在高通转投台积电并发布骁龙8 Plus Gen 1后,人们认为该芯片制造商和三星不会就未来的合作关系达成一致。不过,随着三星的3纳米GAA工艺在下周进入试生产阶段,两家公司之间的业务关系可能仍在计划之中。这意味着高通可能会给三星芯片订单,在其3纳米GAA工艺上进行大规模生产,前提是它能够实现不拖延地维持量产。
https://t.cn/A6atB34T
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【三星电子开启3纳米量产时代 与台积电英特尔上演芯片“三国杀”[冲刺]】据半导体业界消息,#三星电子# 将于本周宣布量产3纳米芯片,下一代3纳米芯片将采用环绕闸极技术(Gate-All-Around,GAA),三星成为全球首家量产3纳米芯片的代工厂商。
三星抢先台积电率先拿下3纳米的高地,预计将对全球芯片市场产生极大的影响。这标志着三星电子不仅在技术能力上居全球最高水平,在晶圆代工领域也有望摆脱“万年老二”的名号,缩小与台积电的差距。
目前全球具备量产10纳米以下制程芯片实力的只有台积电和三星电子两家,在高端制程上竞争异常激烈,但台积电一直占据上风。半导体市场调查机构IC Insights发布的数据显示,截至2020年底,全球10纳米以下芯片制程中,台积电产能占比62.8%,三星电子为37.2%。但三星电子抢先台积电率先量产3纳米后,将有利于争抢高端芯片代工市场的份额。
为赶超台积电,三星电子加码押注GAA技术,GAA是改善半导体电晶体结构的新一代制程技术,让闸极能够接触电晶体的四个侧面,目前鳍式场效电晶体(FinFET)只能接触电晶体三个侧面,GAA技术可使芯片面积减少45%,性能提高30%,功耗降低50%,更加精准地控制电流。三星电子于本月初将晶圆置于3纳米GAA制程中进行试量产,全球率先将GAA技术应用于3纳米制程。目前推测台积电最快于下半年实现3纳米量产,仍采用FinFET工艺。
业界预测,如果三星电子可以在基于GAA的3纳米制程中确保稳定的良率,全球代工市场的游戏规则将被改写,台积电预计从2纳米芯片制程起引入GAA技术,并在2026年发布首款产品,未来三年对三星电子来说将十分关键。
三星虽然领先台积电实现3纳米芯片量产,但绝非高枕无忧。三星和台积电在提高3纳米制程良率问题上均面临困难,产品良率低于客户要求,或拖累量产进程。
就在三星电子和台积电两分天下之时,曾经的半导体帝国英特尔也将从明年起重新入局高端制程市场。英特尔的7纳米级和准3纳米工艺“英特尔4”将于明年上半年正式商用,英特尔还制定了在2024年底先于台积电和三星电子量产18A制程的计划。目前英特尔位于爱尔兰的Fab 34项目已投入首批阿斯麦尔生产的EUV光刻机,为下半年英特尔4工艺量产做准备。业内不少专家预测,从2024年起台积电工艺将开始走下坡路,英特尔或成功翻盘,重返半导体霸主地位。
三星抢先台积电率先拿下3纳米的高地,预计将对全球芯片市场产生极大的影响。这标志着三星电子不仅在技术能力上居全球最高水平,在晶圆代工领域也有望摆脱“万年老二”的名号,缩小与台积电的差距。
目前全球具备量产10纳米以下制程芯片实力的只有台积电和三星电子两家,在高端制程上竞争异常激烈,但台积电一直占据上风。半导体市场调查机构IC Insights发布的数据显示,截至2020年底,全球10纳米以下芯片制程中,台积电产能占比62.8%,三星电子为37.2%。但三星电子抢先台积电率先量产3纳米后,将有利于争抢高端芯片代工市场的份额。
为赶超台积电,三星电子加码押注GAA技术,GAA是改善半导体电晶体结构的新一代制程技术,让闸极能够接触电晶体的四个侧面,目前鳍式场效电晶体(FinFET)只能接触电晶体三个侧面,GAA技术可使芯片面积减少45%,性能提高30%,功耗降低50%,更加精准地控制电流。三星电子于本月初将晶圆置于3纳米GAA制程中进行试量产,全球率先将GAA技术应用于3纳米制程。目前推测台积电最快于下半年实现3纳米量产,仍采用FinFET工艺。
业界预测,如果三星电子可以在基于GAA的3纳米制程中确保稳定的良率,全球代工市场的游戏规则将被改写,台积电预计从2纳米芯片制程起引入GAA技术,并在2026年发布首款产品,未来三年对三星电子来说将十分关键。
三星虽然领先台积电实现3纳米芯片量产,但绝非高枕无忧。三星和台积电在提高3纳米制程良率问题上均面临困难,产品良率低于客户要求,或拖累量产进程。
就在三星电子和台积电两分天下之时,曾经的半导体帝国英特尔也将从明年起重新入局高端制程市场。英特尔的7纳米级和准3纳米工艺“英特尔4”将于明年上半年正式商用,英特尔还制定了在2024年底先于台积电和三星电子量产18A制程的计划。目前英特尔位于爱尔兰的Fab 34项目已投入首批阿斯麦尔生产的EUV光刻机,为下半年英特尔4工艺量产做准备。业内不少专家预测,从2024年起台积电工艺将开始走下坡路,英特尔或成功翻盘,重返半导体霸主地位。
下週,三星電子有望宣布量產 3 納米半導體,在先進芯片製造工藝上超越競爭對手台積電。
甚至
下一代 3nm 芯片將基於全球網關技術 (GAA) 構建,三星表示,與當前的 FinFET 技術相比,該技術可節省高達 45% 的空間,同時提供 30% 的性能提升和 50% 的功耗降低。 治療。 這篇文章中的更多細節
https://t.cn/A6aUFoH3
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