半导体芯片失效分析实验室汇总
随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。
半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。
半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：
1.失效分析
如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。
2.质量控制
半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。
半导体芯片失效分析实验室汇总
1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室
（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。
通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼
联系人：赵工

2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室
南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。
3.上海半导体研究所失效分析实验室
上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验 https://t.cn/A6pPebc2
随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。
半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。
半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：
1.失效分析
如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。
2.质量控制
半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。
半导体芯片失效分析实验室汇总
1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室
（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。
通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼
联系人：赵工

2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室
南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。
3.上海半导体研究所失效分析实验室
上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验 https://t.cn/A6pPebc2
半导体IC芯片开封方法
半导体工程师 2023-05-23 08:57 发表于北京
芯片开封的目的
开封后，我们能清晰看到芯片表面状态，观察芯片划片道是否有崩边、裂纹，观察芯片表面是否存在异常，观察芯片logo信息，测量芯片尺寸和键合线线径，观察键合线材质，观察钝化层的完整性等芯片内部信息。
图片
一般常用的开封方法
有化学开封、机械开封、激光开封，Decap实验室可以处理几乎所有的IC封装形式，键合线类型(Au、Cu、Ag、Al)。针对不同的键合线类型有不同的腐蚀方法，聚合物树脂被腐蚀液腐蚀成易溶于丙酮的低分子化合物。在超声波的作用下，低分子化合物被清洗掉，从而暴露出芯片表面。
Au线腐蚀液：发烟硝酸（工作温度100度）
Cu线腐蚀液：发烟硝酸5：硫酸3（工作温度100度）
Ag线腐蚀液：发烟硝酸+碘少量，混合成乳白色即可（工作温度100度）
Al线腐蚀液：发烟硝酸（IC器件工作温度100度，大功率器件工作温度85度）
激光开封
图片
激光开封机ADVANCED PST-2000
芯片开封前用X射线透视仪观察晶圆在塑封中的位置并识别键合线类型，在激光开封机上对应芯片晶圆位置，选择合适开封区域（大于晶圆位置即可，开封后要保证有一个凹槽，防止下一步腐蚀液外溢，损伤引脚），选择合适的扫描速度和功率，激光开封机减薄至键合丝出现，待化学开封。
化学开封
图片
化学开封机
根据键合线类型，将电炉调整合适工作温度，将芯片放在电炉上加热，芯片正面朝上。用吸管吸取少量化学腐蚀液，滴在经激光开封后的凹槽中，树脂表面发生化学反应，出现气泡。反应稍微停止后，再滴一次。连续滴5-10滴后，用镊子夹住，用盛有丙酮的洗瓶将腐蚀的塑封料吹走。芯片放入含丙酮的烧杯中，在超声波机中清洗2-5分钟，然后取出再滴。重复这一步骤，直到芯片完全暴露出来。最后，反复用干净的丙酮清洁，以确保芯片表面没有残留物。
将所有产品一次放入98%的浓硫酸中煮沸。这种方法更适合样品量大，要求不高，只需要观察芯片表面是否破裂。需要注意的是，操作过程中要注意安全。
机械开封
针对空封器件，使用机械开封机，将空封器件金属盖剪切下来，或者使用研磨的方法将空封器件金属盖周边磨至接合处（明显看到接缝又没有完全开，如果磨至金属盖全开，可能会有水和其他污染进入空封器件内，这样会污染晶圆表面），然后 https://t.cn/A6pvmnsX
半导体工程师 2023-05-23 08:57 发表于北京
芯片开封的目的
开封后，我们能清晰看到芯片表面状态，观察芯片划片道是否有崩边、裂纹，观察芯片表面是否存在异常，观察芯片logo信息，测量芯片尺寸和键合线线径，观察键合线材质，观察钝化层的完整性等芯片内部信息。
图片
一般常用的开封方法
有化学开封、机械开封、激光开封，Decap实验室可以处理几乎所有的IC封装形式，键合线类型(Au、Cu、Ag、Al)。针对不同的键合线类型有不同的腐蚀方法，聚合物树脂被腐蚀液腐蚀成易溶于丙酮的低分子化合物。在超声波的作用下，低分子化合物被清洗掉，从而暴露出芯片表面。
Au线腐蚀液：发烟硝酸（工作温度100度）
Cu线腐蚀液：发烟硝酸5：硫酸3（工作温度100度）
Ag线腐蚀液：发烟硝酸+碘少量，混合成乳白色即可（工作温度100度）
Al线腐蚀液：发烟硝酸（IC器件工作温度100度，大功率器件工作温度85度）
激光开封
图片
激光开封机ADVANCED PST-2000
芯片开封前用X射线透视仪观察晶圆在塑封中的位置并识别键合线类型，在激光开封机上对应芯片晶圆位置，选择合适开封区域（大于晶圆位置即可，开封后要保证有一个凹槽，防止下一步腐蚀液外溢，损伤引脚），选择合适的扫描速度和功率，激光开封机减薄至键合丝出现，待化学开封。
化学开封
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化学开封机
根据键合线类型，将电炉调整合适工作温度，将芯片放在电炉上加热，芯片正面朝上。用吸管吸取少量化学腐蚀液，滴在经激光开封后的凹槽中，树脂表面发生化学反应，出现气泡。反应稍微停止后，再滴一次。连续滴5-10滴后，用镊子夹住，用盛有丙酮的洗瓶将腐蚀的塑封料吹走。芯片放入含丙酮的烧杯中，在超声波机中清洗2-5分钟，然后取出再滴。重复这一步骤，直到芯片完全暴露出来。最后，反复用干净的丙酮清洁，以确保芯片表面没有残留物。
将所有产品一次放入98%的浓硫酸中煮沸。这种方法更适合样品量大，要求不高，只需要观察芯片表面是否破裂。需要注意的是，操作过程中要注意安全。
机械开封
针对空封器件，使用机械开封机，将空封器件金属盖剪切下来，或者使用研磨的方法将空封器件金属盖周边磨至接合处（明显看到接缝又没有完全开，如果磨至金属盖全开，可能会有水和其他污染进入空封器件内，这样会污染晶圆表面），然后 https://t.cn/A6pvmnsX
芯片分析问答2023.4.16
失效分析 赵工 半 芯片分析问答2023.4.16
失效分析 赵工 半导体工程师 2023-04-16 09:02 发表于北京
Q1
请教大家关于LU实验，Q part class2 目前看到很多报告都是3ea高温，3ea常温进行的，这个业界有啥说法嘛？
A1
高温情况最恶劣，只需做高温就好了，3颗电压激励，3颗电流激励；电压激励电流激励是会在同一颗上打的。
Q2
请教一下，WLCSP 2P2M的如果PI1和PI2之间怀疑有分层，SAT能扫出来吗？
A2
理论上应该没问题，可以先用Tmode试一下。如果不是面积太小或delam太轻微（比如Z方向上delam甚至小于0.1um）就应该可以。问题是如果怀疑有问题，那么无论SAT是否扫出来都需要做xsection验证，这个可能会有难度。
Q3
请教一下，对于单颗的IC器件在做可靠性的时候会做PCT，而amkor和SPIL的那边的官网上看，他们不做PCT的，做UHAST。这分别有什么考量， PCT相对UHAST是不是对wlcsp产品的破坏性要比UHAST要强？
A3
PCT 是100%湿度，在日常生活中不常见，且应力比uHAST强，所以现在很多公司都不采用PCT转而用uHAST。
Q4
这个是终端客户上板做高温老化发现塑封体破了个洞，decap后芯片没有烧点，有没有哪位遇到过类似的案例啊？
A4
没有烧点基本就是水汽了；如果不是批量问题，可能是打开包装在空气中放久了直接进高温烘箱测试了，可以低温烘干一下再测试。
Q5
塑封料一般回温后的有效使用期多久？
A5
各类型塑封料不一样，有24小时的，有三天的，具体要看塑封料供方出具的说明书，一般不能超过三天。
Q6
如果不良品和库存良品，都做了不开盖热点分析，都发现了热点。结果也无法作证是否异常，接下来还可以有什么方案来剖析比较好？都出现热点可以表征什么吗？
A6
首先确认好品是不是真的好品，因为热点分析反映在产品是某个面，产品由好多材料结构组成，同一个点材料差异，异常导致都有可能，接下来需要对比开盖了，好品和异常品开盖后不同结构的差异，包括性能差异，这时基本会用到探针测试，当然还有一种比较坏的情况，好品并不一定是好的，这时可以做worse condition 验证。
Q7
请问InGaAs做的热点真实性会受到哪些因素影响？为什么去金属层更准？或者 https://t.cn/A6NcinxR
失效分析 赵工 半 芯片分析问答2023.4.16
失效分析 赵工 半导体工程师 2023-04-16 09:02 发表于北京
Q1
请教大家关于LU实验，Q part class2 目前看到很多报告都是3ea高温，3ea常温进行的，这个业界有啥说法嘛？
A1
高温情况最恶劣，只需做高温就好了，3颗电压激励，3颗电流激励；电压激励电流激励是会在同一颗上打的。
Q2
请教一下，WLCSP 2P2M的如果PI1和PI2之间怀疑有分层，SAT能扫出来吗？
A2
理论上应该没问题，可以先用Tmode试一下。如果不是面积太小或delam太轻微（比如Z方向上delam甚至小于0.1um）就应该可以。问题是如果怀疑有问题，那么无论SAT是否扫出来都需要做xsection验证，这个可能会有难度。
Q3
请教一下，对于单颗的IC器件在做可靠性的时候会做PCT，而amkor和SPIL的那边的官网上看，他们不做PCT的，做UHAST。这分别有什么考量， PCT相对UHAST是不是对wlcsp产品的破坏性要比UHAST要强？
A3
PCT 是100%湿度，在日常生活中不常见，且应力比uHAST强，所以现在很多公司都不采用PCT转而用uHAST。
Q4
这个是终端客户上板做高温老化发现塑封体破了个洞，decap后芯片没有烧点，有没有哪位遇到过类似的案例啊？
A4
没有烧点基本就是水汽了；如果不是批量问题，可能是打开包装在空气中放久了直接进高温烘箱测试了，可以低温烘干一下再测试。
Q5
塑封料一般回温后的有效使用期多久？
A5
各类型塑封料不一样，有24小时的，有三天的，具体要看塑封料供方出具的说明书，一般不能超过三天。
Q6
如果不良品和库存良品，都做了不开盖热点分析，都发现了热点。结果也无法作证是否异常，接下来还可以有什么方案来剖析比较好？都出现热点可以表征什么吗？
A6
首先确认好品是不是真的好品，因为热点分析反映在产品是某个面，产品由好多材料结构组成，同一个点材料差异，异常导致都有可能，接下来需要对比开盖了，好品和异常品开盖后不同结构的差异，包括性能差异，这时基本会用到探针测试，当然还有一种比较坏的情况，好品并不一定是好的，这时可以做worse condition 验证。
Q7
请问InGaAs做的热点真实性会受到哪些因素影响？为什么去金属层更准？或者 https://t.cn/A6NcinxR
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