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#Vishay 新品推荐# Vishay 推出 PowerPAK® 1212‑8S 封装 200VN 沟道 MOSFET:Vishay 推出新型 200V n 沟道 MOSFET,器件采用热增强型 3.3mm x 3.3mm PowerPAK®1212-8S 封装,10V 条件下典型导通电阻达到业内最低的 61mΩ。同时,经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积,即 MOSFET 开关应用重要优值系数(FOM)为854mΩ*nC。节省空间的 Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度,占位面积比采用 6mm x 5mm 封装相似导通电阻的器件减小 65%。产品详情戳:https://t.cn/A6bMJX1S
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