【美国地质勘探局】发布，09-02 14:12:38 在东京东北海域（纬度:36.74°N 经度:142.18°E ） 发生4.5级地震，震源深度:20.0公里

09-01 16:56:26 在本州东北海域（纬度:39.58°N 经度:143.29°E ） 发生4.4级地震，震源深度:28.0公里

08-31 05:17:18 在 本州东部近海（纬度:37.74°N 经度:141.94°E ） 发生4.6级地震，震源深度:49.0公里

参见：https://t.cn/A6O5ysyz

东芝通过增加四引脚 SiC MOSFET 来减少损失，东芝为其最新的第三代碳化硅 MOSFET 选择了四引脚封装！

东芝表示：TWxxxZxxxC 系列器件是东芝首款采用 TO-247-4L(X) 封装且具有第四个引脚的 SiC 产品。这允许为栅极驱动提供信号源端子的开尔文连接，从而减少内部源极线的寄生电感效应并提高高速开关性能。与现有的三引脚 TO-247 TW045N120C 相比，选择新型 TW045Z120C 的开通损耗降低约 40%，关​​断损耗降低约 34%。

TWxxxZxxxC 内有五个 650V 和五个 1200V MOSFET，典型漏源导通电阻范围为 15mΩ 至 140mΩ。与低栅漏电荷值相结合，即使在高频应用中也能实现低损耗”。该系列的最大连续漏极电流为 100A。

东芝 4pin TO-247 MOSFET 导通采用三引脚或四引脚封装开启（800Vdd、20A Id、0-18Vgs、4.7Ω Rg、25°C、100μH 负载）而 1.2kV TW045Z120C，是一款 40A（25°C、30A 连续或 100°C 82A 脉冲）、45mΩtyp（67mΩtyp 150°C）器件。栅极漏极电荷为8.9nC，栅极-源极电荷为21nC，总栅极电荷为57nC。反向恢复电荷和时间分别为297nC和54ns，电流峰值为11A（800V，13A，1kA/μs，Vg=0V）。

该封装的额定功率高达 182W，通道运行温度高达 175°C – 通道至外壳电阻为 0.824°C/W。

该东芝MOSFET预计应用在工业开关 PSU 服务器、数据中心、电动汽车充电器、光伏逆变器和不间断电源设备中。#东芝##MOSFET##MOSFET[超话]##三引脚##四引脚##栅极##maxim发布隔离栅极驱动器##碳化硅##芯片[超话]##东芝芯片##深圳·赛格科技园[地点]#

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