麻省理工学院的研究人员实现在硅片上直接生长出晶体管
麻省理工学院的研究人员开发了一种突破性的技术,可以在完全制造的硅芯片上直接生长二维过渡金属二氯化物(TMD)材料,从而实现更密集的集成。传统的方法需要大约600℃的温度,这可能会损坏硅晶体管和电路,因为它们在400℃以上就会分解。
麻省理工学院的团队克服了这一挑战,创造了一种低温生长工艺,保留了芯片的完整性,使二维半导体晶体管可以直接集成在标准硅电路之上。
新方法在整个8英寸晶圆上生长出一个光滑、高度均匀的层,而不像以前的方法,在将二维材料转移到芯片或晶圆之前,要在其他地方生长二维材料。这一过程经常导致不完美,对设备和芯片性能产生负面影响。
此外,这项新技术可以在不到一个小时的时间里在8英寸晶圆上生长出一层均匀的TMD材料,与以前的方法相比,这是一个重大的改进,因为以前的方法需要一天以上的时间才能完成一个单层。这项技术的增强的速度和均匀性使它适合于商业应用,因为8英寸或更大的晶圆是必不可少的。研究人员专注于二硫化钼,一种灵活、透明的二维材料,具有强大的电子和光子特性,是半导体晶体管的理想选择。
他们为金属有机化学气相沉积工艺设计了一种新炉子,它有独立的低温和高温区域。硅片被放置在低温区,同时气化的钼和硫前体流入炉内。钼保持在低温区,而硫前体在高温区分解,然后流回低温区,在硅片表面生长出二硫化钼。
人工智能、汽车和高性能计算等新兴应用要求计算非常密集,而堆叠晶体管可能是一个挑战。这种新方法对行业有重大影响,能够快速、有效地将二维材料整合到工业制造中。未来的发展包括对该技术进行微调,以生长多层二维晶体管,并探索柔性表面的低温生长工艺,如聚合物、纺织品,甚至是纸张。
麻省理工学院的研究人员开发了一种突破性的技术,可以在完全制造的硅芯片上直接生长二维过渡金属二氯化物(TMD)材料,从而实现更密集的集成。传统的方法需要大约600℃的温度,这可能会损坏硅晶体管和电路,因为它们在400℃以上就会分解。
麻省理工学院的团队克服了这一挑战,创造了一种低温生长工艺,保留了芯片的完整性,使二维半导体晶体管可以直接集成在标准硅电路之上。
新方法在整个8英寸晶圆上生长出一个光滑、高度均匀的层,而不像以前的方法,在将二维材料转移到芯片或晶圆之前,要在其他地方生长二维材料。这一过程经常导致不完美,对设备和芯片性能产生负面影响。
此外,这项新技术可以在不到一个小时的时间里在8英寸晶圆上生长出一层均匀的TMD材料,与以前的方法相比,这是一个重大的改进,因为以前的方法需要一天以上的时间才能完成一个单层。这项技术的增强的速度和均匀性使它适合于商业应用,因为8英寸或更大的晶圆是必不可少的。研究人员专注于二硫化钼,一种灵活、透明的二维材料,具有强大的电子和光子特性,是半导体晶体管的理想选择。
他们为金属有机化学气相沉积工艺设计了一种新炉子,它有独立的低温和高温区域。硅片被放置在低温区,同时气化的钼和硫前体流入炉内。钼保持在低温区,而硫前体在高温区分解,然后流回低温区,在硅片表面生长出二硫化钼。
人工智能、汽车和高性能计算等新兴应用要求计算非常密集,而堆叠晶体管可能是一个挑战。这种新方法对行业有重大影响,能够快速、有效地将二维材料整合到工业制造中。未来的发展包括对该技术进行微调,以生长多层二维晶体管,并探索柔性表面的低温生长工艺,如聚合物、纺织品,甚至是纸张。
因为她小,更需要爱护,她就是这世界上最爱你的人,爱你的人本就少。你要格外珍惜才是。不要因为别人的不开心就影响到自己的情绪,见到你开心便抱怨你的不是,见到你与她们亲密无间就对你嗤之以鼻,是她的狭隘和不坦荡,你很好,很好很好,是他们不够善良,要求别人完美,本就是不可能的事,要求别人爱你,决定别人要以何种方式爱你,也是在追求一种完美,一定程度上也是不可能的事。
#种地吧[超话]# 四点多钟醒来,完美错过了直播,笑死。谁五一一直加班啊!啊,也是我……
姐妹们,我们很多时候能做的,其实就是主打一个陪伴。但是,陪伴不是白干,互相得到的鼓励和祝福也是一种很强大的力量。不要为一时的得失烦恼,这几个月收获的快乐和思考,是更久远的财富。我们的意见和想法,他们很重视,所以希望不要给他们造成过多的负担。买不买得到东西,得之我幸,失之我命,抢不到才是人生常态,否则怎么说二哥的努力很珍贵呢。
姐妹们,我们很多时候能做的,其实就是主打一个陪伴。但是,陪伴不是白干,互相得到的鼓励和祝福也是一种很强大的力量。不要为一时的得失烦恼,这几个月收获的快乐和思考,是更久远的财富。我们的意见和想法,他们很重视,所以希望不要给他们造成过多的负担。买不买得到东西,得之我幸,失之我命,抢不到才是人生常态,否则怎么说二哥的努力很珍贵呢。
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