【巴拉那州建立巴西首个文化产业就业办公室】巴西巴拉那州（Paraná）政府22日在库里提巴市（Curitiba）中心街区的文化监督局内设立了文化产业就业办公室（Agência do Trabalhador da Cultura），这是全国首个专门针对文化行业的就业机构。文化产业就业办公室是应州长要求开展的一项行动，旨在为巴拉那州居民提供更多就业机会。
巴西巴拉那州通讯社报道，州社会传播和文化局（SECC）局长若昂·埃瓦里斯托·德比亚西（João Evaristo Debiasi），司法、家庭和劳工局（Sejuf）局长内莱普雷沃斯特（Ney Leprevost）以及文化监督局负责人卢西亚娜·卡萨格兰德·佩雷拉（Luciana Casagrande Pereira）参与了新机构的创立仪式。
SECC与Sejuf签署了一项技术合作协议，并将文化产业就业办公室设在文化监督局总部的人民艺术宫（Sala do Artista Popular）内。内莱普雷沃斯特表示，文化行业是受社会隔离措施影响最大的行业之一。由于新冠病毒大流行，2020年和2021年有数以千计的艺术活动被取消。
他说道：“文化活动是第一批被禁止的，也将是最后一批恢复正常的。该行业的失业情况非常严重。人们现在想要恢复艺术、文化、派对和休闲活动，并从中重新发现自我。艺术是灵魂的食粮。希望新机构能够带领更多人通过艺术拯救自己的灵魂。”
文化产业就业办公室隶属库里提巴市劳工局，可为从事各类文化活动的个体经营者及个体微型企业家（MEI）提供接待和注册服务。
卢西亚娜·卡萨格兰德·佩雷拉称：“我们的团队已经在积极寻找文化信息系统（SIC.Cultura）中4800多家企业的职位空缺。我们知道文化产业范围实际上大得多，因此将不遗余力地开发文化领域的就业潜力。”
若昂·埃瓦里斯托·德比亚西赞扬了该项举措。他评价道：“没有什么行动比建立一个既能创造就业又可进行文化管理的专业机构更优秀了。创造就业行动能够缓解一系列其他困难。”
巴西巴拉那州通讯社报道，州社会传播和文化局（SECC）局长若昂·埃瓦里斯托·德比亚西（João Evaristo Debiasi），司法、家庭和劳工局（Sejuf）局长内莱普雷沃斯特（Ney Leprevost）以及文化监督局负责人卢西亚娜·卡萨格兰德·佩雷拉（Luciana Casagrande Pereira）参与了新机构的创立仪式。
SECC与Sejuf签署了一项技术合作协议，并将文化产业就业办公室设在文化监督局总部的人民艺术宫（Sala do Artista Popular）内。内莱普雷沃斯特表示，文化行业是受社会隔离措施影响最大的行业之一。由于新冠病毒大流行，2020年和2021年有数以千计的艺术活动被取消。
他说道：“文化活动是第一批被禁止的，也将是最后一批恢复正常的。该行业的失业情况非常严重。人们现在想要恢复艺术、文化、派对和休闲活动，并从中重新发现自我。艺术是灵魂的食粮。希望新机构能够带领更多人通过艺术拯救自己的灵魂。”
文化产业就业办公室隶属库里提巴市劳工局，可为从事各类文化活动的个体经营者及个体微型企业家（MEI）提供接待和注册服务。
卢西亚娜·卡萨格兰德·佩雷拉称：“我们的团队已经在积极寻找文化信息系统（SIC.Cultura）中4800多家企业的职位空缺。我们知道文化产业范围实际上大得多，因此将不遗余力地开发文化领域的就业潜力。”
若昂·埃瓦里斯托·德比亚西赞扬了该项举措。他评价道：“没有什么行动比建立一个既能创造就业又可进行文化管理的专业机构更优秀了。创造就业行动能够缓解一系列其他困难。”
【IGBT领域6只企业一览】IGBT未来或将大有可为！
IGBT是电能转换与应用的核心芯片，是碳中和非常重要的零部件，最大下游应用在新能源车领域，是电池以外第二大成本。此外光伏所用逆变器对IGBT的需求量也比较大。
目前IGBT市场供需严重不平衡，海外疫情导致大厂的产能受限，而国产厂商扩产难的主要原因在于缺少设备和有经验的专业人才，另一方面也是因为新厂落地到验证产线所需时间一般为1-3年，所以新增产能释放需要时间，专家预测未来供需重新达到平衡的时间点推测在2022年6月份。
在阳光的逆变器 igbt占成比15%IGBT作为汽车、光伏逆变器及风电整流器核芯器件，占成本构成3-4成以上，将持续受益于行业爆发趋势。
『IGBT领域相关公司』
1. 『中车时代半导体』
已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM（集成设计制造）模式企业代表，拥有国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片线。除轨交电网外，公司亦于新能源汽车、光伏风电领先突破，汽车方面进入广汽、理想、小鹏等A级车以上车型供应，光伏风电亦进入阳光、远景、金风等。
2. 『宏微科技』
国内第一批IGBT公司，华虹无锡厂12吋产线已规模量产，公司代工产能将得到充分供给。公司自研IGBT芯片达行业先进水平，公司成功开发的宏微第三代M3i、宏微第四代M4i的IGBT以及FRED产品等，性能指标均达行业先进水平。对标英飞凌第七代IGBT产品正在研发中。
3. 『比亚迪半导体』
2009年公司自主研发的IGBT打破西方垄断，目前是国内车规级IGBT领导厂商。华虹半导体：公司在无锡的华虹七厂是聚焦特色工艺、覆盖90~65纳米工艺节点、规划月产能4万片的12英寸集成电路生产线。
4. 『斯达半导』
工控基本盘稳固，新能源汽车、光伏迎突破。公司在工控IGBT地位稳固，具有向海外龙头直面竞争能力；汽车方面除A00级客户外，正迎来广汽等A级车以上车型订单；光伏方面与阳光电源等大客户进展顺利，并实现模块产品突破。
5. 『新洁能』
工控、光伏IGBT进展超预期。不止于MOSFET，公司在工控、光伏IGBT进展亦迎来快速突破，如光伏进入阳光电源、德业、固德威等供应，有望迎来数亿级营收。
6. 『士兰微』
国内IDM功率领军，IGBT迎超预期进展。家电IPM模块正全面替代日系厂商，工控打入汇川、英威腾等供应，汽车IGBT于菱电电控、零跑批量，并于吉利、上汽、比亚迪等定点突破，光伏也已推出
IGBT是电能转换与应用的核心芯片，是碳中和非常重要的零部件，最大下游应用在新能源车领域，是电池以外第二大成本。此外光伏所用逆变器对IGBT的需求量也比较大。
目前IGBT市场供需严重不平衡，海外疫情导致大厂的产能受限，而国产厂商扩产难的主要原因在于缺少设备和有经验的专业人才，另一方面也是因为新厂落地到验证产线所需时间一般为1-3年，所以新增产能释放需要时间，专家预测未来供需重新达到平衡的时间点推测在2022年6月份。
在阳光的逆变器 igbt占成比15%IGBT作为汽车、光伏逆变器及风电整流器核芯器件，占成本构成3-4成以上，将持续受益于行业爆发趋势。
『IGBT领域相关公司』
1. 『中车时代半导体』
已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM（集成设计制造）模式企业代表，拥有国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片线。除轨交电网外，公司亦于新能源汽车、光伏风电领先突破，汽车方面进入广汽、理想、小鹏等A级车以上车型供应，光伏风电亦进入阳光、远景、金风等。
2. 『宏微科技』
国内第一批IGBT公司，华虹无锡厂12吋产线已规模量产，公司代工产能将得到充分供给。公司自研IGBT芯片达行业先进水平，公司成功开发的宏微第三代M3i、宏微第四代M4i的IGBT以及FRED产品等，性能指标均达行业先进水平。对标英飞凌第七代IGBT产品正在研发中。
3. 『比亚迪半导体』
2009年公司自主研发的IGBT打破西方垄断，目前是国内车规级IGBT领导厂商。华虹半导体：公司在无锡的华虹七厂是聚焦特色工艺、覆盖90~65纳米工艺节点、规划月产能4万片的12英寸集成电路生产线。
4. 『斯达半导』
工控基本盘稳固，新能源汽车、光伏迎突破。公司在工控IGBT地位稳固，具有向海外龙头直面竞争能力；汽车方面除A00级客户外，正迎来广汽等A级车以上车型订单；光伏方面与阳光电源等大客户进展顺利，并实现模块产品突破。
5. 『新洁能』
工控、光伏IGBT进展超预期。不止于MOSFET，公司在工控、光伏IGBT进展亦迎来快速突破，如光伏进入阳光电源、德业、固德威等供应，有望迎来数亿级营收。
6. 『士兰微』
国内IDM功率领军，IGBT迎超预期进展。家电IPM模块正全面替代日系厂商，工控打入汇川、英威腾等供应，汽车IGBT于菱电电控、零跑批量，并于吉利、上汽、比亚迪等定点突破，光伏也已推出
#A股##今日看盘##股票# 安信证券：三代半导体价值量最高部分，SiC衬底国内厂商开始突破
安信证券指出，衬底是碳化硅产业链最核心环节，价值量占比50%，壁垒很高，随着国产化开始突破，后续有望推动碳化硅产业链放量和降成本。
1、衬底是产业链最核心的环节，直接制约碳化硅应用放量
碳化硅材料属于第三代半导体，碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用，衬底属于碳化硅产业链上游，制备工艺复杂，生长速度慢，产出良率低，是碳化硅产业链亟待突破的最核心部分，也是国内外厂商重点发力的环节。
根据CASA，产业链价值量集中于衬底环节，目前价值量占整个产业链50%左右。
与硅相比，碳化硅衬底制备技术壁垒高，成本远高于硅衬底。碳化硅衬底制备过程主要存在以下难点：
一是对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上；
二是长晶速度慢，7天的时间大约可生长2cm碳化硅晶棒；
三是晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才可作为半导体材料；
四是切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。
昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。随着国内外企业布局碳化硅衬底研发，尺寸不断扩大、良率逐渐提升，碳化硅衬底成本有望不断下降，提高下游应用市场渗透率。
2）下游市场多点开花，替代硅基材料进程加速
①新能源车：目前大多数新能源汽车的电压平台为400V，为提高电动汽车的充电速度、减轻器件重量，新能源汽车800V电压平台正在推进，对应的OBC、DC/DC及PDU等电源产品都需要升级，碳化硅器件在新能源汽车市场渗透率也将进一步提高。
预计到2025年新能源汽车中SiC功率半导体市场预计将以38％的年复合增长率增长。
②光伏领域，采用碳化硅器件可有效提高光伏发电转换效率。根据天科合达招股书，碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。
③5G领域，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。
2）Cree等国际巨头占据主导地位，国内公司加速追赶
欧美国家在碳化硅产业的布局早先于我国，国际龙头企业市场占有率极高。
2020上半年全球半导体SiC晶片市场中，美国Cree出货量占据全球45%。
此外，Cree/II-VI等国际碳化硅衬底龙头企业的制备技术也领先于国内。Cree公司可批量供应4-6英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底，并成功研发8英寸衬底，先已开始建设8英寸产品生产线；贰陆公司也可实现4至6英寸碳化硅衬底的供应，并计划未来5年内，将SiC衬底的生产能力提高5至10倍。
而国内碳化硅衬底厂商仍以4英寸衬底供应为主。但是，国内碳化硅衬底企业发展态势良好，在较短时间内完成了4-6英寸衬底制备技术的研发，并持续积极投资碳化硅项目，以缩小与国际龙头企业的差距，有望实现追赶。
截至2021年，我国从事碳化硅衬底研制的企业已经有30家，近年来规划总投资已经超过300亿元，规划总产能已经超过180万片/年。露笑科技、山东天岳、天科合达等多家国内公司投资建厂。
安信证券指出，衬底是碳化硅产业链最核心环节，价值量占比50%，壁垒很高，随着国产化开始突破，后续有望推动碳化硅产业链放量和降成本。
1、衬底是产业链最核心的环节，直接制约碳化硅应用放量
碳化硅材料属于第三代半导体，碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用，衬底属于碳化硅产业链上游，制备工艺复杂，生长速度慢，产出良率低，是碳化硅产业链亟待突破的最核心部分，也是国内外厂商重点发力的环节。
根据CASA，产业链价值量集中于衬底环节，目前价值量占整个产业链50%左右。
与硅相比，碳化硅衬底制备技术壁垒高，成本远高于硅衬底。碳化硅衬底制备过程主要存在以下难点：
一是对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上；
二是长晶速度慢，7天的时间大约可生长2cm碳化硅晶棒；
三是晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才可作为半导体材料；
四是切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。
昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。随着国内外企业布局碳化硅衬底研发，尺寸不断扩大、良率逐渐提升，碳化硅衬底成本有望不断下降，提高下游应用市场渗透率。
2）下游市场多点开花，替代硅基材料进程加速
①新能源车：目前大多数新能源汽车的电压平台为400V，为提高电动汽车的充电速度、减轻器件重量，新能源汽车800V电压平台正在推进，对应的OBC、DC/DC及PDU等电源产品都需要升级，碳化硅器件在新能源汽车市场渗透率也将进一步提高。
预计到2025年新能源汽车中SiC功率半导体市场预计将以38％的年复合增长率增长。
②光伏领域，采用碳化硅器件可有效提高光伏发电转换效率。根据天科合达招股书，碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。
③5G领域，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。
2）Cree等国际巨头占据主导地位，国内公司加速追赶
欧美国家在碳化硅产业的布局早先于我国，国际龙头企业市场占有率极高。
2020上半年全球半导体SiC晶片市场中，美国Cree出货量占据全球45%。
此外，Cree/II-VI等国际碳化硅衬底龙头企业的制备技术也领先于国内。Cree公司可批量供应4-6英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底，并成功研发8英寸衬底，先已开始建设8英寸产品生产线；贰陆公司也可实现4至6英寸碳化硅衬底的供应，并计划未来5年内，将SiC衬底的生产能力提高5至10倍。
而国内碳化硅衬底厂商仍以4英寸衬底供应为主。但是，国内碳化硅衬底企业发展态势良好，在较短时间内完成了4-6英寸衬底制备技术的研发，并持续积极投资碳化硅项目，以缩小与国际龙头企业的差距，有望实现追赶。
截至2021年，我国从事碳化硅衬底研制的企业已经有30家，近年来规划总投资已经超过300亿元，规划总产能已经超过180万片/年。露笑科技、山东天岳、天科合达等多家国内公司投资建厂。
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