艾灸会阴穴的妙处，好处数不清，男女都适用！
中医认为:
海底不开，任督难通。
李时珍说：
“此脉才动，百脉俱通”。
海底一开，百穴皆开；
中脉一通，百脉俱通。
会阴穴是人体任脉上的要穴，为人体长寿要穴。
会阴，顾名思义就是阴经脉气交会之所。此穴与人体头顶的百会穴为一直线，是人体精气神的通道。百会为阳接天气，会阴为阴收地气，二者互相依存，相似相应，统摄着真气在任督二脉上的正常运行，维持体内阴阳气血的平衡，它是人体生命活动的要害部位。
密 宗 认 为
密宗认为：它贯通全身气脉之要隘
人体的某处眠伏着一条威力巨大的灵蛇，成三蜷半之形，其头向下垂落。一旦唤醒灵蛇，它就会喷发出一股强盛的“灵热”（又称拙火、灵力），使人得到健康的身体和过人的精力，还会出现不可思议的各种功能。
故瑜珈云：“ 如果领悟了这火的秘密，这种人才是真正的觉者。”
道 家 认 为
道家宗师张紫阳在《八脉经》云：“此一脉，散在丹经，上通泥丸，下透涌泉。真气聚散，皆从此关窍尻脉周流，一身贯通。和气上朝，阳长阴消，水中火发，雪里花开。天根月窟闲来往，三十六宫都是春。得之者，身体康强，容颜返壮。在坤地尾闾之前，膀胱之后，小肠之下，灵龟之上。此乃天地逐日生气之根，产铅之地也。”
道教龙门派千峰老人赵避尘所著《性命法诀明指》一书，则详细介绍了开通奇经八脉的十个步骤，其每一步骤都围绕此穴为核心进行，使气沿八脉上下、前后运转，故称此穴为八脉之总根。
道家还认为此穴似一扇铁门，九箭难穿。只要开启海底，展窍、开关也就不难了。
艾灸会阴
经常艾灸会阴穴，能疏通体内脉结，促进阴阳之气的交接与循环，对调节生理和生殖功能有独特的作用。
艾灸会阴穴，还可治疗痔疮、便血、便秘、脱肛、肛周脓肿、白带异常、阴道脱垂及其它妇科病、尿频、前列腺炎等症。
艾灸会阴穴的神奇功效
会阴穴功能记录中，其中以下数项为数年间实施此灸法后已经验证有这些功效：
1、清实热；
2、回阳（即扶阳）；
3、醒神；
4、调经健肾；
5、泌尿生殖器疾患；
6、大便不通；
7、阴部炎；
8、阴部多湿证；
9、阴痒；
10、月经痛。
会阴穴，一穴开百穴开
坐灸是用艾熏臀部会阴区，艾烟里的精油物质能充分接触人体，让药力直达病灶，通经活络，调理内部细胞环境，调和气血改善机体功能，增强免疫力。
不仅能改善子宫卵巢、阴道、尿道、前列腺等部位的血液循环及功能，又能消除各种妇科炎症、前列腺炎、性功能障碍，痔疮等带来的痛苦，还能美容祛斑养颜！
【坐灸原理】坐灸可直接作用于会阴部的长强穴和会阴穴，这两个穴位都是功效强大的穴位。
会阴穴是任脉的重要穴，人体正中央线行，是清湿热、回阳、醒神、调经健肾、大惊镇静的大穴；
长强穴是督脉的起始穴，有强壮全身阳气的功能，又是督脉的络穴（即帮助阴经和阳经互相沟通）的联络穴。
督脉通过长强穴联络任脉的会阴穴，由此可见此二穴沟通任督二脉，也就因其特殊的位置，决定它调节身体健康的重要功能。坐灸此二穴，快速补充阳气的功效不可思议，很快就全身发热冒汗，排出寒湿等病邪！
【坐灸方法】很简单，不用找穴位，把艾条点燃，放置在坐灸器上，坐在上面即可施灸。
【提醒】艾烟是往上走的，不论您使用何种坐灸仪器，都有可能熏黄皮肤，建议隔一层棉布或者穿着内衣熏灸。
艾灸热力药效深达肌层，全面调节人体机能，直达病灶！坚持艾灸还可增强免疫力，升阳固脱，补充阳气，祛除湿气，通经活络，全面调理人的气血平衡！
中医学有“病在上则治在下”的说法，坐灸就是适合于这种理论的疗法，皮肤不好、肥胖的女性在使用坐灸后，能够改善生理而自然地减肥、皮肤也变的光滑。
坐灸——能防病，可瘦身，会养颜！
1、改善血液循环：艾灸能够温暖寒冷的下腹部和改善血液循环，所以能够使用于月经痛、月经不调、带下等女性疾患。同时能够改善肠壁的血液循环，所以具有消除便秘和宿便的功效。
2、缓解痛症：改善下腹部的血液循环和促进淋巴液循环，缓解月经痛、下腹部痛、腰痛、神经痛等。
3、杀菌消炎作用：超强的杀菌消炎的作用力将直接影响患部而时常能够保持清洁，有助于改善女性疾患（阴部瘙痒、带下、外阴部臭味）、肛门疾患（痔疮、痔漏、脱肛）、前列腺疾患等。
4、收缩作用：使用于产后时有助于生育所导致的子宫及阴道的收缩。
5、美容瘦身作用：坐灸能沟通任督二脉和冲脉，经脉畅通、气血充盈后，自然对皮肤有很好的滋养作用。坐灸排寒湿的作用非常好，祛除寒湿后人体消化和循环系统能健康运行，想要肥胖也不可能了！
女性的生殖器属于凹陷型，与男性相比感染细菌的几率比较高，坐灸可以解决很多问题！
一、适合坐灸的人：
1、生育后的女性、害怕上厕所的人
2、月经前后希望清洁的人
3、需要经常换内衣的女性
4、便秘和腹部肥胖而辛苦的人
5、有妇科病或男科病的人
6、痔疮或患有肛周疾病的患者
7、体寒怕冷，特别是下体寒湿毒症患者
二、坐灸注意事项 ：
1、坐灸时艾条选择很重要，因为会阴部皮肤娇嫩敏感，所以不要用新艾来坐灸，要选择质量好的陈艾条，其作用温和、后劲强、效果好。
2、因为生殖器的肌肤娇嫩，所以一定要注意温度不能太高，感觉温热舒适即可。初灸者火力不要太猛、艾灸时间也要短，等适应几次后再逐渐延长艾灸时间。
3、急性传染病患者、重症心脏病患者、高血压病患者、重度贫血及头晕患者、动脉硬化患者、妊娠及月经期女性、皮肤有出血倾向的人群，在坐熏前请咨询中医或有家属陪伴，一定要谨慎。
药之不及，针之不到，必须灸之！艾灸虽好，切记不可盲目灸。 https://t.cn/RJ7z7Qn
中医认为:
海底不开，任督难通。
李时珍说：
“此脉才动，百脉俱通”。
海底一开，百穴皆开；
中脉一通，百脉俱通。
会阴穴是人体任脉上的要穴，为人体长寿要穴。
会阴，顾名思义就是阴经脉气交会之所。此穴与人体头顶的百会穴为一直线，是人体精气神的通道。百会为阳接天气，会阴为阴收地气，二者互相依存，相似相应，统摄着真气在任督二脉上的正常运行，维持体内阴阳气血的平衡，它是人体生命活动的要害部位。
密 宗 认 为
密宗认为：它贯通全身气脉之要隘
人体的某处眠伏着一条威力巨大的灵蛇，成三蜷半之形，其头向下垂落。一旦唤醒灵蛇，它就会喷发出一股强盛的“灵热”（又称拙火、灵力），使人得到健康的身体和过人的精力，还会出现不可思议的各种功能。
故瑜珈云：“ 如果领悟了这火的秘密，这种人才是真正的觉者。”
道 家 认 为
道家宗师张紫阳在《八脉经》云：“此一脉，散在丹经，上通泥丸，下透涌泉。真气聚散，皆从此关窍尻脉周流，一身贯通。和气上朝，阳长阴消，水中火发，雪里花开。天根月窟闲来往，三十六宫都是春。得之者，身体康强，容颜返壮。在坤地尾闾之前，膀胱之后，小肠之下，灵龟之上。此乃天地逐日生气之根，产铅之地也。”
道教龙门派千峰老人赵避尘所著《性命法诀明指》一书，则详细介绍了开通奇经八脉的十个步骤，其每一步骤都围绕此穴为核心进行，使气沿八脉上下、前后运转，故称此穴为八脉之总根。
道家还认为此穴似一扇铁门，九箭难穿。只要开启海底，展窍、开关也就不难了。
艾灸会阴
经常艾灸会阴穴，能疏通体内脉结，促进阴阳之气的交接与循环，对调节生理和生殖功能有独特的作用。
艾灸会阴穴，还可治疗痔疮、便血、便秘、脱肛、肛周脓肿、白带异常、阴道脱垂及其它妇科病、尿频、前列腺炎等症。
艾灸会阴穴的神奇功效
会阴穴功能记录中，其中以下数项为数年间实施此灸法后已经验证有这些功效：
1、清实热；
2、回阳（即扶阳）；
3、醒神；
4、调经健肾；
5、泌尿生殖器疾患；
6、大便不通；
7、阴部炎；
8、阴部多湿证；
9、阴痒；
10、月经痛。
会阴穴，一穴开百穴开
坐灸是用艾熏臀部会阴区，艾烟里的精油物质能充分接触人体，让药力直达病灶，通经活络，调理内部细胞环境，调和气血改善机体功能，增强免疫力。
不仅能改善子宫卵巢、阴道、尿道、前列腺等部位的血液循环及功能，又能消除各种妇科炎症、前列腺炎、性功能障碍，痔疮等带来的痛苦，还能美容祛斑养颜！
【坐灸原理】坐灸可直接作用于会阴部的长强穴和会阴穴，这两个穴位都是功效强大的穴位。
会阴穴是任脉的重要穴，人体正中央线行，是清湿热、回阳、醒神、调经健肾、大惊镇静的大穴；
长强穴是督脉的起始穴，有强壮全身阳气的功能，又是督脉的络穴（即帮助阴经和阳经互相沟通）的联络穴。
督脉通过长强穴联络任脉的会阴穴，由此可见此二穴沟通任督二脉，也就因其特殊的位置，决定它调节身体健康的重要功能。坐灸此二穴，快速补充阳气的功效不可思议，很快就全身发热冒汗，排出寒湿等病邪！
【坐灸方法】很简单，不用找穴位，把艾条点燃，放置在坐灸器上，坐在上面即可施灸。
【提醒】艾烟是往上走的，不论您使用何种坐灸仪器，都有可能熏黄皮肤，建议隔一层棉布或者穿着内衣熏灸。
艾灸热力药效深达肌层，全面调节人体机能，直达病灶！坚持艾灸还可增强免疫力，升阳固脱，补充阳气，祛除湿气，通经活络，全面调理人的气血平衡！
中医学有“病在上则治在下”的说法，坐灸就是适合于这种理论的疗法，皮肤不好、肥胖的女性在使用坐灸后，能够改善生理而自然地减肥、皮肤也变的光滑。
坐灸——能防病，可瘦身，会养颜！
1、改善血液循环：艾灸能够温暖寒冷的下腹部和改善血液循环，所以能够使用于月经痛、月经不调、带下等女性疾患。同时能够改善肠壁的血液循环，所以具有消除便秘和宿便的功效。
2、缓解痛症：改善下腹部的血液循环和促进淋巴液循环，缓解月经痛、下腹部痛、腰痛、神经痛等。
3、杀菌消炎作用：超强的杀菌消炎的作用力将直接影响患部而时常能够保持清洁，有助于改善女性疾患（阴部瘙痒、带下、外阴部臭味）、肛门疾患（痔疮、痔漏、脱肛）、前列腺疾患等。
4、收缩作用：使用于产后时有助于生育所导致的子宫及阴道的收缩。
5、美容瘦身作用：坐灸能沟通任督二脉和冲脉，经脉畅通、气血充盈后，自然对皮肤有很好的滋养作用。坐灸排寒湿的作用非常好，祛除寒湿后人体消化和循环系统能健康运行，想要肥胖也不可能了！
女性的生殖器属于凹陷型，与男性相比感染细菌的几率比较高，坐灸可以解决很多问题！
一、适合坐灸的人：
1、生育后的女性、害怕上厕所的人
2、月经前后希望清洁的人
3、需要经常换内衣的女性
4、便秘和腹部肥胖而辛苦的人
5、有妇科病或男科病的人
6、痔疮或患有肛周疾病的患者
7、体寒怕冷，特别是下体寒湿毒症患者
二、坐灸注意事项 ：
1、坐灸时艾条选择很重要，因为会阴部皮肤娇嫩敏感，所以不要用新艾来坐灸，要选择质量好的陈艾条，其作用温和、后劲强、效果好。
2、因为生殖器的肌肤娇嫩，所以一定要注意温度不能太高，感觉温热舒适即可。初灸者火力不要太猛、艾灸时间也要短，等适应几次后再逐渐延长艾灸时间。
3、急性传染病患者、重症心脏病患者、高血压病患者、重度贫血及头晕患者、动脉硬化患者、妊娠及月经期女性、皮肤有出血倾向的人群，在坐熏前请咨询中医或有家属陪伴，一定要谨慎。
药之不及，针之不到，必须灸之！艾灸虽好，切记不可盲目灸。 https://t.cn/RJ7z7Qn
汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
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