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NP2300MR SOT-23-3L N-通道增强模式MOSFET
概述
NP2300MR采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)通用特性、低栅极电荷和高密度电池设计,用于超低电阻。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
一般特征
VDS=20V,ID=5A
RDS(ON)(Typ.)=24mΩ @ VGS =4.5V
RDS (ON)(Typ.)=30mΩ @VGS =2.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包
应用
PWM应用程序的
负载开关
封装
SOT-23-3L
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NP2300MR采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)通用特性、低栅极电荷和高密度电池设计,用于超低电阻。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
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