第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料,包括了碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。根据Yole数据,仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金,GAGR达到34%,从细分行业需求来看,新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。
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不单单只是解,还要分清楚里相和表相,很多人为什么解不准,就是因为只看表面不懂内在。我解都是根据问题,背景,人物,事件,表相和里相进行深入分析,有些时候准确不是看表面,还是需要联想分析,最后下定论。
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