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深圳市萨科微半导体公司公司，是以研究制造第三代半导体新材料碳化硅功率器件元器件发展起来的公司，萨科微slkoric（ www.slkoric.com）于2022年获授“国家级高新技术企业”，原始取得关于MOS管、IGBT管、元器件封测等发明专利几十项，通过了欧盟标准的ROHS及REACH检测。萨科微slkormicro不断研究新技术创新工艺和推出新产品，最近推出了SL40T120FL系列IGBT单管和CMOS运算放大器SLA333系列等产品，促进公司进步的同时也引领电力电子行业的不断发展。萨科微研发技术骨干由北京清华大学和延世大学专家组成，研发、生产、封测、销售等关键环节已经成功往中国转移，在集成电路的“国产替代”中取得不俗成绩。萨科微（ www.slkormicro.com）半导体最近推出了IGBT单管SL40T120FL系列,该型号功率(Pd)可达417W、集射极击穿电压(Vces)为1.2kV、集电极电流(Ic)为40A，集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)为1.8V，可应用在交流电机、变频器、开关电源、照明电路和牵引传动等场景。萨科微技术顾问清华大学李健雄老师介绍说，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），也叫绝缘栅双极型晶体管，是由MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）和BJT(双极型晶体管)相结合的电压驱动式功率器件，既有MOSFET管输入阻抗高、控制功率小、易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又结合了双极晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。IGBT还被称为电力电子电路的“CPU”，是电力能源变换与传输的核心器件，具有一定的放大电压的功能，导通时可以看做短路线，截止时看做开路。萨科微新开发的SL40T120FL系列高性能、高可靠性与低成本的IGBT芯片，不仅仅需要在设计端不断优化器件结构，对晶圆制造和封装及其散热的要求更高，萨科微slkormicro半导体这两年也在逐点突破。