【IWAPS】多焦成像改善焦深: 在ArF浸没式光刻中的原理及应用
来自ASML的Will Conley介绍了一种通过选择来自ArF光源的波长来提升DoF值的“多焦成像”技术(multi-focal imaging, MFI)。MFI技术能够针对特定的DoF需求进行调整,以确定所需的波长分离量。
该技术创建了两个焦面位置。通过可开启/关闭的波长“抖动(dithering)”方法,从而消除任何潜在的光刻机对准问题。使用固定光源和掩模进行初步仿真模拟,结果表明,DoF值随波长分离得到提升。在晶圆上的单次曝光数据也已证实了DoF的改进。
来自ASML的Will Conley介绍了一种通过选择来自ArF光源的波长来提升DoF值的“多焦成像”技术(multi-focal imaging, MFI)。MFI技术能够针对特定的DoF需求进行调整,以确定所需的波长分离量。
该技术创建了两个焦面位置。通过可开启/关闭的波长“抖动(dithering)”方法,从而消除任何潜在的光刻机对准问题。使用固定光源和掩模进行初步仿真模拟,结果表明,DoF值随波长分离得到提升。在晶圆上的单次曝光数据也已证实了DoF的改进。
【IWAPS】下一代ArF光源 “GT65A”:为先进浸没式光刻提升可用性和性能
来自Gigaphoton的Tommy Oga介绍了下一代ArF光源 “GT65A”。ArF浸没式光刻是一项具有前景的光刻技术,能够满足严格的工艺控制要求,同时提供高效的产率。下一代光源的研发目标是能进一步提高芯片的产量、满足可制造性。E95%带宽是光源的关键参数。较低的E95%带宽能够提高成像对比度,从而在晶圆上实现更高的CD均匀性。
报告介绍了最新的线宽压窄模块(line narrowing module,LNM),该模块能够减少光学元件和机械部件在激光照射期间的热效应,将E95%带宽从标准的300fm减小到200fm。此外,LNM中的新型光学设计使其的使用寿命从60 Bpls延长到110 Bpls。因此,GT65A能够最大程度地提高提高生产效率,为芯片制造商提供最佳的运营成本。
来自Gigaphoton的Tommy Oga介绍了下一代ArF光源 “GT65A”。ArF浸没式光刻是一项具有前景的光刻技术,能够满足严格的工艺控制要求,同时提供高效的产率。下一代光源的研发目标是能进一步提高芯片的产量、满足可制造性。E95%带宽是光源的关键参数。较低的E95%带宽能够提高成像对比度,从而在晶圆上实现更高的CD均匀性。
报告介绍了最新的线宽压窄模块(line narrowing module,LNM),该模块能够减少光学元件和机械部件在激光照射期间的热效应,将E95%带宽从标准的300fm减小到200fm。此外,LNM中的新型光学设计使其的使用寿命从60 Bpls延长到110 Bpls。因此,GT65A能够最大程度地提高提高生产效率,为芯片制造商提供最佳的运营成本。
【IWAPS】用于半导体器件制造的纳米压印系统最新进展
来自Canon的Keita Sakai(左上)的报告指出纳米压印光刻(Nanoimprint lithography, NIL)制造设备使用了一种图形化技术,通过喷射技术在基板上沉积低黏度抗蚀剂并将其曝光。首先图形掩模被放入到液态的光刻胶中,由于毛细作用液体会迅速填充到掩模中的缝隙。液体填充后,光刻胶在紫外线辐射下交联固化,然后去除掩模,从而在基板上留下图形化后的光刻胶。与投影光刻设备相比,该技术能够忠实地再现更高分辨率和均匀性的图形。此外,由于该技术不需要大口径透镜阵列和昂贵光源,因此纳米压印设备实现了更简单,更紧凑的设计,可将多个单元组合在一起以提高生产率。
本工作改进了纳米压印设备中的对准系统以及高阶畸变校正(High Order Distortion Correction, HODC)系统,使测试晶圆和器件晶圆都具有更好的抗畸变和对准效果。本文还讨论了图案化属性和成本。纳米压印光刻技术的分辨率和线宽粗糙度不受传统投影光刻方法的限制。介绍了20nm密集通孔的成本示例。由于纳米压印光刻技术采用单步图案化方法,因此与ArF浸没式光刻法相比,工艺成本大大降低。总体而言,纳米压印光刻技术目前实现了28%的成本优势,但是随着掩模寿命的不断提高,其成本优势变得更加显著。
来自Canon的Keita Sakai(左上)的报告指出纳米压印光刻(Nanoimprint lithography, NIL)制造设备使用了一种图形化技术,通过喷射技术在基板上沉积低黏度抗蚀剂并将其曝光。首先图形掩模被放入到液态的光刻胶中,由于毛细作用液体会迅速填充到掩模中的缝隙。液体填充后,光刻胶在紫外线辐射下交联固化,然后去除掩模,从而在基板上留下图形化后的光刻胶。与投影光刻设备相比,该技术能够忠实地再现更高分辨率和均匀性的图形。此外,由于该技术不需要大口径透镜阵列和昂贵光源,因此纳米压印设备实现了更简单,更紧凑的设计,可将多个单元组合在一起以提高生产率。
本工作改进了纳米压印设备中的对准系统以及高阶畸变校正(High Order Distortion Correction, HODC)系统,使测试晶圆和器件晶圆都具有更好的抗畸变和对准效果。本文还讨论了图案化属性和成本。纳米压印光刻技术的分辨率和线宽粗糙度不受传统投影光刻方法的限制。介绍了20nm密集通孔的成本示例。由于纳米压印光刻技术采用单步图案化方法,因此与ArF浸没式光刻法相比,工艺成本大大降低。总体而言,纳米压印光刻技术目前实现了28%的成本优势,但是随着掩模寿命的不断提高,其成本优势变得更加显著。
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