总结一下新发布的#vivo Pad# :
性能:骁龙870处理器,标配8GB运存,配合内存融合技术2.0,最高可扩展为12GB等效运存效果
系统:搭载基于OriginOS打造的OriginOS HD安卓平板系统,基于OriginOS打造,实现了内容跨屏、任务跨屏接力,更稳定、更好用。
影音:11英寸2.5K 120Hz原色屏,配合Multi-Turbo可对主流游戏适配90/120帧模式,四声道超线性扬声器,扬声器具备0.7mm超大振幅,支持杜比全景声,同时具备莱茵全局护眼认证2.0、硬件级防蓝光和自适应色温调节,配合系统级AI护眼提醒
材质:全金属机身,重量为489g,最薄处6.55mm。
电池:8040mAh电池,搭配44W闪充,连续移动办公最长可达15小时
其他:采用自主研发的投屏协议,可实现在vivo Pad上直接操控手机、相互拖放文件。智能触控键盘集成一块面积为5736mm²的超大触摸板,同时支持4096级压感的触控笔
价格:8GB+128GB和8GB+256GB价格分别为2499元和2999元,预售限时优惠价分别为2299元和2899元
就还有点香啊[吃瓜]
性能:骁龙870处理器,标配8GB运存,配合内存融合技术2.0,最高可扩展为12GB等效运存效果
系统:搭载基于OriginOS打造的OriginOS HD安卓平板系统,基于OriginOS打造,实现了内容跨屏、任务跨屏接力,更稳定、更好用。
影音:11英寸2.5K 120Hz原色屏,配合Multi-Turbo可对主流游戏适配90/120帧模式,四声道超线性扬声器,扬声器具备0.7mm超大振幅,支持杜比全景声,同时具备莱茵全局护眼认证2.0、硬件级防蓝光和自适应色温调节,配合系统级AI护眼提醒
材质:全金属机身,重量为489g,最薄处6.55mm。
电池:8040mAh电池,搭配44W闪充,连续移动办公最长可达15小时
其他:采用自主研发的投屏协议,可实现在vivo Pad上直接操控手机、相互拖放文件。智能触控键盘集成一块面积为5736mm²的超大触摸板,同时支持4096级压感的触控笔
价格:8GB+128GB和8GB+256GB价格分别为2499元和2999元,预售限时优惠价分别为2299元和2899元
就还有点香啊[吃瓜]
【40s准备时间不够用怎么办】
模考51提到75的同学经验:
我还是会像以前一样从头到尾这样念一遍,但是区别在于比较熟悉(简单)的地方就会默读,不会念出声音,这样会更快一点。一般一个句子大概有2-5个比较绕口的单词或者短语,这种地方就快速念两遍。对简单和中等难度的句子都可以这样处理,实在不会就跳过或者读一半音节替代(例如multi-),主要是追求不卡顿+连贯性,不追求100%的单词准确性。
#PTE口语[超话]##PTE##影子三千案例#
模考51提到75的同学经验:
我还是会像以前一样从头到尾这样念一遍,但是区别在于比较熟悉(简单)的地方就会默读,不会念出声音,这样会更快一点。一般一个句子大概有2-5个比较绕口的单词或者短语,这种地方就快速念两遍。对简单和中等难度的句子都可以这样处理,实在不会就跳过或者读一半音节替代(例如multi-),主要是追求不卡顿+连贯性,不追求100%的单词准确性。
#PTE口语[超话]##PTE##影子三千案例#
说实话我这水平也就拧拧螺丝接个线头啥的,这几纳米几纳米是真心不懂啊[裂开][允悲][苦涩]
三星的晶圆代工部门最近负面不断,此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率,以致于高通这样的VIP客户都要出走,重新使用台积电生产骁龙8处理器。不过从技术上来说,三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂。
虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些,但在接下来的3nm节点三星更激进,要全球首发GAA晶体管工艺,放弃FinFET晶体管技术,而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。
三星之前表示,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。
根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
当然,这些还是纸面上的,三星的3nm工艺挑战也不少,光是量产就是个问题,之前三星宣传2021年就量产,实际上并没有,最快也是今年,而且首发的是3GAE低功耗工艺,高性能的3GAP工艺至少要2023年了。
据韩国媒体报道,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了,6、7月份动工,并及时导入设备。
按照这个进度,今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产,大规模量产也要到明年了,跟台积电的3nm工艺差不多,两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。
三星的晶圆代工部门最近负面不断,此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率,以致于高通这样的VIP客户都要出走,重新使用台积电生产骁龙8处理器。不过从技术上来说,三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂。
虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些,但在接下来的3nm节点三星更激进,要全球首发GAA晶体管工艺,放弃FinFET晶体管技术,而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。
三星之前表示,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。
根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
当然,这些还是纸面上的,三星的3nm工艺挑战也不少,光是量产就是个问题,之前三星宣传2021年就量产,实际上并没有,最快也是今年,而且首发的是3GAE低功耗工艺,高性能的3GAP工艺至少要2023年了。
据韩国媒体报道,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了,6、7月份动工,并及时导入设备。
按照这个进度,今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产,大规模量产也要到明年了,跟台积电的3nm工艺差不多,两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。
✋热门推荐