首页发布

3月22日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯”）在科创板上市网上路演。3月23日开启申购，定价80.80元/股。公司本次IPO发行募集资金将重点投向“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)及光通讯激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”。

长光华芯IPO募投项目

长光华芯成立于2012年，公司聚焦半导体激光行业，始终专注于半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售。紧跟下游市场发展趋势，不断创新生产工艺，布局产品线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，是国内拥有完整高效率高功率半导体激光器垂直生产工艺的公司。

2018年-2021年，长光华芯分别实现营业收入0.92亿元、1.39亿元、2.47亿元和4.29亿元；净利润分别为-0.14亿元、-1.29亿元、0.26亿元、1.15亿元。此外，在研发投入上，2018年-2021年上半年，公司研发费用分别为3718.98万元、5270.65万元、6033.18万元和3751.10万元，占营业收入的比例分别为40.23%、38.05%、24.41%和19.67%。作为高功率半导体激光芯片的研发及生产型企业，研发费用金额及占营业收入比例较大。

纵横发展，以激光芯片为支点

在核心技术方面，长光华芯覆盖器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等，具体有非对称的波导结构设计、分布式载流子注入技术、自主创新的腔面钝化和窗口制备方案、相邻两有源区之间通过势垒层连接显著提高VCSEL的转换效率，VCSEL效率超过60%、体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源等。

目前，长光华芯商业化单管芯片输出功率达到30W，巴条芯片连续输出功率达到250W（CW），准连续输出1000W（QCW），VCSEL芯片的最高转换效率60%以上，产品性能指标与国外先进水平同步，打破国外技术封锁和芯片禁运，逐步实现了半导体激光芯片的国产化及进口替代。此外，在激光器件封装、光束整形、合束耦合、直接半导体激光系统等领域，公司拥有丰富的产品研制与生产经验，成功开发了多款光纤耦合模块及直接半导体激光器等产品。

“一平台”是指以公司与苏州高新区政府共建的苏州半导体激光创新研究院为平台，吸引全球顶尖人才，聚集内外部创新资源，围绕半导体激光芯片及应用，打造可持续领先的研发能力和新方向拓展能力；

“一支点”是指公司已具备高功率半导体激光芯片的核心技术及全流程制造工艺，持续进行研发投入，保持核心技术竞争力，提升经营规模；

“横向扩展”是指依托在高功率半导体激光芯片的研发、技术及产业化的“支点”优势，从高功率半导体激光芯片扩展至VCSEL芯片及光通信芯片，将产品应用领域拓展至消费电子、激光雷达等；

“纵向延伸”是指为更好贴近客户、满足客户需求及适应众多激光应用，结合公司高功率半导体激光芯片的优势，纵向延伸至激光器件、模块及直接半导体激光器。

下游高速发展，需求旺盛

从产业链角度来看，长光华芯生产的高功率半导体激光芯片是产业链中游各类光泵浦激光器的核心泵浦光源，包括光纤激光器、固体激光器、液体激光器等，属于工业激光器生产制造的核心元器件，广泛应用于激光加工、激光切割、科研与军事、生物医疗等领域。

公司高功率半导体激光芯片的销售分为两个方面：一方面是直接进行激光芯片的销售，另一方面通过器件及模块类产品的销售实现一定量的激光芯片销售。根据招股书显示数据测算，长光华芯高功率半导体激光芯片在国内市场的占有率为13.41%，在全球市场的占有率为3.88%，随着激光芯片的国产化程度加深，公司的市场占有率将进一步提升。

从客户来看，2018年、2019年和2020年，公司来自前五大客户的销售收入占营业收入的比例分别为86.36%、81.74%和78.90%，主要客户包括飞博激光、创鑫激光、锐科激光、大族激光、光惠激光等知名激光器厂商，以及客户A2、客户B等科研机构。在国产替代化趋势下，这些激光器客户都处于高速发展中。随着上游核心光电子元器件逐步实现国产化，激光器应用成本逐步下降，激光器将更深地渗透到众多行业。

此外，随着无人驾驶、高级辅助驾驶系统、服务型机器人、3D传感等技术的不断普及发展，将更多地应用于汽车、人工智能、消费电子、人脸识别、光通信及国防科研等众多领域。而半导体激光器作为上述激光应用的核心器件或部件，也将获得快速发展空间。

长光华芯具备信息型（含传感）VCSEL芯片的量产能力。目前，在消费电子领域，华为有配备了激光雷达的产品，而长光华芯是华为的供应商之一。随着5G的建设AR /VR应用场景出现，消费电子配备激光雷达的趋势不可逆转；另一方面高速在开发汽车VCSEL激光雷达产品，在无人驾驶汽车激光雷达头部客户验证，预计年内可以通过车规。

重视研发推进技术深入研究

目前，公司拥有多名国家工程人才及行业资深技术专家，共同支持着公司高功率芯片及相关产品的技术研发。技术专利上，公司已拥有专利61项，其中发明专利22项，正在申请的专利共计98项。

在研发模式上，采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，已建成3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建了GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）两大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）为衬底的半导体激光芯片的制造能力。

此外，通过承担国家重点研发项目，并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院等国内高等学府与科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究。

激光行业万人微信群

（点击链接阅读）