#每日良品#| 倍思三合一快充数据线
一线整合Micro + IP+ Type-C三线，优化桌面空间，出门也不用带多根数据线，多设备快充一线就够。
单路Type-C口支持5A输出，搭配10V/4A充电器，最大峰值输出40W快充，30分钟华为P40约充达74%。480Mbps传输速率，轻松快速导图。
配备快充识别灯显示，充电状态一目了然。结实尼龙编织线，结实耐磨不易打结，自带魔术贴绑带，让收纳更轻松。 https://t.cn/A6GoZt9Q
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继此前有传言曝光了vivo X80系列的相关信息后，近日有消息显示vivo旗下一款型号为V2185A的5G新机已经通过了国家3C质量认证，支持80W快充，外界推测其极有可能是vivo X80系列新机。根据目前曝光的信息显示，vivo X80系列新机将配备V8060L0A1-CN充电器，支持80W快充。而根据此前曝光的GeekBench 5跑分信息显示，X80 Pro的单核成绩为1248、多核则是4191分，搭载了联发科新款旗舰主控天玑9000，提供了12GB内存，并运行基于Android 12的操作系统。
华邦电子扩展其存储容量，推出全新超低功耗64Mb 1.2V SPI NOR Flash
华邦电子16日宣布，推出全新Spi Flash产品W25Q64NE ，首次将1.2V SPI NOR Flash容量扩展至64Mb。华邦新型W25Q64NE闪存可提供更多代码存储空间并减少设备的运行功耗，充分满足新一代智能可穿戴设备和移动设备的内存需求。
据了解，华邦是首个推出 1.2V SPI NOR Flash的闪存制造商，该产品工作电压的扩展范围是1.14V-1.6V，可兼容单节 AA型碱性电池的输出电压。此次将产品容量提升至64Mb，华邦 1.2V NOR Flash系列产品可满足智能设备对代码存储空间的更高要求。目前，新型W25Q64NE产品已经送样，同时提供符合行业标准封装的USON8-3x4和WLCSP小尺寸封装形式。
通常，移动设备和可穿戴设备的总功耗有99%都是在运行模式中产生，与1.8V SpiFlash产品相比，华邦1.2V SPI NOR Flash可将Flash本身的运行功耗减少三分之一。因此，使用华邦的 1.2V NOR Flash可帮助电池容量较小的设备如TWS耳机与健身手环大幅延长产品续航时间。华邦表示，电池续航时间已经成为影响消费者购买TWS耳机和智能手表等新产品的关键因素，而华邦新型W25Q64NE闪存正是这些设备制造商的理想选择，可助力提高终端产品竞争力。
在工作频率为 50MHz 的读取模式下，1.8V SpiFlash 内存的工作电流为 4mA，功耗为 7.2mW。而同样在50MHz时，华邦1.2V SpiFlash内存的工作电流也为4mA，但功耗仅为 4.8mW。使用1.2V SpiFlash替换1.8V产品，可立即节省33%的功耗。
除省电外，1.2V SpiFlash还可简化系统设计并降低成本。随着 SoC工艺向更先进的制程发展，新一代 SoC 的 I/O 电压正在逐步降低，目前已经低于1.8V，因此需要搭配电平转换器才能与传统的 1.8V/3V SPI Flash连接，这将导致额外的成本支出并增加系统设计的复杂性。而采用1.2V 闪存，SoC 无需电平转换器即可直接连接到 SPI Flash，从而降低 BOM 成本和 PCB 占用空间。
华邦W25Q64NE配备性能出色的标准SPI NOR 接口，最大数据传输速率可达 42MB/s。与1.8V/3V SPI Flash操作方式的架构相同，支持最小4KB的可擦除扇区。
华邦电子16日宣布，推出全新Spi Flash产品W25Q64NE ，首次将1.2V SPI NOR Flash容量扩展至64Mb。华邦新型W25Q64NE闪存可提供更多代码存储空间并减少设备的运行功耗，充分满足新一代智能可穿戴设备和移动设备的内存需求。
据了解，华邦是首个推出 1.2V SPI NOR Flash的闪存制造商，该产品工作电压的扩展范围是1.14V-1.6V，可兼容单节 AA型碱性电池的输出电压。此次将产品容量提升至64Mb，华邦 1.2V NOR Flash系列产品可满足智能设备对代码存储空间的更高要求。目前，新型W25Q64NE产品已经送样，同时提供符合行业标准封装的USON8-3x4和WLCSP小尺寸封装形式。
通常，移动设备和可穿戴设备的总功耗有99%都是在运行模式中产生，与1.8V SpiFlash产品相比，华邦1.2V SPI NOR Flash可将Flash本身的运行功耗减少三分之一。因此，使用华邦的 1.2V NOR Flash可帮助电池容量较小的设备如TWS耳机与健身手环大幅延长产品续航时间。华邦表示，电池续航时间已经成为影响消费者购买TWS耳机和智能手表等新产品的关键因素，而华邦新型W25Q64NE闪存正是这些设备制造商的理想选择，可助力提高终端产品竞争力。
在工作频率为 50MHz 的读取模式下，1.8V SpiFlash 内存的工作电流为 4mA，功耗为 7.2mW。而同样在50MHz时，华邦1.2V SpiFlash内存的工作电流也为4mA，但功耗仅为 4.8mW。使用1.2V SpiFlash替换1.8V产品，可立即节省33%的功耗。
除省电外，1.2V SpiFlash还可简化系统设计并降低成本。随着 SoC工艺向更先进的制程发展，新一代 SoC 的 I/O 电压正在逐步降低，目前已经低于1.8V，因此需要搭配电平转换器才能与传统的 1.8V/3V SPI Flash连接，这将导致额外的成本支出并增加系统设计的复杂性。而采用1.2V 闪存，SoC 无需电平转换器即可直接连接到 SPI Flash，从而降低 BOM 成本和 PCB 占用空间。
华邦W25Q64NE配备性能出色的标准SPI NOR 接口，最大数据传输速率可达 42MB/s。与1.8V/3V SPI Flash操作方式的架构相同，支持最小4KB的可擦除扇区。
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