【南方科大赵天寿院士等：首次MoS₂层间原位构建静电排斥实现超快锂离子传输】南方科技大学赵天寿院士和韩美胜副研究员等人在高压气相下，首次利用有机离子液体在MoS₂层间原位构建了静电排斥，成功制备了Co掺杂单层MoS₂。掺杂的Co原子从根本上降低了单层MoS₂的带隙和锂离子扩散能垒，并且可以转化为超小的Co纳米颗粒(~2nm)，在转化反应过程中产生强烈的表面电容效应。 作为锂离子电池负极材料，Co掺杂单层MoS₂表现出超快的离子传输能力以及超高容量和出色的循环稳定性。详情请点击https://t.cn/A6N4QSfZ免费获取全文。Nano-Micro Letters (2023)15: 80

【NML封面文章丨华科高义华等：有机−无机混合正极实现空气可充电锌电池】华中科技大学高义华教授团队和安徽大学岳阳副教授合作，设计了一种基于MoS₂/PANI正极的空气可充电ZIB。MoS₂/PANI正极的优异性能归因于更好的导电性和去溶剂化屏蔽。成功组装自充电锌电池，可实现深度自充电和长循环寿命。该准固态电池和电池模组具有优异的性能和实用性。该工作将为下一代自供电系统的材料设计和器件测试提供一个有前景的研究方向。

【四川大学王泽高、奥胡斯大学董明东等：用于集成电路的新兴MoS₂晶圆级技术】四川大学王泽高课题组基于可查文献和实验经验总结了晶圆级单层MoS₂单晶薄膜的生长技术，并对其在集成电路领域的应用进行了展望。总结而言，于当前众多二维薄膜生长技术中，化学气相沉积 (CVD) 仍是高效获得良好结晶质量和晶畴尺寸单晶薄膜的不二选择。同时，为了实现薄膜加工与现有的半导体技术兼容，满足集成电路的加工条件，也要求所得薄膜是高质量的。因此，本文主要梳理了近年来基于CVD生长MoS₂单晶薄膜的技术进展，重点讨论了前驱体类型、生长压力、载气和催化剂效应等生长因素对于MoS₂薄膜结构和性能的影响，以期对后续进一步提升MoS₂单晶晶畴尺寸和场效应迁移率提供借鉴。详情请点击https://t.cn/A6CKRnRL免费获取全文。Nano-Micro Letters (2023)15: 38