《凤凰社区土地整备利益统筹项目实施方案》（以下简称《实施方案》）已经宝安区土地整备指挥部2021年第2次联席会议通过、宝安区土地整备指挥部2021年第3次会议审定。根据《市规划国土委关于印发土地整备项目审批工作规程的通知》（深规土﹝2017﹞720号）有关规定，现对《实施方案》予以公告：
一、项目概况
凤凰社区土地整备利益统筹项目实施方案位于宝安区福永街道凤凰社区，实施面积为160,520.50平方米，现状容积率为0.0041。已纳入市2019年城市更新和土地整备计划。《实施方案》概算总补偿费用为33,029,763 元（大写：叁仟叁佰零贰万玖仟柒佰陆拾叁元整），项目留用土地面积为25773.33平方米。留用土地选址分别位于规划调整方案[福永凤凰地区]法定图则03-30地块，以及[福永东地区]法定图则04-22地块。03-30地块用地面积为8604.46平方米，规划为二类居住用地（R2）；04-22地块用地面积为17168.87平方米，规划为二类居住用地（R2）。
二、公告地点
1.项目现场
地址：宝安区福永街道凤凰社区
2.深圳市宝安区政府在线
网址：深圳市宝安区政府官方网站
三、公告时间
为期30天，自2021年8月24日起至2021年9月22日止。
特此公告。
附件：深圳市宝安区城市更新和土地整备局关于《宝安区凤凰社区土地整备利益统筹项目实施方案》的公告材料
深圳市宝安区城市更新和土地整备局
2021年8月24日
附件下载：
附件：深圳市宝安区城市更新和土地整备局关于《宝安区凤凰社区土地整备利益统筹项目实施方案》的公告材料.pdf
一、项目概况
凤凰社区土地整备利益统筹项目实施方案位于宝安区福永街道凤凰社区，实施面积为160,520.50平方米，现状容积率为0.0041。已纳入市2019年城市更新和土地整备计划。《实施方案》概算总补偿费用为33,029,763 元（大写：叁仟叁佰零贰万玖仟柒佰陆拾叁元整），项目留用土地面积为25773.33平方米。留用土地选址分别位于规划调整方案[福永凤凰地区]法定图则03-30地块，以及[福永东地区]法定图则04-22地块。03-30地块用地面积为8604.46平方米，规划为二类居住用地（R2）；04-22地块用地面积为17168.87平方米，规划为二类居住用地（R2）。
二、公告地点
1.项目现场
地址：宝安区福永街道凤凰社区
2.深圳市宝安区政府在线
网址：深圳市宝安区政府官方网站
三、公告时间
为期30天，自2021年8月24日起至2021年9月22日止。
特此公告。
附件：深圳市宝安区城市更新和土地整备局关于《宝安区凤凰社区土地整备利益统筹项目实施方案》的公告材料
深圳市宝安区城市更新和土地整备局
2021年8月24日
附件下载：
附件：深圳市宝安区城市更新和土地整备局关于《宝安区凤凰社区土地整备利益统筹项目实施方案》的公告材料.pdf
描述
DRV10983 是一款具有集成功率 MOSFET 的三相无传感器电机驱动器，可提供高达 2A的持续驱动电流。该器件专为成本敏感型、低噪声、低外部组件数量 应用而设计。
DRV10983采用专有无传感器控制方案来提供持续正弦驱动，可大幅降低换向过程中通常会产生的纯音。该器件的接口设计简单而灵活。可直接通过 PWM、模拟、或I2C 输入控制电机。可通过 FG 引脚或 I2C 提供电机速度反馈。
DRV10983 具有 一个集成降压/线性稳压器，可高效地将电源电压降至 5V 或 3.3V，从而为内外部电路供电。该器件提供睡眠模式和待机模式两种型号，可在电机停止运转时实现节能。待机模式 (3mA)型号会使稳压器保持运行，而休眠模式 (180µA) 型号会使稳压器停止工作。在使用稳压器 为外部 微控制器供电的应用中使用待机模式型号。
用户可通过 I2C 接口对寄存器中的特定电机参数进行重新编程并可对 EEPROM进行编程，以帮助优化既定应用的性能。DRV10983 采用带有外露散热焊盘的高效散热型 HTSSOP 24 引脚封装。额定工作温度范围为 -40°C 至+125°C。 FAE:壹叁叁 零贰肆陆 玖柒肆玖 QQ：2851925017张R
特性
• 输入电压范围：8 至 28V
• 总驱动器 H + L rDS(on)：250mΩ
• 驱动电流：2A 持续绕组电流（峰值3A）
• 无传感器专有反电动势 (BEMF) 控制方案
• 连续正弦 180° 换向
• 无需外部感测电阻
• 用户可通过添加外部感应电阻以灵活监视为电机提供的功率
• 灵活的用户接口选项：
• I2C 接口：访问命令和反馈寄存器
• 专用的 SPEED 引脚：接受模拟或 PWM 输入
• 专用的 FG 引脚：提供 TACH 反馈
• 可通过 EEPROM 定制旋转曲线
• 使用 DIR 引脚进行正向/反向控制
• 集成了降压稳压器，可高效地为内部和外部电路提供电压 (5V 或 3.3V)
• 电源电流为 3mA 待机型号 (DRV10983)
• 电源电流为 180 µA 睡眠型号 (DRV10983Z)
• 过流保护
• 锁定检测
• 电压浪涌保护
• 欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 热关断保护
• 耐热增强型 24 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP)
DRV10983 是一款具有集成功率 MOSFET 的三相无传感器电机驱动器，可提供高达 2A的持续驱动电流。该器件专为成本敏感型、低噪声、低外部组件数量 应用而设计。
DRV10983采用专有无传感器控制方案来提供持续正弦驱动，可大幅降低换向过程中通常会产生的纯音。该器件的接口设计简单而灵活。可直接通过 PWM、模拟、或I2C 输入控制电机。可通过 FG 引脚或 I2C 提供电机速度反馈。
DRV10983 具有 一个集成降压/线性稳压器，可高效地将电源电压降至 5V 或 3.3V，从而为内外部电路供电。该器件提供睡眠模式和待机模式两种型号，可在电机停止运转时实现节能。待机模式 (3mA)型号会使稳压器保持运行，而休眠模式 (180µA) 型号会使稳压器停止工作。在使用稳压器 为外部 微控制器供电的应用中使用待机模式型号。
用户可通过 I2C 接口对寄存器中的特定电机参数进行重新编程并可对 EEPROM进行编程，以帮助优化既定应用的性能。DRV10983 采用带有外露散热焊盘的高效散热型 HTSSOP 24 引脚封装。额定工作温度范围为 -40°C 至+125°C。 FAE:壹叁叁 零贰肆陆 玖柒肆玖 QQ：2851925017张R
特性
• 输入电压范围：8 至 28V
• 总驱动器 H + L rDS(on)：250mΩ
• 驱动电流：2A 持续绕组电流（峰值3A）
• 无传感器专有反电动势 (BEMF) 控制方案
• 连续正弦 180° 换向
• 无需外部感测电阻
• 用户可通过添加外部感应电阻以灵活监视为电机提供的功率
• 灵活的用户接口选项：
• I2C 接口：访问命令和反馈寄存器
• 专用的 SPEED 引脚：接受模拟或 PWM 输入
• 专用的 FG 引脚：提供 TACH 反馈
• 可通过 EEPROM 定制旋转曲线
• 使用 DIR 引脚进行正向/反向控制
• 集成了降压稳压器，可高效地为内部和外部电路提供电压 (5V 或 3.3V)
• 电源电流为 3mA 待机型号 (DRV10983)
• 电源电流为 180 µA 睡眠型号 (DRV10983Z)
• 过流保护
• 锁定检测
• 电压浪涌保护
• 欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 热关断保护
• 耐热增强型 24 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP)
TPS22913CYZVR通道金属氧化物半导体场效应晶体管 TI德州仪器
描述
TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 均为具有受控接通功能的小型、低 rON 负载开关。此器件包括一个 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可在 1.4V 至 5.5V 的输入电压范围内运行。此开关由一个开/关输入 (ON) 控制，该输入能够与低压通用输入输出 (GPIO) 控制信号直接对接。
TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 器件在接通和关断状态下均能提供反向电流保护。当输出电压（V输出）被 VRCP 驱动至高于输入电压（V输入）时，内部反向电压比较器将禁用此电源开关以快速（典型值为 10µs）停止流向此开关输入端的电流。反向电流保护一直有效，即便当电源开关被禁用时也是如此。此外，如果此输入电压过低，欠压闭锁 (UVLO) 保护会将此开关关闭。
TPS22913B/C 包含一个 150Ω 片上负载电阻器，用于在此开关被关闭时进行快速输出放电。
此系列器件提供了多种转换率选项以避免浪涌电流问题（详细信息请参见），并且采用超小型、节省空间的 4 引脚晶圆级芯片规模封装 (WCSP) 封装，自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。TEL:壹叁叁 零贰肆陆 玖柒肆玖 QQ：2851925017 张R
特性
• 集成单负载开关
• 四引脚晶圆级芯片规模封装（标称尺寸）
- 0.9mm × 0.9mm，0.5mm 间距，0.5mm 高度 (YZV)
• 输入电压范围：1.4V 至 5.5V
• 低导通电阻
- 在 VIN = 5V 时，r导通 = 60mΩ
• 在 VIN = 3.3V 时，r导通 = 61mΩ
• 在 VIN = 1.8V 时，r导通 = 74mΩ
• 在 VIN = 1.5V 时，r导通 = 84mΩ
• 2A 最大持续开关电流
• 低阈值控制输入
• 受控转换率
• 欠压闭锁
• 全时反向电流保护
• 快速输出放电晶体管（TPS22913B/C 器件）
应用范围
- 笔记本计算机和 超极本
• 平板电脑和机顶盒
• 便携式工业/医疗设备
• 便携式媒体播放器
• 销售点终端
• 全球卫星定位系统 (GPS) 导航器件
• 数码摄像机
• 便携式仪表
• 智能电话 / 无线手持终端
描述
TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 均为具有受控接通功能的小型、低 rON 负载开关。此器件包括一个 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可在 1.4V 至 5.5V 的输入电压范围内运行。此开关由一个开/关输入 (ON) 控制，该输入能够与低压通用输入输出 (GPIO) 控制信号直接对接。
TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 器件在接通和关断状态下均能提供反向电流保护。当输出电压（V输出）被 VRCP 驱动至高于输入电压（V输入）时，内部反向电压比较器将禁用此电源开关以快速（典型值为 10µs）停止流向此开关输入端的电流。反向电流保护一直有效，即便当电源开关被禁用时也是如此。此外，如果此输入电压过低，欠压闭锁 (UVLO) 保护会将此开关关闭。
TPS22913B/C 包含一个 150Ω 片上负载电阻器，用于在此开关被关闭时进行快速输出放电。
此系列器件提供了多种转换率选项以避免浪涌电流问题（详细信息请参见），并且采用超小型、节省空间的 4 引脚晶圆级芯片规模封装 (WCSP) 封装，自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。TEL:壹叁叁 零贰肆陆 玖柒肆玖 QQ：2851925017 张R
特性
• 集成单负载开关
• 四引脚晶圆级芯片规模封装（标称尺寸）
- 0.9mm × 0.9mm，0.5mm 间距，0.5mm 高度 (YZV)
• 输入电压范围：1.4V 至 5.5V
• 低导通电阻
- 在 VIN = 5V 时，r导通 = 60mΩ
• 在 VIN = 3.3V 时，r导通 = 61mΩ
• 在 VIN = 1.8V 时，r导通 = 74mΩ
• 在 VIN = 1.5V 时，r导通 = 84mΩ
• 2A 最大持续开关电流
• 低阈值控制输入
• 受控转换率
• 欠压闭锁
• 全时反向电流保护
• 快速输出放电晶体管（TPS22913B/C 器件）
应用范围
- 笔记本计算机和 超极本
• 平板电脑和机顶盒
• 便携式工业/医疗设备
• 便携式媒体播放器
• 销售点终端
• 全球卫星定位系统 (GPS) 导航器件
• 数码摄像机
• 便携式仪表
• 智能电话 / 无线手持终端
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