新的晶圆工艺工具包括高温外延生长（>1,500°C）、热离子注入、快速热处理（RTP）和更快的脉冲原子层沉积。用于SiC 材料的晶圆研磨、CMP、抛光垫和浆料也在发生重大改进，包括剥离剂和清洁化学品在内的新材料可满足设备和可持续性需求。从封装端来看，带有分立元件的高功率印刷电路板正在被集成电路+集成封装（芯片级封装CSP）所取代，以实现更小、更可靠的设计。

在模块的设计中， SiC 模块是主要研发方向，GaN 器件的潜力也在尝试。到 2030 年，全球将生产 3000 万辆新能源汽车，将推动功率半导体市场，其中约 50% 的硅器件、35% 的碳化硅器件和 12% 的氮化镓器件将用于电动汽车。

SiC 模块是从 400V 向 800V 核心器件。尽管仍需应对晶圆晶体缺陷、器件封装和模块集成、供应链变化等挑战，但很多市场预测对于SiC寄予厚望，预计到 2027 年，功率半导体市场将达到 $6.3B，其中 70% 用于汽车应用。仅 SiC 晶圆产量方面，2022 ——2027 年年均增长率为 14%。

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