3个月前三星发布了UFS 4.0芯片,三星的发言人在昨天的闪存峰会上说计划本月量产,基本就是花样预告下一代旗舰平台的机子会用上。
回顾一下三星UFS 4.0参数:使用三星第七代V-NAND和新的主控,最高能达到4200MB/s持续读取和2800MB/s持续写入。电源效率也有大幅提高,说每mA提供6MB/s的读取速度,比上代提高46%。最高将提供1TB的容量。
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【三星宣布旗下 UFS 4.0 闪存本月量产:提供两倍于 UFS 3.1 的每通道速度】
今天三星电子在圣克拉拉(加利福尼亚)会议中心举行的 2022 年闪存峰会上宣布,在 5 月份开发的业界首个 UFS 4.0 移动存储,计划在本月进入量产。
三星称,新的 UFS 4.0 闪存将成为旗舰智能手机的关键部件,以后还将用于移动设备、VR 和 AR 设备。根据此前三星公布的信息,三星 UFS 4.0 闪存提供每通道高达 23.2Gbps 的速度,是三星前代产品 UFS 3.1 的两倍。借助三星第 7 代 V-NAND 技术和专有的控制器,UFS 4.0 将提供 4200MB/s的顺序读取速度和 2800MB/s的顺序写入速度。
同时,UFS 4.0 的能效也得到了提高,UFS 4.0 将提供每 mA(毫安)6.0MB/s的顺序读取速度,比上一代提高了 46%,因此,在消耗同等电量下,用户可以传输更多数据。
三星指出,为了实现更有效的空间利用和设计便利,UFS 4.0 将采用尺寸为 11 毫米 x13 毫米 x1 毫米的紧凑型封装,并将提供可达 1TB 的各种容量选择。
今天三星电子在圣克拉拉(加利福尼亚)会议中心举行的 2022 年闪存峰会上宣布,在 5 月份开发的业界首个 UFS 4.0 移动存储,计划在本月进入量产。
三星称,新的 UFS 4.0 闪存将成为旗舰智能手机的关键部件,以后还将用于移动设备、VR 和 AR 设备。根据此前三星公布的信息,三星 UFS 4.0 闪存提供每通道高达 23.2Gbps 的速度,是三星前代产品 UFS 3.1 的两倍。借助三星第 7 代 V-NAND 技术和专有的控制器,UFS 4.0 将提供 4200MB/s的顺序读取速度和 2800MB/s的顺序写入速度。
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三星指出,为了实现更有效的空间利用和设计便利,UFS 4.0 将采用尺寸为 11 毫米 x13 毫米 x1 毫米的紧凑型封装,并将提供可达 1TB 的各种容量选择。
英国创意艺术大学已经满位的硕士课程:
MBM Global Master of Business & Management;
MA/MSc Human Resource Management for the Creative Industries;
MA/MSc Global Marketing & Communications;
MA Design Innovation & Brand Management;
MA/MSc Fashion Business & Management;
MBA Master Business Administration;
MA/MSc Luxury Business Management。
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