中石油的雄起速度,实在是太慢了。在这波国际油价飙升超100美元的过程中,中石油的表现,差强人意。
这波原油价格上涨中,国际资本又成了大赢家。比如,巴菲特老先生最近几周,在二级市场大举买入了美国的西方石油公司。统计显示,2022年年初到最近,巴菲特已经买入西方石油公司公司接近9000万股,持股市值达到了50亿美元左右。
而西方石油公司却是给力。K线显示,从2020年秋天到最近,西方石油公司的股价从8.5美元上涨到了56美元,上涨了7倍多。
而中石油的A股股价,目前在5.8元每股左右,还没有突破去年8月份6.49元的高点,而去年8月份,国际原油的价格,只是现在的一半左右。
中国石油H股的股价,仅在4.28港元。近期,随着国际油价的上涨,大行纷纷给予评级,其中摩根士丹利给予增持评级,目标价格5.68港元,摩根大通给予中石油上调目标价格至5.15港元。
中信证券给予中石油A+H买入评级,H股目标价格5.2港元。
目前,中石油A股价格5.8元人民币,H股价格4.28港元,A股价格溢价率45%左右。照此情况看,不管是参照溢价率,还是大行给出的H股目标价格,中石油A股价格的上涨,似乎仍有压力,不可不察。
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这波原油价格上涨中,国际资本又成了大赢家。比如,巴菲特老先生最近几周,在二级市场大举买入了美国的西方石油公司。统计显示,2022年年初到最近,巴菲特已经买入西方石油公司公司接近9000万股,持股市值达到了50亿美元左右。
而西方石油公司却是给力。K线显示,从2020年秋天到最近,西方石油公司的股价从8.5美元上涨到了56美元,上涨了7倍多。
而中石油的A股股价,目前在5.8元每股左右,还没有突破去年8月份6.49元的高点,而去年8月份,国际原油的价格,只是现在的一半左右。
中国石油H股的股价,仅在4.28港元。近期,随着国际油价的上涨,大行纷纷给予评级,其中摩根士丹利给予增持评级,目标价格5.68港元,摩根大通给予中石油上调目标价格至5.15港元。
中信证券给予中石油A+H买入评级,H股目标价格5.2港元。
目前,中石油A股价格5.8元人民币,H股价格4.28港元,A股价格溢价率45%左右。照此情况看,不管是参照溢价率,还是大行给出的H股目标价格,中石油A股价格的上涨,似乎仍有压力,不可不察。
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涨停缩量洗盘模式
1、首先是1个涨停激活活跃度,如果是2个连板涨停,活跃度更强
2、调整一般是持续缩量调整(必须是持续缩量,这样就能看上资金是在洗盘),持续调整的时间一般3天居多
3、调整必须有支撑,强势支撑是5日线或者缺口或者涨停的收盘价,弱势支撑就是10日线或者涨停开盘价
4、最佳调整是持续缩量调整在涨停价上
5、如果跌破10日线或者跌破涨停开盘价,必须淘汰
6、必须是热门板块或者当下强势板块
7、涨停启动必须是在大盘或者板块强势的时候才会启动,否则还可能继续调整或者直接走弱
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2、调整一般是持续缩量调整(必须是持续缩量,这样就能看上资金是在洗盘),持续调整的时间一般3天居多
3、调整必须有支撑,强势支撑是5日线或者缺口或者涨停的收盘价,弱势支撑就是10日线或者涨停开盘价
4、最佳调整是持续缩量调整在涨停价上
5、如果跌破10日线或者跌破涨停开盘价,必须淘汰
6、必须是热门板块或者当下强势板块
7、涨停启动必须是在大盘或者板块强势的时候才会启动,否则还可能继续调整或者直接走弱
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东方财富证券:功率器件皇冠上的明珠,SiC行业进入黄金期 【本文来自持牌证券机构,不代表平台观点,请独立判断和决策】 东方财富证券指出,SiC材料适用于高压、高频场景,在新能源和光伏推动下,行业进入风口期。 1)SiC高性能材料,适用于高压、高频场景 与Si相比,SiC禁带宽度更大,热导率、击穿电厂强度更高,在高压高频等应用场景具有优势。 与SI器件相比,SiC器件的特性有: ①耐高温,SiC器件的极限工作温度为600℃以上,Si器件不能超过300℃。 ②易散热,SiC材料的热导率是Si的2-3倍,因此SiC器件对散热设计的要求更低。 ③低损耗,相同规格下,SiCMOS的总能量损耗较SiIGBT降低70%。 ④可实现更高的工作频率。 因此SiC器件适用于高频率开关、650V-3.3kV高压场景。目前制约SiC大规模应用的因素是价格,预计随着上游衬底产能逐步释放,良率提高,价格或将逐步降低。 2)SiC市场进入风口期 根据Yole数据,全球SiC功率器件市场规模将从2019年的5.4亿美元增加至2025年的25.6亿美元,CAGR为30%。 根据CASAResearch数据,2020-2025年中国SiC、GaN电力电子器件市场规模CAGR为45%,新能源汽车和光伏储能是SiC功率器件增长的主要推动力。 补能焦虑是新能源汽车阿喀琉斯之踵,汽车800V高压平台技术逐渐冒尖,使用SiC的新能源汽车系统成本或与使用Si器件成本相差不大,因此汽车高压平台涌现促进SiC器件渗透率提升。 此外SiC器件能够促进能源高效转换,在光伏储能领域也起着至关重要作用,CASA预计至2025年光伏逆变器中SiC器件占比将提升至50%。 3)产能扩张+衬底尺寸扩大是未来的趋势 SiC晶圆制造难度较大,全球SiC晶圆供给紧张,美国在SiC晶圆市占率较高,主因发达国家较早布局SiC晶圆片。 各国纷纷布局SiC产业,通过产能扩张和扩大衬底尺寸缓解产能紧平衡的状态,中国也在加大投资力度缩小与国外差距。 中国与全球在SiC产业的差距表现有: ①衬底:目前全球SiC衬底从6吋向8吋逐渐演变,中国SiC商业化衬底以4吋为主,正在逐步向6吋过渡。 ②外延:全球6吋SiC外延已商业化,且研制出8吋产品,而国内基本实现4-6吋外延供给。 ③器件:全球SiC器件电流和电压设计大于中国。 全球量产SiC二极管电压分布在600V-3300V,电流覆盖2A-100A,SiC晶体管量产产品击穿电压主要分布在650V-1700V,导通电流超过100A,推出的SiCMOS最高导通电流和击穿电压分别为140A和6500V。 而中国二极管覆盖电压为650V-1700V,电流达到50A,SiCMOS电压覆盖650V、1200V和1700V。 4)SiC行业技术壁垒较高 SiC衬底成本在SiC器件制造成本中占比较高,目前PVT为主流晶体生长法,工艺难点包括 ①生长环境苛刻,黑匣子操作难以控制;②生长速度慢,晶体尺寸扩大难;③SiC存在加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。 在器件制造过程中,主要挑战在于设备和工艺以及材料的选择和供应。 [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] [图片]
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