【门框泡水腐烂https://t.cn/A6pUdgSr用华亨修补膏,自己修复,省心省力】【红烧鲈鱼】鲈鱼去鳞、内脏后洗净,笋切片;鱼身斜切一厘米深的刀口,抹上淀粉,下油锅炸至表面金黄;重新起锅热油,放入葱姜蒜和笋片煸炒,接着放入八角、料酒、酱油、盐、糖、醋和两杯水,烧开后放入鱼中火炖,到汤汁收紧变粘稠,点少许鸡粉入盘,撒葱花或香菜即可。
【门框泡水腐烂https://t.cn/A6pUdgSr用华亨修补膏,自己修复,省心省力】【高升猪蹄】1、烧开一锅水放入猪蹄焯水后洗净。2、热锅倒油放姜蒜爆香,倒入焯过水的猪蹄翻炒至表面略焦。3、调入1汤匙料酒,2汤匙醋,3汤匙白糖,4汤匙鲜味酱油翻炒均匀,倒入砂锅里。4、加入足量清水,大火烧开,小火慢炖2小时左右。煮至猪蹄酥烂。5、大火收汁,撒上香菜碎即可。
SiC模组的发展路径
更小的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势,体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求,也对现有封装技术提出更高的要求,目前中国的功率模块封装创新主要朝着如下几个方向在走:
●更先进的连接材料以及连接工艺,以承受更高的温度变化
功率模块中主要使用3种陶瓷覆铜板:AI2O3-DBC热阻最高,但是制造成本最低;AlN-DBC热阻最低,但韧性不好;Si3N4-AMB陶瓷材料热阻居中,韧性极好,热容参数也更出色,可靠性远超AlN和AI2O3,使得模块散热能力、电流能力、功率密度均能大幅提升,非常适合汽车级的碳化硅模块应用。
●更短的连接路径以及更先进的连接技术,以降低杂感来适应器件高频特性
银烧结是目前碳化硅模块领域最先进的焊接技术,可充分满足汽车级功率模块对高、低温使用场景的严苛要求。相较于传统锡焊技术,银烧结可实现零空洞,低温烧结高温服役,焊接层厚度减少60-70%,适合高温器件互连,电性能、热性能均优于锡焊料,电导率提高5-6倍,热导率提高3-4倍。很多企业已经尝试将功率模块内部中的所有传统焊料升级迭代为银烧结工艺,包括芯片,电阻,传感器等。
为进一步提升模块电性能及可靠性,尝试的方向是采用DTS+TCB(Die Top System + Thick Cu Bonding)技术,在常温条件下通过超声焊接将粗铜线与AMB基板、及芯片表面的覆铜片进行键合连接,实现彼此间的电气互联。相较铝线键合,模块寿命可提升3倍以上,且电流和导热能力可大幅提升。
●更集成的封装结构设计以及电路拓扑,以进行更好的系统热管理
为使模块产品热路径设计更紧凑,促使逆变器系统集成设计更紧凑高效,进一步降低整体系统逆变器成本,通过封装形式的改变,改善散热性以及通流能力。采用多芯片并联的内部结构,各并联主回路和驱动回路参数基本一致,最大程度保证并联芯片的均流性。模块内部封装有温度传感器(PTC),且PTC安装在靠近芯片的模块中心位置,得到了一个紧密的热耦合,可方便精确地对模块温度进行测量。
#芝能日报##芝能智芯#
更小的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势,体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求,也对现有封装技术提出更高的要求,目前中国的功率模块封装创新主要朝着如下几个方向在走:
●更先进的连接材料以及连接工艺,以承受更高的温度变化
功率模块中主要使用3种陶瓷覆铜板:AI2O3-DBC热阻最高,但是制造成本最低;AlN-DBC热阻最低,但韧性不好;Si3N4-AMB陶瓷材料热阻居中,韧性极好,热容参数也更出色,可靠性远超AlN和AI2O3,使得模块散热能力、电流能力、功率密度均能大幅提升,非常适合汽车级的碳化硅模块应用。
●更短的连接路径以及更先进的连接技术,以降低杂感来适应器件高频特性
银烧结是目前碳化硅模块领域最先进的焊接技术,可充分满足汽车级功率模块对高、低温使用场景的严苛要求。相较于传统锡焊技术,银烧结可实现零空洞,低温烧结高温服役,焊接层厚度减少60-70%,适合高温器件互连,电性能、热性能均优于锡焊料,电导率提高5-6倍,热导率提高3-4倍。很多企业已经尝试将功率模块内部中的所有传统焊料升级迭代为银烧结工艺,包括芯片,电阻,传感器等。
为进一步提升模块电性能及可靠性,尝试的方向是采用DTS+TCB(Die Top System + Thick Cu Bonding)技术,在常温条件下通过超声焊接将粗铜线与AMB基板、及芯片表面的覆铜片进行键合连接,实现彼此间的电气互联。相较铝线键合,模块寿命可提升3倍以上,且电流和导热能力可大幅提升。
●更集成的封装结构设计以及电路拓扑,以进行更好的系统热管理
为使模块产品热路径设计更紧凑,促使逆变器系统集成设计更紧凑高效,进一步降低整体系统逆变器成本,通过封装形式的改变,改善散热性以及通流能力。采用多芯片并联的内部结构,各并联主回路和驱动回路参数基本一致,最大程度保证并联芯片的均流性。模块内部封装有温度传感器(PTC),且PTC安装在靠近芯片的模块中心位置,得到了一个紧密的热耦合,可方便精确地对模块温度进行测量。
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