【尽心尽职守一线 把好防控第一关——多路实地再探津城各处“防疫一线”】少年儿童活动中心、农村集市、旅游景区、海河游船、医疗机构、邮政快递网点、中小学校……皆为城乡人流密集的重点场所与重点单位，亮码、测温一个都不能少。昨天，本报记者在绵绵秋雨中，再次深入“防疫一线”各点位，实地探访落实防控措施的情况。
少年儿童活动中心
教学楼内二次测温
“请您戴好口罩，出示健康码、接种码。”“不好意思，刚才出门着急，忘了戴口罩。”“没关系，这次我们为您提供一个一次性口罩，下次千万别再忘了……”昨天18时，绵绵细雨中，家住河西区隆昌路的付女士带着8岁的女儿，到天津市少年儿童活动中心（河西区文化中心区域）参加国际象棋课程。负责查验“双码”的工作人员，又为付女士和孩子进行了测温。随后，母女俩进入中心。
记者在中心门前看到，教学楼入口处悬挂着“请出示健康码、接种码”的扩音喇叭，反复进行着防疫提示。入口处安保人员对外来人员进行测温和“双码”查验，提示家长戴好口罩。进入教学楼内还要进行仪器二次测温。“在防疫过程中，我们坚持‘严查’和‘提示’两原则，同时通过人性化管理，做好各项防疫工作。例如对于没带手机的家长，坚持实名信息登记，严格把好疫情防控安全关。”少年儿童活动中心相关负责人表示。
武清区集市
提醒摊贩定时消毒
“村民们好，为了疫情防控安全，进入集市前，请大家自觉戴好口罩，主动出示健康码、接种码，量体温……”一大早，在武清区崔黄口镇农贸集市入口处，多位工作人员正在对进入集市的村民们逐个查验“双码”、量体温，大喇叭在进行广播提示。
副镇长王建东介绍，农贸集市有300多个摊贩，赶集的村民有500多人，辐射周边多个村镇。为确保疫情防控安全，他们同集市主管企业全面加强疫情防控各项措施的落实，对进入集市的每一名村民严格测体温、查验“双码”。同时，提醒摊贩对场地定时消毒，及时清除垃圾，搞好环境卫生。
记者看到，在集市入口处，绝大多数村民都拿出手机主动出示“双码”，只有一些老人因为没有智能手机，无法亮码。“老奶奶，您是哪个村的？身份证号是多少？近期去过外地吗？”在集市入口处，一位姓李的70多岁老人没有智能手机，无法查验“双码”，一名工作人员主动上前给老人测体温，另一名工作人员按照疫情防控要求逐项登记。测温、登记完后，工作人员还给老人更换了一个新口罩，老人笑着走进集市。
蓟州盘山景区
预约限流无接触购票
“您好，请打开手机，出示健康码、疫苗接种码。”昨天的蓟州盘山景区秋雨蒙蒙，但依然迎来不少游客。在入口，工作人员对进入景区的游客逐一测体温，查看健康码、接种码，游客们都戴着口罩，接受测温，并主动打开手机亮出“双码”。
盘山景区负责人荣祖成介绍，随着中秋节的临近，游客数量明显增加，为确保疫情防控安全，景区配备20多名工作人员在景区入口处对所有游客查验健康码、疫苗接种码，并查看14天行程码，确保万无一失。对于一些没有智能手机单独出游的老年游客，工作人员对其进行相关身份信息登记，并咨询询问14天行程，确保疫情防控不留空白点。
记者看到，售票大厅内，游客们按照一米线要求，自动间隔排队。电子屏幕上滚动播出疫情防控各项要求和景区相关规定。景区实行预约、限流、网上无接触购票，售票大厅内空气流通、定期消毒。在游览过程中，景区工作人员不断提醒游客不聚集，不扎堆，景区厕所干净整洁，还给游客配备了消毒液，免费使用。
国家会展中心
织密筑牢疫情防控网
“您好，请戴好口罩，出示健康码、疫苗接种码、行程码，有序入场。”昨天上午，在国家会展中心（天津）展馆区1号门入口处，工作人员耐心仔细地提示、验码，每一位来访人员也都积极配合工作人员查验，出示相关信息。对一些暂时没有接种新冠病毒疫苗的访客，工作人员认真登记、留存信息。
天津海展会议展览有限公司副总经理武勇杰说，展馆每天4小时一次对电梯、卫生间等公共区域进行擦拭消毒。在各馆主通道门口、会议室连廊区域设置医用废弃物专用垃圾桶，及时清运并进行消毒。在所有门岗及南登录大厅礼宾岗处备有防疫物品。隔离点处配备水银体温计、75%医用酒精、一次性医用口罩、含氯消毒剂等防疫物资。
海河游船
实行“双码联查”巡查制
“尊敬的各位游客，请您携带身份证原件，提前十分钟至码头安检处，出示‘健康码’和‘疫苗接种码’，保持1.5米防控距离，测量体温后验票有序登船。感谢您的配合，祝您海河之旅旅途愉快。”走近游船码头，码头内外的广播、LED大屏幕循环播放着防疫提示。
“我们严格落实部署疫情防控工作，制定了严格的程序和措施。”海河游船市场部负责人表示，游船已全面实行了网上实名制预约乘船；严格控制游客规模，确保接待游客量不超过最大承载量的75%。“在游客进入码头前，工作人员会严格查验每一位游客的健康码和疫苗接种记录并测温，无疫苗接种记录的游客须进行详细登记后进入，对于中高风险地区的游客不予接待。行船过程中，工作人员还会全程进行巡查，舱内保持通风，引导游客按照标识就座，游览全程佩戴口罩，保证游客在游览过程中保持安全距离。”记者看到，安监室、码头等区域每1小时进行1次全面消杀作业,码头上也设置了隔离室。
市第三中心医院
入院前先扫行程码
“大家排好队，戴好口罩，提前用手机扫行程码，注意保持间隔。”工作人员张健玉不断重复着这些提示。昨天一早，记者来到市第三中心医院，很多患者正在大桥道大门入口排队，等候验码测温后入院看病。
记者看到，大门口醒目地张贴着关于出示行程卡的提示，入口处有工作人员检查行程卡和测温，查完行程卡还需要再刷一次手机查验入院登记码。经工作人员引导，患者就医排队有序，基本保持一米距离并戴好口罩。进入院区后，患者及家属还需按照标识指引从规定通道有序进入门急诊楼，工作人员会在进楼前完成第二次体温检测、入院登记码查验、流行病学史调查等预检分诊工作。
邮政快递网点
避免办理业务人员聚集
“您好，请出示健康码和行程码……”在天津邮政和平路赤峰道网点门口，记者看到大门上贴着“已消毒”标识，门口有工作人员负责为前来办理业务的客户测温、登记。大厅内，每个窗口仅有一人在办理业务，其他人在等待区保持一米距离并分开落座。无论是在窗口还是在自助机上办理业务，都能看到“已消毒”字样。工作人员告诉记者，邮政各经营网点每日对营业大厅地面、柜台、机具设备、座椅、各类凭证材料进行消毒处理，门把手、自助机按键等易接触物体表面也会反复擦拭消毒。对前来办理业务的市民严格落实扫码、测温、登记等流程，避免人员聚集。
据了解，市邮政管理局要求邮政快递营业场所和末端网点，对办理业务的人员要测量体温、查验“双码”。同时，市邮政管理部门深入分拨中心、基层网点开展督导检查、网络视频巡查，督促寄递企业严格执行戴口罩、测体温、亮“双码”、保持间隔等规定，坚决织密筑牢疫情防控网。
中小学校
实名登记“双码联查”
“大家提前准备好健康码和接种码，配合学校查验……”“谢谢大家的配合，还得看一下各位老师的行程卡，咱们严格点，也都是为了孩子好！”昨天16时，在淅淅沥沥的小雨中，天津智桥体育训练中心负责人石磊带领5名篮球教练，来到河西区平山道小学。在校门口，校园安保人员仔细查验了6个人的健康码、接种码和行程卡；登录校园智慧系统，看到6个人的入校申请已经得到“批准”，这才选择了“放行”。随后，一行人通过测温通道，进入学校为即将开始的课后服务作准备。
这个学期，我市中小学全面开展课后服务。平山道小学与专业的体育训练中心合作，为学生开设篮球素质拓展活动。每天会有专业的教练进入校园，对学生进行训练。“只要是外来人员入校，都要进行严格的申报和审批，并且需要‘双码’查验。”校长韩洪涛说。
据了解，我市中小学严格实行校园管理，严控无关人员、车辆进校，严格落实进校审批、实名登记、身份核验、体温检测、“双码”联查以及通信大数据行程卡查验。https://t.cn/A6MziUre
少年儿童活动中心
教学楼内二次测温
“请您戴好口罩，出示健康码、接种码。”“不好意思，刚才出门着急，忘了戴口罩。”“没关系，这次我们为您提供一个一次性口罩，下次千万别再忘了……”昨天18时，绵绵细雨中，家住河西区隆昌路的付女士带着8岁的女儿，到天津市少年儿童活动中心（河西区文化中心区域）参加国际象棋课程。负责查验“双码”的工作人员，又为付女士和孩子进行了测温。随后，母女俩进入中心。
记者在中心门前看到，教学楼入口处悬挂着“请出示健康码、接种码”的扩音喇叭，反复进行着防疫提示。入口处安保人员对外来人员进行测温和“双码”查验，提示家长戴好口罩。进入教学楼内还要进行仪器二次测温。“在防疫过程中，我们坚持‘严查’和‘提示’两原则，同时通过人性化管理，做好各项防疫工作。例如对于没带手机的家长，坚持实名信息登记，严格把好疫情防控安全关。”少年儿童活动中心相关负责人表示。
武清区集市
提醒摊贩定时消毒
“村民们好，为了疫情防控安全，进入集市前，请大家自觉戴好口罩，主动出示健康码、接种码，量体温……”一大早，在武清区崔黄口镇农贸集市入口处，多位工作人员正在对进入集市的村民们逐个查验“双码”、量体温，大喇叭在进行广播提示。
副镇长王建东介绍，农贸集市有300多个摊贩，赶集的村民有500多人，辐射周边多个村镇。为确保疫情防控安全，他们同集市主管企业全面加强疫情防控各项措施的落实，对进入集市的每一名村民严格测体温、查验“双码”。同时，提醒摊贩对场地定时消毒，及时清除垃圾，搞好环境卫生。
记者看到，在集市入口处，绝大多数村民都拿出手机主动出示“双码”，只有一些老人因为没有智能手机，无法亮码。“老奶奶，您是哪个村的？身份证号是多少？近期去过外地吗？”在集市入口处，一位姓李的70多岁老人没有智能手机，无法查验“双码”，一名工作人员主动上前给老人测体温，另一名工作人员按照疫情防控要求逐项登记。测温、登记完后，工作人员还给老人更换了一个新口罩，老人笑着走进集市。
蓟州盘山景区
预约限流无接触购票
“您好，请打开手机，出示健康码、疫苗接种码。”昨天的蓟州盘山景区秋雨蒙蒙，但依然迎来不少游客。在入口，工作人员对进入景区的游客逐一测体温，查看健康码、接种码，游客们都戴着口罩，接受测温，并主动打开手机亮出“双码”。
盘山景区负责人荣祖成介绍，随着中秋节的临近，游客数量明显增加，为确保疫情防控安全，景区配备20多名工作人员在景区入口处对所有游客查验健康码、疫苗接种码，并查看14天行程码，确保万无一失。对于一些没有智能手机单独出游的老年游客，工作人员对其进行相关身份信息登记，并咨询询问14天行程，确保疫情防控不留空白点。
记者看到，售票大厅内，游客们按照一米线要求，自动间隔排队。电子屏幕上滚动播出疫情防控各项要求和景区相关规定。景区实行预约、限流、网上无接触购票，售票大厅内空气流通、定期消毒。在游览过程中，景区工作人员不断提醒游客不聚集，不扎堆，景区厕所干净整洁，还给游客配备了消毒液，免费使用。
国家会展中心
织密筑牢疫情防控网
“您好，请戴好口罩，出示健康码、疫苗接种码、行程码，有序入场。”昨天上午，在国家会展中心（天津）展馆区1号门入口处，工作人员耐心仔细地提示、验码，每一位来访人员也都积极配合工作人员查验，出示相关信息。对一些暂时没有接种新冠病毒疫苗的访客，工作人员认真登记、留存信息。
天津海展会议展览有限公司副总经理武勇杰说，展馆每天4小时一次对电梯、卫生间等公共区域进行擦拭消毒。在各馆主通道门口、会议室连廊区域设置医用废弃物专用垃圾桶，及时清运并进行消毒。在所有门岗及南登录大厅礼宾岗处备有防疫物品。隔离点处配备水银体温计、75%医用酒精、一次性医用口罩、含氯消毒剂等防疫物资。
海河游船
实行“双码联查”巡查制
“尊敬的各位游客，请您携带身份证原件，提前十分钟至码头安检处，出示‘健康码’和‘疫苗接种码’，保持1.5米防控距离，测量体温后验票有序登船。感谢您的配合，祝您海河之旅旅途愉快。”走近游船码头，码头内外的广播、LED大屏幕循环播放着防疫提示。
“我们严格落实部署疫情防控工作，制定了严格的程序和措施。”海河游船市场部负责人表示，游船已全面实行了网上实名制预约乘船；严格控制游客规模，确保接待游客量不超过最大承载量的75%。“在游客进入码头前，工作人员会严格查验每一位游客的健康码和疫苗接种记录并测温，无疫苗接种记录的游客须进行详细登记后进入，对于中高风险地区的游客不予接待。行船过程中，工作人员还会全程进行巡查，舱内保持通风，引导游客按照标识就座，游览全程佩戴口罩，保证游客在游览过程中保持安全距离。”记者看到，安监室、码头等区域每1小时进行1次全面消杀作业,码头上也设置了隔离室。
市第三中心医院
入院前先扫行程码
“大家排好队，戴好口罩，提前用手机扫行程码，注意保持间隔。”工作人员张健玉不断重复着这些提示。昨天一早，记者来到市第三中心医院，很多患者正在大桥道大门入口排队，等候验码测温后入院看病。
记者看到，大门口醒目地张贴着关于出示行程卡的提示，入口处有工作人员检查行程卡和测温，查完行程卡还需要再刷一次手机查验入院登记码。经工作人员引导，患者就医排队有序，基本保持一米距离并戴好口罩。进入院区后，患者及家属还需按照标识指引从规定通道有序进入门急诊楼，工作人员会在进楼前完成第二次体温检测、入院登记码查验、流行病学史调查等预检分诊工作。
邮政快递网点
避免办理业务人员聚集
“您好，请出示健康码和行程码……”在天津邮政和平路赤峰道网点门口，记者看到大门上贴着“已消毒”标识，门口有工作人员负责为前来办理业务的客户测温、登记。大厅内，每个窗口仅有一人在办理业务，其他人在等待区保持一米距离并分开落座。无论是在窗口还是在自助机上办理业务，都能看到“已消毒”字样。工作人员告诉记者，邮政各经营网点每日对营业大厅地面、柜台、机具设备、座椅、各类凭证材料进行消毒处理，门把手、自助机按键等易接触物体表面也会反复擦拭消毒。对前来办理业务的市民严格落实扫码、测温、登记等流程，避免人员聚集。
据了解，市邮政管理局要求邮政快递营业场所和末端网点，对办理业务的人员要测量体温、查验“双码”。同时，市邮政管理部门深入分拨中心、基层网点开展督导检查、网络视频巡查，督促寄递企业严格执行戴口罩、测体温、亮“双码”、保持间隔等规定，坚决织密筑牢疫情防控网。
中小学校
实名登记“双码联查”
“大家提前准备好健康码和接种码，配合学校查验……”“谢谢大家的配合，还得看一下各位老师的行程卡，咱们严格点，也都是为了孩子好！”昨天16时，在淅淅沥沥的小雨中，天津智桥体育训练中心负责人石磊带领5名篮球教练，来到河西区平山道小学。在校门口，校园安保人员仔细查验了6个人的健康码、接种码和行程卡；登录校园智慧系统，看到6个人的入校申请已经得到“批准”，这才选择了“放行”。随后，一行人通过测温通道，进入学校为即将开始的课后服务作准备。
这个学期，我市中小学全面开展课后服务。平山道小学与专业的体育训练中心合作，为学生开设篮球素质拓展活动。每天会有专业的教练进入校园，对学生进行训练。“只要是外来人员入校，都要进行严格的申报和审批，并且需要‘双码’查验。”校长韩洪涛说。
据了解，我市中小学严格实行校园管理，严控无关人员、车辆进校，严格落实进校审批、实名登记、身份核验、体温检测、“双码”联查以及通信大数据行程卡查验。https://t.cn/A6MziUre
#芯片# 【第三代半导体来了！芯片版图会改写吗？】作为当前芯片制造行业的主流技术，硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
基础+集成：改变行业版图
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
基础+集成：改变行业版图
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
【第三代半导体来了，芯片行业会“变天”吗？[思考]】5纳米、2纳米、1纳米……作为当前芯片制造行业的主流技术，硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
相关论文信息：
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【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
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【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
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