泰晤士2021年度世界大学排名发布，一起看下韩国大学和中国大陆大学的表现吧！
韩国共有35所大学进入榜单，前十分别是：
60 首尔大学
96 KAIST
101 成均馆大学
151 postech
167 高丽大学
176 unist
187 延世大学
241-300 庆熙大学
301-350 世宗大学
351-400 汉阳大学

泰晤士排名和QS世界大学排名差别还是挺大的，汉阳大学qs世界150，泰晤士350后。仅供参考吧！

【[世界大学评价] 首尔大学第60位...KAIST 96位】首尔大学在世界大学排名中位居第60位，稳居国内第一。紧随其后的是KAIST，排名第96位，跃居国内第2位。在韩国国内排名第3的是成均馆大学，排名第101位。英国全球大学评估机构THE(Times Higher Education)2日通过‘THE世界大学排名2021(THE World University Rankings 2021)’公开了上述结果。在此次评估中，93个国家排名前1527位的大学榜上有名。今年，英国牛津大学获得了世界最高大学的荣誉。牛津大学连续5年保持世界第一。美国斯坦福大学和哈佛大学分列第2和第3位。中国清华大学在亚洲大学中首次排名世界第20位。进入世界前200名的国内大学有首尔大学、KAIST、成均馆大学、浦项工科大学（151位）、高丽大学（167位）、UNIST（176位）、延世大学首尔校区（187位）等7所大学。

【韩科学家发现全新储存技术，可让存储器容量增加 1,000 倍】
如何提升存储器的储存容量，是存储器产业永不变的目标，如今，这项进展又有了新突破。根据外国媒体 Tech Explorist 报导，韩 UNIST 能源与化学工程学院教授 Jun Hee Lee 与研究团队发现了一种新的物理现象，有望将存储器芯片的储存容量提升 1,000 倍；目前研究团队正致力将此物理现象用于铁电随机存储器（FRAM）。

FRAM 透过所谓的极化现象储存讯息，优点在于速度更快、功耗更低，甚至电源关闭后仍能保留储存的资料；而目前对 FRAM 的技术研究，多集中在减小铁电域大小同时还能保持存储容量；因铁电域形成（发生自发极化的微小区域）至少需要成千上万个原子。

而报导指出，Lee 与其带领的 UNIST 团队，发现透过添加一滴电荷到称为铁电氧化 Ha（HfO2）的半导体材料，可控制 4 个单独的原子储存 1 位数据；经适当应用后，存储器储存容量可达每平方公分 500Tbit，是目前快闪存储器的 1,000 倍。

Lee 表示，此技术将有助于加速存储器缩小，且透过这种技术，有望将存储器储存容量扩大1,000 倍，同时也有助于研发低成本的 FRAM 或铁电场效晶体管。