#泰国星暹新闻#【恢复重新开放的泰国，现在怎么样了？】
自泰国2021年11月1日恢复重新开放已经过去了一个半月，泰国国内疫情怎么严格？政府对新冠疫情的防疫效果如何？
入境旅客的确诊感染率
12月12日，泰国疫情管理中心报告了11月1日至30日第一个月期间，通过航空入境的旅客包括素万那普、普吉岛、苏梅岛等机场入境旅客的统计报告，期间共有13万3061人入境，确诊感染新冠病毒171例，感染率为0.13 %。按入境模式分类，根据Test & Go模式入境共10万6211人，确诊感染83人，感染率为0.08 %；根据沙盒模式入境21438人，确诊感染44人，感染率为0.21 %；隔离入境5412人，确诊感染44人，感染率为0.81 %。
而自12月1日至11日期间，入境人数78169人，确诊感染135人，感染率为0.17 %。按入境模式分类，根据Test & Go模式入境共67700人，确诊感染74人，感染率为0.11 %；根据沙盒模式入境8296人，确诊感染16人，感染率为0.19 %；隔离入境2173人，确诊感染45人，感染率为2.07 %。
疾控厅厅长欧帕斯表示，泰国从11月1日宣布了重新开放国家的政策，在感染人数可能会增加的预估下，泰国新增感染人数却正在稳步下降，通过三种入境模式入境的旅客并没有使泰国的感染人数增加。在过去的1个多月内可以证明，防疫措施的奏效，离不开大家的配合。第2件事就是国内的感染情况，例如即使水灯节有多人出游，也没有引发大型的集群感染，因此只要度过当前的困难，大家就可以开始期待泼水节了。
加紧防控措施全面应对奥密克戎病毒
从11月重新开放国家，迎接旅客的政策结果可以看出，旅客感染率相对较低，因此，疫情管理中心已于11月26日召开会议，推进将于12月16日开始的第二阶段的国门开放。但该计划的实施并非在一夜之间就能付诸实施，在11月26日晚，世界卫生组织（WHO）宣布在非洲发现的新型冠状病毒毒株“奥密克戎”为继阿尔法、贝塔、伽马和德尔塔变异株之后的第五个令人担忧毒株。 在早期阶段，对奥密克戎毒株的相关资料信息还不太了解，无论是在躲避免疫、传播感染的能力还是疾病的严重性上，都尚不了解，使得许多国家包括泰国需要高度警惕奥密克戎的传播。
泰国于11月27日宣布升级10项防疫措施
1. 自2021年12月1日起禁止来自非洲8国的人士入境泰国。
2. 允许来自非洲除8国以外的国家人士以检疫隔离形式入境。
3. 隔离天数从10天增加到14天。
4. 对“检测即走”的入境者使用RT-PCR法进行检测。
5. 将入境确诊旅客的样本送往检验感染何种毒株。
6. 提高能快速检测奥密克戎毒株的技术。
7. 对来自非洲的旅行者进行第4轮RT-PCR新冠病毒检测。
8. 根据内政部命令收紧边界。
9. 充分准备公共卫生系统。
10.叮嘱7个府预留多余床位。
在泰还没有奥密克戎毒株？
在加强防疫措施之后，截至12月9日，泰国已报告了4例感染奥密克戎毒株的确诊病例，均为境外输入病例。第一例为从西班牙入境美籍男子。第二、三例均是从尼日利亚回国的泰籍女性，第四例是一名从刚果回国的泰籍男性。据医学厅厅长素帕吉于12月9日报告，在2021年11月1日至12月8日的累计检测中，发现境外输入确诊病例和对国内确诊患者随机样本抽查中，除4人感染奥密克戎毒株外，其他均感染的是德尔塔毒株。感染奥密克戎的患者占比还不达1% 。因此，现在泰国面临的最大敌人仍是德尔塔病毒。国内检测奥密克戎将从边境重病确诊患者中、疑似聚集性、完全免疫但仍感染、免疫功能低下和再感染等群体中随机抽查，所有医学科学中心都可以对其进行检测。
奥密克戎毒株呈“温和”趋势
近2周以来，不同国家对奥密克戎掌握的信息越来越多。 朱拉隆功医学院儿科临床病毒学专业中心主任勇教授于12月8日在脸书上发帖称，从以往经验来看，当一种毒株传播得更快时，它会取代原来的毒株，这可以从阿尔法和德尔塔毒株中看出，目前全球流行的99%的毒株都是德尔塔。从流感流行中就能够知道，在2009年H1N1流感大流行之前，我们已经有了季节性H1N1流感，一种完全不同的毒株。在2009年H1N1流感大流行后，新毒株取代了以往的毒株。到目前为止H1N1 毒株也无法取代 A型H3N2流感病毒或乙型流感病毒。因为它们是不同的，同样，如果奥密克戎毒株比初代毒株更具有入侵性，它将取代德尔塔成。过去，我们通过病毒研究疫苗，会在实验室细胞或动物上反复使用致病病毒，当长期反复受到感染时，病毒就会被削弱，然后被用来制作疫苗。因为在反复感染中病毒本身正在努力适应，减少对本体的伤害。
目前，除非洲以外，在世界上确诊的感染奥密克戎毒株的患者，包括在英国、挪威和丹麦在内发现的所有病例中，约有一半无症状，另外一半有轻微症状。与德尔塔毒株相比，同样是在非洲南部，感染奥密克戎患者住院治疗的趋势要低于德尔塔毒株，如果所有这些在时间的证实下是真的，那么将是个好消息，我们都希望如此。如果感染多，病情轻，感染就像自然免疫一般，那么对疫苗的需求量就会减少，疫苗接种权就掌握在接种者手中。
泰国的疫苗接种率为69%
泰国的新冠疫苗接种工作中，即使到了年底，疫苗接种率也缓慢上升。截至2021年12月11日的接种统计结果表示，泰国累计接种新冠疫苗9732.175万剂，第一剂接种数为4990万1591剂，占比69.3%；第二剂接种数为4329万7863剂，占比60.1%；第三剂接种数为412万2296剂，占比5.7%。在老年人群体中，64.1%的老年人已接种了两剂新冠疫苗；68.7% 的慢性病患者和 15.9% 的孕妇有感染病毒且症状严重的风险。
疫管中心将于12月13日调整防疫措施
虽然像其它20个国家及地区一样，泰国国内很难避免传播奥密克戎毒株，而且该毒株具备逃避免疫的能力，传播速度比德尔塔毒株快2-5倍。但由于不太可能导致严重症状，会出现类似流感的症状，例如头痛、发烧、咳嗽和喉咙痛等。但在全球范围内，还没有关于奥密克戎毒株的死亡报告（截至2021年12 月12日）。加之新冠疫苗在对抗出现严重症状和死亡的有效性仍然存在。
因此，在泰国首剂新冠疫苗接种率达到69.3% 时，再加上航空严格地防疫措施，入境者的感染并没有造成疫情在国内蔓延。热闹的水灯节也没有造成泰国疫情严重，国内的新增确诊病例数、重症病例和死亡病例都呈现下降趋势。因此在 2021 年12月13日的疫管中心上对防疫措施进行了调整讨论，考虑进行泰国第二阶段的重新开放，包括2022年的疫情应对计划和为民众接种第三剂加强针的计划。（编译：叶子/信息来源：bangkokbiznews）
自泰国2021年11月1日恢复重新开放已经过去了一个半月，泰国国内疫情怎么严格？政府对新冠疫情的防疫效果如何？
入境旅客的确诊感染率
12月12日，泰国疫情管理中心报告了11月1日至30日第一个月期间，通过航空入境的旅客包括素万那普、普吉岛、苏梅岛等机场入境旅客的统计报告，期间共有13万3061人入境，确诊感染新冠病毒171例，感染率为0.13 %。按入境模式分类，根据Test & Go模式入境共10万6211人，确诊感染83人，感染率为0.08 %；根据沙盒模式入境21438人，确诊感染44人，感染率为0.21 %；隔离入境5412人，确诊感染44人，感染率为0.81 %。
而自12月1日至11日期间，入境人数78169人，确诊感染135人，感染率为0.17 %。按入境模式分类，根据Test & Go模式入境共67700人，确诊感染74人，感染率为0.11 %；根据沙盒模式入境8296人，确诊感染16人，感染率为0.19 %；隔离入境2173人，确诊感染45人，感染率为2.07 %。
疾控厅厅长欧帕斯表示，泰国从11月1日宣布了重新开放国家的政策，在感染人数可能会增加的预估下，泰国新增感染人数却正在稳步下降，通过三种入境模式入境的旅客并没有使泰国的感染人数增加。在过去的1个多月内可以证明，防疫措施的奏效，离不开大家的配合。第2件事就是国内的感染情况，例如即使水灯节有多人出游，也没有引发大型的集群感染，因此只要度过当前的困难，大家就可以开始期待泼水节了。
加紧防控措施全面应对奥密克戎病毒
从11月重新开放国家，迎接旅客的政策结果可以看出，旅客感染率相对较低，因此，疫情管理中心已于11月26日召开会议，推进将于12月16日开始的第二阶段的国门开放。但该计划的实施并非在一夜之间就能付诸实施，在11月26日晚，世界卫生组织（WHO）宣布在非洲发现的新型冠状病毒毒株“奥密克戎”为继阿尔法、贝塔、伽马和德尔塔变异株之后的第五个令人担忧毒株。 在早期阶段，对奥密克戎毒株的相关资料信息还不太了解，无论是在躲避免疫、传播感染的能力还是疾病的严重性上，都尚不了解，使得许多国家包括泰国需要高度警惕奥密克戎的传播。
泰国于11月27日宣布升级10项防疫措施
1. 自2021年12月1日起禁止来自非洲8国的人士入境泰国。
2. 允许来自非洲除8国以外的国家人士以检疫隔离形式入境。
3. 隔离天数从10天增加到14天。
4. 对“检测即走”的入境者使用RT-PCR法进行检测。
5. 将入境确诊旅客的样本送往检验感染何种毒株。
6. 提高能快速检测奥密克戎毒株的技术。
7. 对来自非洲的旅行者进行第4轮RT-PCR新冠病毒检测。
8. 根据内政部命令收紧边界。
9. 充分准备公共卫生系统。
10.叮嘱7个府预留多余床位。
在泰还没有奥密克戎毒株？
在加强防疫措施之后，截至12月9日，泰国已报告了4例感染奥密克戎毒株的确诊病例，均为境外输入病例。第一例为从西班牙入境美籍男子。第二、三例均是从尼日利亚回国的泰籍女性，第四例是一名从刚果回国的泰籍男性。据医学厅厅长素帕吉于12月9日报告，在2021年11月1日至12月8日的累计检测中，发现境外输入确诊病例和对国内确诊患者随机样本抽查中，除4人感染奥密克戎毒株外，其他均感染的是德尔塔毒株。感染奥密克戎的患者占比还不达1% 。因此，现在泰国面临的最大敌人仍是德尔塔病毒。国内检测奥密克戎将从边境重病确诊患者中、疑似聚集性、完全免疫但仍感染、免疫功能低下和再感染等群体中随机抽查，所有医学科学中心都可以对其进行检测。
奥密克戎毒株呈“温和”趋势
近2周以来，不同国家对奥密克戎掌握的信息越来越多。 朱拉隆功医学院儿科临床病毒学专业中心主任勇教授于12月8日在脸书上发帖称，从以往经验来看，当一种毒株传播得更快时，它会取代原来的毒株，这可以从阿尔法和德尔塔毒株中看出，目前全球流行的99%的毒株都是德尔塔。从流感流行中就能够知道，在2009年H1N1流感大流行之前，我们已经有了季节性H1N1流感，一种完全不同的毒株。在2009年H1N1流感大流行后，新毒株取代了以往的毒株。到目前为止H1N1 毒株也无法取代 A型H3N2流感病毒或乙型流感病毒。因为它们是不同的，同样，如果奥密克戎毒株比初代毒株更具有入侵性，它将取代德尔塔成。过去，我们通过病毒研究疫苗，会在实验室细胞或动物上反复使用致病病毒，当长期反复受到感染时，病毒就会被削弱，然后被用来制作疫苗。因为在反复感染中病毒本身正在努力适应，减少对本体的伤害。
目前，除非洲以外，在世界上确诊的感染奥密克戎毒株的患者，包括在英国、挪威和丹麦在内发现的所有病例中，约有一半无症状，另外一半有轻微症状。与德尔塔毒株相比，同样是在非洲南部，感染奥密克戎患者住院治疗的趋势要低于德尔塔毒株，如果所有这些在时间的证实下是真的，那么将是个好消息，我们都希望如此。如果感染多，病情轻，感染就像自然免疫一般，那么对疫苗的需求量就会减少，疫苗接种权就掌握在接种者手中。
泰国的疫苗接种率为69%
泰国的新冠疫苗接种工作中，即使到了年底，疫苗接种率也缓慢上升。截至2021年12月11日的接种统计结果表示，泰国累计接种新冠疫苗9732.175万剂，第一剂接种数为4990万1591剂，占比69.3%；第二剂接种数为4329万7863剂，占比60.1%；第三剂接种数为412万2296剂，占比5.7%。在老年人群体中，64.1%的老年人已接种了两剂新冠疫苗；68.7% 的慢性病患者和 15.9% 的孕妇有感染病毒且症状严重的风险。
疫管中心将于12月13日调整防疫措施
虽然像其它20个国家及地区一样，泰国国内很难避免传播奥密克戎毒株，而且该毒株具备逃避免疫的能力，传播速度比德尔塔毒株快2-5倍。但由于不太可能导致严重症状，会出现类似流感的症状，例如头痛、发烧、咳嗽和喉咙痛等。但在全球范围内，还没有关于奥密克戎毒株的死亡报告（截至2021年12 月12日）。加之新冠疫苗在对抗出现严重症状和死亡的有效性仍然存在。
因此，在泰国首剂新冠疫苗接种率达到69.3% 时，再加上航空严格地防疫措施，入境者的感染并没有造成疫情在国内蔓延。热闹的水灯节也没有造成泰国疫情严重，国内的新增确诊病例数、重症病例和死亡病例都呈现下降趋势。因此在 2021 年12月13日的疫管中心上对防疫措施进行了调整讨论，考虑进行泰国第二阶段的重新开放，包括2022年的疫情应对计划和为民众接种第三剂加强针的计划。（编译：叶子/信息来源：bangkokbiznews）
#芯片# 【第三代半导体来了！芯片版图会改写吗？】作为当前芯片制造行业的主流技术，硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
基础+集成：改变行业版图
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
基础+集成：改变行业版图
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
【第三代半导体来了，芯片行业会“变天”吗？[思考]】5纳米、2纳米、1纳米……作为当前芯片制造行业的主流技术，硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
相关论文信息：
https://t.cn/A6M7chv0
https://t.cn/A6M7chvN
https://t.cn/A6M7chvp
【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
相关论文信息：
https://t.cn/A6M7chv0
https://t.cn/A6M7chvN
https://t.cn/A6M7chvp
【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
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