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#每天一位女科学家[超话]#
赵建华，半导体专家，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员。1985年本科毕业于吉林大学物理系，1999年获中科院物理所凝聚态物理专业博士学位。
她主要从事半导体自旋电子学研究工作，具体进行磁性半导体、半金属、铁磁金属及其异质结构的分子束外延生长；半导体磁性量子结构自旋调控；半导体自旋电子器件设计及其物理原理研究。带领其研究团队取得了多项重要的前沿性成果，部分成果进入国际先进行列。她带领团队制备出高质量的(Ga,Mn)As 磁性半导体薄膜，两次刷新其居里温度的国际纪录，2011年达到200K，迄今仍居国际领先位置；利用Co2FeAl与(Ga,Mn)As双层膜界面处的磁近邻效应将界面处(Ga,Mn)As层中厚度约1.6 nm薄层中的Mn离子的铁磁有序保持到400K；在GaAs上制备出了高质量具有超大垂直磁各向异性L10相Mn1.5Ga单晶薄膜，该类不含贵金属和稀土的薄膜在制备高热稳定性、抗电磁干扰的半导体自旋电子器件方面具有较大潜力；国际上率先利用Ga液滴自催化方法Si上生长出全闪锌矿结构GaAs/(Ga,Mn)As核-壳同轴纳米线等。
她自2004年以来在半导体自旋电子学方面的国际会议上做邀请报告25次，迄今以第一作者、通讯作者和合作者身份在国内外著名刊物上发表论文120 篇。她的研究结果曾获2000年国家技术发明二等奖等多项省部级奖励。

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