#30天30大球星评选# 安东尼-戴维斯以60%的得票率当选No.10球星
2021-22赛季即将开始,虎扑一年一度的30天30大球星评选也准时开启,在昨天No.10球星的评选中,安东尼-戴维斯以38207票,60%的得票率,当选虎扑30天30大球星评选No.10球星。2020-21赛季常规赛,戴维斯代表湖人出战,场均可以得到21.8分7.9篮板3.1助攻1.3抢断1.6盖帽。
目前,30天30大球星评选No.11球星的投票正在进行中。
#上虎扑看篮球新闻#
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北京时间9月29日凌晨3时,2020-21赛季欧冠小组赛B组第二轮一场焦点战拉开帷幕,意甲传统豪门AC米兰坐镇主场圣西罗大球场迎战马竞。上半场比赛,雷比奇失单刀,莱奥首开纪录+倒钩中框,迪亚斯贡献助攻,凯西两黄变一红被罚下。下半场比赛,格列兹曼在第84分钟时将比分扳平,第94分钟,马竞获得点球机会,苏亚雷斯一蹴而就。最终全场比赛结束,10人米兰在主场以1-2的比分遭到了马竞的绝杀。#体育##足球#
#港股[超话]#方正证券——赛晶科技(0580.HK):IGBT新起之秀
深耕电力电子器件制造。赛晶科技传统业务为电力电子器件制造,主要应用于输配电、电气化交通、工业及其他领域。输配电领域,公司阳极饱和电抗器已应用到国内40 多个特高压直流项目中。电气化交通领域,中国中车集团、比亚迪,是赛晶长期的合作伙伴。工业及其他领域应用包括工业电解冶金、化工、采矿等行业的电能应用。
召集国际一流技术团队,布局IGBT 应用。公司2018 年开始研发电动汽车用IGBT;2019 年启动IGBT 研发生产项目,并成立瑞士SwissSEM、浙江赛晶半导体公司;2020 年公司发布首款自研产品1200V/250A 的i20 IGBT 芯片和1200V/750A 的ED-TypeIGBT 模块,同时启动生产线建设。公司IGBT 应用主要面向电动汽车、新能源发电和工业电控市场,技术研发团队来自国际一流厂商ABB,管理团队也来自英飞凌等行业领先企业。
首款IGBT 芯片Q4 进入稳定量产,下一代车载IGBT 模块发布。
今年6 月份,公司IGBT 产线正式竣工,i20 芯片进入试生产阶段,预计今年Q4 步入稳定量产阶段。公司的i20 芯片优于其他国际主流厂商的第4 代芯片。同时,公司继续发布下一代车载单面冷却IGBT 模块EV-Type 模块。新模块包含两个1200V/250A芯片组,电流密度高,但尺寸仅为ED-Type 模块的1/3。
聚焦IGBT 背面工艺和封测,规划7 条IGBT 产线。IGBT 芯片制造环节分为正面工艺和背面工艺,正面工艺比较标准,主要为光刻;背面工艺为特色工艺,包括离子注入、退火和剪包,对IGBT 芯片的性能具有决定性作用。公司IGBT 项目总投资52.5亿元,一期投资17.5 亿元,规划建设2 条IGBT 芯片背面工艺生产线、5 条IGBT 模块封装测试生产线,建成后年产能200 万件IGBT 模块产品,后期公司还将继续完善自己的芯片背面线。
新产品持续研发设计中,未来前景可期。公司基于为沟槽技术的i21 代IGBT 芯片正在研发设计中,目标达到第七代IGBT 的技术水平。此外,公司碳化硅产品布局也正在启动中,第一步聚焦碳化硅模块,预计明年推出第一代产品;第二步更进一步到碳化硅芯片,规划3-4 年后推出相关产品。
盈利预测: 我们预计公司2021-2023 年营业收入分别为11.5/13.5/15.6 亿元,归母净利润分别为0.3/1.0/2.2 亿元,首次覆盖,给予“推荐”评级。
风险提示:(1)产品研发不及预期;(2)产品市场开拓不及预期;(3)产能紧缺影响出货;(4)估值假设和盈利预测的不可实现性。
深耕电力电子器件制造。赛晶科技传统业务为电力电子器件制造,主要应用于输配电、电气化交通、工业及其他领域。输配电领域,公司阳极饱和电抗器已应用到国内40 多个特高压直流项目中。电气化交通领域,中国中车集团、比亚迪,是赛晶长期的合作伙伴。工业及其他领域应用包括工业电解冶金、化工、采矿等行业的电能应用。
召集国际一流技术团队,布局IGBT 应用。公司2018 年开始研发电动汽车用IGBT;2019 年启动IGBT 研发生产项目,并成立瑞士SwissSEM、浙江赛晶半导体公司;2020 年公司发布首款自研产品1200V/250A 的i20 IGBT 芯片和1200V/750A 的ED-TypeIGBT 模块,同时启动生产线建设。公司IGBT 应用主要面向电动汽车、新能源发电和工业电控市场,技术研发团队来自国际一流厂商ABB,管理团队也来自英飞凌等行业领先企业。
首款IGBT 芯片Q4 进入稳定量产,下一代车载IGBT 模块发布。
今年6 月份,公司IGBT 产线正式竣工,i20 芯片进入试生产阶段,预计今年Q4 步入稳定量产阶段。公司的i20 芯片优于其他国际主流厂商的第4 代芯片。同时,公司继续发布下一代车载单面冷却IGBT 模块EV-Type 模块。新模块包含两个1200V/250A芯片组,电流密度高,但尺寸仅为ED-Type 模块的1/3。
聚焦IGBT 背面工艺和封测,规划7 条IGBT 产线。IGBT 芯片制造环节分为正面工艺和背面工艺,正面工艺比较标准,主要为光刻;背面工艺为特色工艺,包括离子注入、退火和剪包,对IGBT 芯片的性能具有决定性作用。公司IGBT 项目总投资52.5亿元,一期投资17.5 亿元,规划建设2 条IGBT 芯片背面工艺生产线、5 条IGBT 模块封装测试生产线,建成后年产能200 万件IGBT 模块产品,后期公司还将继续完善自己的芯片背面线。
新产品持续研发设计中,未来前景可期。公司基于为沟槽技术的i21 代IGBT 芯片正在研发设计中,目标达到第七代IGBT 的技术水平。此外,公司碳化硅产品布局也正在启动中,第一步聚焦碳化硅模块,预计明年推出第一代产品;第二步更进一步到碳化硅芯片,规划3-4 年后推出相关产品。
盈利预测: 我们预计公司2021-2023 年营业收入分别为11.5/13.5/15.6 亿元,归母净利润分别为0.3/1.0/2.2 亿元,首次覆盖,给予“推荐”评级。
风险提示:(1)产品研发不及预期;(2)产品市场开拓不及预期;(3)产能紧缺影响出货;(4)估值假设和盈利预测的不可实现性。
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