【GAA技术成为胜负关键，三星表示目前GAA制程研发进度领先台积电】
8月26日消息，如今全球面临芯片短缺的问题，芯片行业成为全世界的焦点行业，全球各大芯片代工厂中，台积电现在已经有了世界第一的趋势，虽然三星在近几代的工艺制程都要落后于台积电，但是此次3nm工艺的更新，三星还有赶超台积电的机会。
据韩国媒体报道，三星电子设备解决方案 (DS) 业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，全环绕栅极 (GAA) 技术将尽早实现商业化，该技术是下一代晶圆代工微制造工艺的核心。Jeong在8月25日举行的三星技术与职业论坛上表示，目前三星在GAA技术的研发进度正在领先于竞争对手台积电，一旦三星能够早一步做出突破，实现GAA技术的正式商用，三星的代工业务将会得到进一步发展。GAA技术是3nm工艺的关键部分，截止到2020年，三星在GAA技术的专利占据全球GAA专利的20.6%，台积电则是31.4%，不过最后两家谁能提前一步将GAA技术正式商用还是未知数。

功耗直接砍半[并不简单]三星：3nm GAA工艺研发进度领先台积电

虽然目前来看，下一代芯片普遍依然采用5nm工艺打造，但是厂商却一直在耗费巨资开发3nm工艺，其中台积电就表示将要在明年量产3nm工艺。

不过，消息称台积电依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，并且还成功流片，距离实现量产更近了一步。

据韩媒Business Korea最新报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。

他直言：“我们开发中的GAA技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据悉，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准，当时三星预计3nm GAA工艺会在2020年底试产，2021年量产，但现在显然不能实现这个计划了。#三星#

【功耗直接砍半！三星：3nm GAA工艺研发进度领先台积电】据韩媒Business Korea最新报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。他直言：“我们开发中的GAA技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加成长。”根据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。https://t.cn/A6IYoNOc