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Day5
《半导体制造技术》读书笔记
第9章 集成电路制造工艺概况
1.CMOS工艺流程.
CMOS工艺流程中的主要制造步骤
硅片制造厂的分区概述
2.CMOS制作步骤.
双阱工艺:n阱的形成、p阱的形成
浅槽隔离工艺:STI槽刻蚀、STI氧化物填充、STI氧化层抛光-氮化物去除
多晶硅栅结构工艺:栅氧化层的生长、多晶硅淀积、第四层掩膜,多晶硅栅、多晶硅栅刻蚀
轻掺杂漏(LDD)工艺:n-轻掺杂漏注入、p-轻掺杂漏注入
侧墙的形成:淀积二氧化硅、二氧化硅反刻
源/漏(S/D)注入工艺:n+源/漏注入、p+源/漏注入
接触孔的形成
局部互连工艺:氮化硅化学气相淀积、掺杂氧化物的化学气相淀积、氧化层抛光(CMP)、第九层掩膜,局部互连刻蚀、金属钛淀积(PVD工艺)、氮化钛淀积、钨淀积(化学气相淀积工艺平坦化)、磨抛钨
通孔1和金属塞1的形成
金属1互连的形成
通孔2和金属塞2的形成
金属2互连的形成
制作金属3直到制作压点及合金
参数测试
参考文献:
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:64187-209
Day5
《半导体制造技术》读书笔记
第9章 集成电路制造工艺概况
1.CMOS工艺流程.
CMOS工艺流程中的主要制造步骤
硅片制造厂的分区概述
2.CMOS制作步骤.
双阱工艺:n阱的形成、p阱的形成
浅槽隔离工艺:STI槽刻蚀、STI氧化物填充、STI氧化层抛光-氮化物去除
多晶硅栅结构工艺:栅氧化层的生长、多晶硅淀积、第四层掩膜,多晶硅栅、多晶硅栅刻蚀
轻掺杂漏(LDD)工艺:n-轻掺杂漏注入、p-轻掺杂漏注入
侧墙的形成:淀积二氧化硅、二氧化硅反刻
源/漏(S/D)注入工艺:n+源/漏注入、p+源/漏注入
接触孔的形成
局部互连工艺:氮化硅化学气相淀积、掺杂氧化物的化学气相淀积、氧化层抛光(CMP)、第九层掩膜,局部互连刻蚀、金属钛淀积(PVD工艺)、氮化钛淀积、钨淀积(化学气相淀积工艺平坦化)、磨抛钨
通孔1和金属塞1的形成
金属1互连的形成
通孔2和金属塞2的形成
金属2互连的形成
制作金属3直到制作压点及合金
参数测试
参考文献:
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:64187-209
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Day4
《半导体制造技术》读书笔记
第4章 硅和硅片制备
1.半导体级硅.
高纯硅SGS
晶体结构(对比非晶材料)
晶胞
多晶和单晶结构
晶向单晶硅生长:CZ法、区熔法
硅中的晶体缺陷:点缺陷、位错、层错
外延层
2.硅片制备.
整型处理
切片
磨片和倒角
刻蚀
抛光:CMP、DSP
清洗
硅片评估
包装
3.质量测量
物理尺寸
平整度
微粗糙度
含氧量
具体缺陷
颗粒
体电阻率
参考文献:
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:64-83
Day4
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第4章 硅和硅片制备
1.半导体级硅.
高纯硅SGS
晶体结构(对比非晶材料)
晶胞
多晶和单晶结构
晶向单晶硅生长:CZ法、区熔法
硅中的晶体缺陷:点缺陷、位错、层错
外延层
2.硅片制备.
整型处理
切片
磨片和倒角
刻蚀
抛光:CMP、DSP
清洗
硅片评估
包装
3.质量测量
物理尺寸
平整度
微粗糙度
含氧量
具体缺陷
颗粒
体电阻率
参考文献:
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:64-83
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Day3
《半导体制造技术》读书笔记
第3章 器件技术
1.电子器件.
通用的微芯片器件
电路类型:数字电路、模拟电路
无源元件结构
有源元件结构
2.CMOS器件.
电荷载流子的分类
根据流经材料电流的不同:导体、绝缘体、半导体
电导率与电阻率
电容和介电常数
3.集成电路产品
线性集成电路产品
数字集成电路产品
参考文献:
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:41-63
Day3
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第3章 器件技术
1.电子器件.
通用的微芯片器件
电路类型:数字电路、模拟电路
无源元件结构
有源元件结构
2.CMOS器件.
电荷载流子的分类
根据流经材料电流的不同:导体、绝缘体、半导体
电导率与电阻率
电容和介电常数
3.集成电路产品
线性集成电路产品
数字集成电路产品
参考文献:
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:41-63
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