优恩半导体新推出保护LIN总线，能过AECQ101标准的低电容TVS阵列UESD1LIN
特性：
SOD-323封装
AEC-Q101合格
湿度敏感度等级（MSL-1）
210~220瓦峰值脉冲功率（tp=8/20µs）
一条汽车LIN总线的保护
低箝位电压
低泄漏电流
IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±8kV（接触）
IEC61000-4-5（雷电）3A（8/20µs）
应用：
LIN总线保护
汽车应用

碳化硅mos管的优缺点
碳化硅（SiC）MOS管作为一种新型功率器件，相较于传统的硅基功率器件，在一些特定的条件下有着独有的优异性，但也有存在着某些方面的不足之处。优恩半导体讲一下碳化硅mos管的优缺点：
碳化硅（SiC）MOS优点：
高温特性优异：SiC MOS管在高温下仍然可以正常工作，具有更高的热稳定性，可用于高温、高压的恶劣环境下。
高频特性优异：SiC MOS管的电子迁移速度高，损耗小，因此在高频场合下具有更好的性能表现。
开关速度快：由于SiC MOS管的门电容小，可以实现更快的开关速度，从而实现更高的效率。
导通损耗小：SiC MOS管的导通电阻比硅MOSFET低得多，可以实现更小的导通损耗。
体积小、重量轻：SiC MOS管采用了更小尺寸的芯片，相同功率的器件尺寸更小，重量更轻，可以提高功率器件的集成度。
碳化硅（SiC）MOS缺点：
制造工艺难度大：SiC MOS管制造需要采用更高难度的材料和工艺，制造成本较高。
可靠性有待提高：SiC MOS管的材料、制造工艺等还有一些待解决的问题，如材料的缺陷、器件的寿命等问题需要进一步研究和解决。
技术不成熟：SiC MOS管的商业化应用还相对较新，技术和市场的认可度还需要进一步提高。
SiC MOS管具有高温、高频、高效等优异特性，但是在制造成本、可靠性等方面还存在挑战和待提高的空间。随着技术和市场的不断发展，相信SiC MOS管将会得到更广泛的应用和推广。

浅析优恩TVS瞬态抑制二极管5KP系列参数特性

对于直流电源的理解，电子工程师了解的肯定不少，但是对于直流电源的过压防护及过压防护器件TVS二极管的应用选型，显然还是优恩半导体的FAE电子工程师更清楚。直流电源有正、负两个电极，正极的电位高，负极的电位低，当两个电极与电路连通后，能够使电路两端之间维持恒定的电位差，从而在外电路中形成由正极到负极的电流。直流电源是一种能量转换装置，它把其他形式的能量转换为电能供给电路，以维持电流的稳恒流动。而一旦这个电能供给的转换装置直流电源的过压防护不到位，显然后端的电路安全也极为堪忧。优恩半导体以5000W单向TVS二极管5KP系列5KP33A/CA的参数特性为例，详细分析基于5KP33A/CA单向TVS二极管的直流电源过压防护应用。

P600封装5KP系列的额定工作功率是5000W，工作电压范围为5-190V，工作电流范围为16.24-520.83A 。下面是单向TVS二极管5KP33A/CA的产品参数与特性。

P600封装5KP系列
功率：5000W
工作电压：5-190V
电流：16.24-520.83A
5KP33A/CA的参数：
封装：P600
电压：33V
电流：84.75A
钳位电压：59.0V
功率：5000W
5KP33A/CA的特性：
1、P600封装玻璃钝化片结
2、低泄漏
3、单向和双向单元
4、优良的钳位能力
5、5000W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01%
6、快速的响应时间
7、符合RoHS

除以上的直流电源过压防护应用外，TVS器件非常适合保护I/O接口，Vcc总线和其他应用于电信、计算机、工业和消费电子应用的易损电路。TVS管目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、 I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。