芯片前道工艺细分的后段工艺（Back end of line，BEOL），主要壁垒在于保证层间介质、钝化层等薄膜的致密性、均匀性等。后段工艺指形成能将电信号传输到芯片各个器件的互联线，包括金属间介质层沉积、金属线条形成、引出焊盘等工艺，按照功能不同，分类如下：
1、金属间介质层（IMD）/阻挡层/钝化层等：一般用SiO2及低k介质制作IMD，使用Ti/TiN/TaN/Ta等作为阻挡层，使用Si3N4等作为阻挡层，要求沉积的薄膜致密性好，隔离能力强。IMD/阻挡层薄膜主要防止不同金属层或者导线与介质层之间杂质的相互扩散，钝化层用来防止最后一层金属在封测过程中受到污染，因此要求薄膜的致密性好，隔离和绝缘能力强，其中阻挡层还要求厚度很薄（8nm）并且与铜和介质材料的粘附性都很好。
2、金属籽晶层与金属层：使用W/Al/Cu作为籽晶层，Al/Cu作为金属布线，要求沉积的导线电阻率低、导电能力强。在创建金属互连层过程中，沉积扩散阻挡层是第一步，用于防止层间介质层的金属污染；电镀方法沉积的金属较PVD法具有更低的电阻率和更好的填充特性，因此一般用电镀沉积后段金属层，但是电镀不能在高电阻的阻挡层上面成核，需要先使用PVD方法在阻挡层上沉积的一层W/Cu，用作电镀Cu等金属前的种子层；最后采用电镀方法在籽晶层上面填充Al/Cu等金属核，起到金属互连的作用。
3、硬掩膜（Hardmask）：使用SiO2、Si3N4、TiN、非晶碳（ACHM）等，主要用于多重曝光工艺等。在制程进步到90nm以下时，光刻尺寸越来越小，需要在晶圆表面形成硬掩膜层配合光刻胶形成掩膜图形，之后通过刻蚀将其去除。传统的硬掩膜层为SiO2、Si3N4等，硬度比较有限，逐渐被金属硬掩膜例如TiN、掺杂碳的非晶硅（ACHM）等替代。
4、焊盘（pad）：主要使用Al/Cu/合金，要求沉积的薄膜硬度足够高。焊盘位于钝化层的上方，用于将芯片中最后一层金属层和PCB板键合起来。焊盘一般为Al/Cu/合金衬垫（pad），需要承受住检测或者键合带来的机械压力。#芯片 #芯片制造 #电子芯片 #半导体芯片 #集成电路 #半导体 #半导体设备 #薄膜 #IC #晶圆
1、金属间介质层（IMD）/阻挡层/钝化层等：一般用SiO2及低k介质制作IMD，使用Ti/TiN/TaN/Ta等作为阻挡层，使用Si3N4等作为阻挡层，要求沉积的薄膜致密性好，隔离能力强。IMD/阻挡层薄膜主要防止不同金属层或者导线与介质层之间杂质的相互扩散，钝化层用来防止最后一层金属在封测过程中受到污染，因此要求薄膜的致密性好，隔离和绝缘能力强，其中阻挡层还要求厚度很薄（8nm）并且与铜和介质材料的粘附性都很好。
2、金属籽晶层与金属层：使用W/Al/Cu作为籽晶层，Al/Cu作为金属布线，要求沉积的导线电阻率低、导电能力强。在创建金属互连层过程中，沉积扩散阻挡层是第一步，用于防止层间介质层的金属污染；电镀方法沉积的金属较PVD法具有更低的电阻率和更好的填充特性，因此一般用电镀沉积后段金属层，但是电镀不能在高电阻的阻挡层上面成核，需要先使用PVD方法在阻挡层上沉积的一层W/Cu，用作电镀Cu等金属前的种子层；最后采用电镀方法在籽晶层上面填充Al/Cu等金属核，起到金属互连的作用。
3、硬掩膜（Hardmask）：使用SiO2、Si3N4、TiN、非晶碳（ACHM）等，主要用于多重曝光工艺等。在制程进步到90nm以下时，光刻尺寸越来越小，需要在晶圆表面形成硬掩膜层配合光刻胶形成掩膜图形，之后通过刻蚀将其去除。传统的硬掩膜层为SiO2、Si3N4等，硬度比较有限，逐渐被金属硬掩膜例如TiN、掺杂碳的非晶硅（ACHM）等替代。
4、焊盘（pad）：主要使用Al/Cu/合金，要求沉积的薄膜硬度足够高。焊盘位于钝化层的上方，用于将芯片中最后一层金属层和PCB板键合起来。焊盘一般为Al/Cu/合金衬垫（pad），需要承受住检测或者键合带来的机械压力。#芯片 #芯片制造 #电子芯片 #半导体芯片 #集成电路 #半导体 #半导体设备 #薄膜 #IC #晶圆
慕尼黑工业大学亚洲校区（2024年QS排名第37位）集成电路设计硕士MASTER OF SCIENCE IN INTEGRATED CIRCUIT DESIGN录取分享
恭喜同学！在我们的规划帮助下申请成功，继新加坡国立大跟南洋理工大学后又拿到了慕尼黑工业大学亚洲校区硕士录取！一起来看看同学的申请历程吧~（背景相似的同学欢迎滴滴我们）
学生背景
院校：电子科技大学
专业：物联网工程专业
GPA：85.34/100
雅思：6.5
录取情况
院校：慕尼黑工业大学亚洲校区
QS排名：2024QS世界大学排名第37位
录取专业：MASTER OF SCIENCE IN INTEGRATED CIRCUIT DESIGN
专业简写
国际集成电路设计理学硕士由南洋理工大学（NTU）和慕尼黑工业大学（慕尼黑工业大学，TUM）联合开设，旨在为快速发展的半导体行业培养下一代工程师和创业领袖。集成电路（IC）技术的变革对我们的日常生活产生了巨大影响。过去 50 年令人难以置信的技术进步使我们能够在单个集成电路上集成数十亿个晶体管。与此同时，单个晶体管的成本呈指数下降。结果是，每天都会出现新的有吸引力的 IC 应用，使半导体行业的增长速度远远快于整体经济的增长速度。然而，半导体行业在设计成功产品时智能利用所有这些晶体管的能力并没有跟上制造能力的步伐。因此，电子和半导体行业不断寻找受过良好教育的集成电路设计工程师。
成功完成本课程将使学生具备以下技术领域的能力： 1) 使用 EDA 工具和数字 IC 设计流程更深入地了解模拟 IC 设计； 2）设计方法和自动化以及系统级架构、建模和分析； 3）用于混合信号电路设计的半导体工艺技术和器件。
申请要求
为了有资格参加该课程，申请人必须至少拥有电气/电子工程或密切相关学科的学士学位；
雅思6.5或托福ibt88
申请日期
2023年10月1日至2024年4月15日
学费：新币 44,800元/学年
学制：2年
...........
更多相关信息请关注加美澳留学微信公众号#成都留学机构##成都留学中介##留学[超话]##留学申请[超话]##考研后留学##offer[超话]##慕尼黑工业大学[超话]##慕尼黑工业大学亚洲#
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学生背景
院校：电子科技大学
专业：物联网工程专业
GPA：85.34/100
雅思：6.5
录取情况
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QS排名：2024QS世界大学排名第37位
录取专业：MASTER OF SCIENCE IN INTEGRATED CIRCUIT DESIGN
专业简写
国际集成电路设计理学硕士由南洋理工大学（NTU）和慕尼黑工业大学（慕尼黑工业大学，TUM）联合开设，旨在为快速发展的半导体行业培养下一代工程师和创业领袖。集成电路（IC）技术的变革对我们的日常生活产生了巨大影响。过去 50 年令人难以置信的技术进步使我们能够在单个集成电路上集成数十亿个晶体管。与此同时，单个晶体管的成本呈指数下降。结果是，每天都会出现新的有吸引力的 IC 应用，使半导体行业的增长速度远远快于整体经济的增长速度。然而，半导体行业在设计成功产品时智能利用所有这些晶体管的能力并没有跟上制造能力的步伐。因此，电子和半导体行业不断寻找受过良好教育的集成电路设计工程师。
成功完成本课程将使学生具备以下技术领域的能力： 1) 使用 EDA 工具和数字 IC 设计流程更深入地了解模拟 IC 设计； 2）设计方法和自动化以及系统级架构、建模和分析； 3）用于混合信号电路设计的半导体工艺技术和器件。
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A week to go till the closing date (30 April 2024) of application for the following BRE taught postgraduate programmes (Sept 2024 entry):
oDoctor of International Real Estate and Construction (DIREC)(Pioneer in Hong Kong)
oMSc in Construction and Real Estate (CRE)
oMSc in Construction Law and Dispute Resolution (CLDR)
oMSc in Intelligent Construction (IC)
oMSc in Project Management (PM)
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More about #BRE: https://t.cn/A6C26TqV
More about Taught Postgraduate Programmes: https://t.cn/A6CqhZuS
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