【#老特拉福德的重建计划#】《每日邮报》披露，拥有112年历史的曼联主场老特拉福德，正在面临重建，因为俱乐部高层已经意味到，梦剧场的硬件设施，在现代化方面已经被其他球场超越。

目前有三个重建方案供曼联管理层考虑：

1、整体完全拆除OT，在原址上新建一个容量更大的现代化主场。这是投入最大，耗时最长，操作最复杂的方案，还需要考虑球队寻找临时主场的事情。

2、保留OT的整体框架结构，用更先进的建筑技术，对四面看台和商业楼进行全面改建。

3、针对老大难问题，紧挨铁路的南看台，进行局部重建，让球场容量从74000人提升到80000人。

这是格雷泽家族认为最有吸引力的方案，投入最少，耗时最短，球队依然可以在OT打比赛，可以作为分步式重建的第一步。

23亿！又一碳化硅企业要建厂

前段时间，英飞凌、博世等外资碳化硅企业纷纷扩产（.点这里.）；近日，又有一家欧洲公司宣布扩产。

Soitec将投资约23亿人民币，新建一个新的碳化硅晶圆厂，以量产多晶碳化硅衬底（3C-SiC）技术，而且目标市场是电动汽车。

据悉，3C-SiC有望将碳化硅器件成本降低50%。除了Soitec，日本住友金属的子公司也在扩充3C-SiC产能，计划年产12万片。

投资23亿

量产3C-SiC衬底技术

降低碳化硅半导体成本有多重方式，其中，有些企业在探索3C-SiC技术。
简单来说，3C-SiC就是将SiC单晶切得更薄，然后键合在SiC多晶衬底上，这样既可以减少SiC单晶的使用量，又可以获得与单晶衬底相同的器件特性。
Soitec就是其中其中的代表，他们还专门开发了2项技术——SmartCut 和SmartSiC衬底。
该公司表示，他们的3C-SiC技术有两个好处：
一方面，产量可增加10倍。采用传统技术，一块SiC单晶可切割成40-50片晶圆，而使用SmartCut技术可以生产500个晶圆；另一方面，降低电阻率。Smart Cut可将碳化硅衬底的电阻率降低至少4倍，使SiC MOSFET尺寸缩小5-15%。

去年，Soitec曾表示：未来5年将新建2家工厂，其中一家工厂将生产6英寸和8英寸SiC晶圆，预计将在2022年3月前开始建设，以便在2023/2024财年投入使用。
而近日，该计划得到了落实。
3月11日，Soitec官网宣布，他们将在法国伯宁总部建设一个新的SiC 晶圆制造工厂，投资总金额或达3.3亿欧元（约23亿人民币）。

Soitec还表示，他们计划在五年内投资11亿欧元（约87.57亿人民币）用于扩产和碳化硅布局；在碳化硅生产方面的资本支出将占总投资的20%左右（推算达17.5亿人民币）。
据Soitec的合作伙伴Mersen表示，Soite会将SmartSiC衬底提供给Wolfspeed、意法半导体和博世等客户，汽车行业可能会在 2024年开始采用该技术。
不过，Soitec官网称，Soitec已经在跟主要的 SiC 器件制造商合作，目标是在 2023 年下半年创造第一笔收入。
Soitec 首席执行官 Paul Boudre表示，“这项投资对我们来说是重要的一步，因为 SmartSiC将成为 Soitec 的另一个增长引擎，并成为汽车和工业市场转型的推动力。”
Sicoxs也在扩产

计划年产能12万片

致力于3C-SiC技术研发的还包括Sicoxs——日本住友金属的子公司。
Sicoxs将这项技术命名为“SiCkrest”。2013年时，Sicoxs表示这种技术可以降低50%的SiC单晶衬底成本。
自2017年以来，Sicoxs就在建设粘合SiC衬底的量产示范线；2021年11月，该公司宣布计划将这项技术进行商业化，计划在2025年将6英寸SiC衬底产能增加到1万片/月。
同时，他们也计划推进这项技术在电源控制单元（PCU）等车载产品应用。

原创 行家产研-许若冰 第三代半导体风向 2022-03-14 18:06

闲游四港闸
新建的下洋河闸位于下洋河慈江的出口处，在宁波江北区洪塘的一个下洋自然村。我是去看清同治年间的“四港闸”，穿过新建的下洋河闸，沿着弯弯曲曲的慈江岸小道，约一公里抵达了石砌的老四港闸。
虽没找见保护碑牌，然桥形的石体遗存得还算完整，依托手机是很难摄得其全貌及铭文，桥面上还见有处作烧烤过的“灶堂”；江岸带林木葱郁，寂无见人，倒确是处雅赏闲趣之地，愿四港闸长命百岁、岁岁长在。
（天热了，出行的最大收获是不怕一身的汗。） https://t.cn/Evk4evd