
刚才我在想到不到六个半呀，一看妈耶早超了呀，小妮妮的头发日益浓密，带上了可可爱爱的小头fa，哈哈哈哈哈哈
奶奶说在楼下玩，非要其他小朋友的扭扭车，六个半月的小毛孩就要坐扭扭车么[允悲]说坐的还挺好[允悲]一定是又要骗我给她买车车……
今天去二姨家第一次吃了米饼，非常没有见识，馋的不行不行的，一会功夫自己啃完了一块，成功的骗我下单了米饼[允悲][允悲]
体重身高就在60分上徘徊，只有头围绝不会输给别人吧[允悲]
60就很好，我也努力做一个60分的妈妈。
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我从来没有听说过这样的说法，
如果说你做完fa事以后，不叫你占卜，可以理解怕你受自己情绪的影响啥的，可是说占卜算命会使fa事无效，恕我学时浅薄，从未有听说过。
道可道，请各位亲友们无论是做啥，算圭卜，看八字啥啥的，请擦亮双眼鸭
还有哪些说免费给你算圭卜的，确实不收你大米，可是他给你来句你啥啥啥时候走啥啥啥灾，让你出更多的米…所以，这些可比解圭卜来的米多呀…sos请擦亮你们的双眼呀…
还有我挺喜欢的和你们聊天的，如果有啥不解的可以和我啦啦，但是看事的话请给大米，毕竟这是规矩………
欢迎来找我聊天，让我也看看你们的不一样的人生#道教 #
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