激光器是激光的发生装置，三大功能部件分别为：泵浦源、增益介质、谐振腔。泵浦源为激光器提供光源，增益介质（也称为工作物质）吸收泵浦源提供的能量后将光放大，谐振腔为泵浦光源与增益介质之间的回路，振腔振荡选模输出激光。
泵浦源作为能量源，作用是产生光子对增益介质进行激励。泵浦源发出的光子将增益介质中的粒子从基态泵浦（pump）到高能级，以实现粒子数反转。激励机制包括光学激励（光泵浦）、气体放电激励、化学激励、核能激励；目前泵浦源一般采用高功率半导体激光器（LD），主要作用是完成电能到光能的转化。
增益介质用来实现粒子数反转并放大光，同时决定输出激光的波长。增益介质可以采用液体、气体和固体。增益介质的基本要求是在受激后产生光子而不是光热转化，以及增益介质中的粒子需处于相对孤立的状态，才可能发生能级间的跃迁。激光器的增益介质包括气体、液体和固体，特定增益介质决定了激光波长、输出功率和应用领域。气体中具有代表性的是CO2 气体激光器，固体中具有代表性的包括红宝石激光器、半导体激光器和光纤激光器、YAG 激光器等。
谐振腔主要起到“储存”、“提纯”激光的作用。谐振腔通常由两块反射镜构成，也可以用耦合器构成各种环形谐振腔。光子在反射镜之间来回反射，不断在增益介质中引起受激辐射，产生高强度的激光。同时，谐振腔可使腔内的光子有一致的频率/波长、相位和运行方向，而使得激光具有良好的方向性和相干性。https://t.cn/A6XY9HN8
一，超快激光器市场近几年是激光市场最突出的增长点。皮秒、飞秒激光器也称为超快激光器，通常属于固体激光器，由于具有瞬时功率高、热效应小、加工精度高的优势，被广泛应用于精细微加工领域。由于精细微加工领域多为半导体及光学、显示、新能源及科研等新兴领域，受益于新兴领域的高速成长，超快激光器市场规模近几年保持较高增速，是激光市场最突出的增长点，其增速高于激光器整体增速！未来随着制造业进一步向高精尖、智能化方向发展、激光精细微加工将逐步成为高端精密制造领域的核心加工工艺，推动超快激光器市 场规模继续保持高速增长……
由于光纤激光器应用最为广泛，国内激光器企业以光纤激光器厂商为主，国内超快激光器起步较晚，因此从事超快激光器的企业数量不多，主要有德龙激光、华日激光、国神光电、英诺激光等，国外企业主要有德国通快、美国相干、美国光谱物理等！根据 OFweek 介绍，全球超快激光器市场约 80%份额被国外企业占有，而中国超快激光市场规模正以远高于全球水平的增速成长，国产替代空间十分广阔，未来随着国内厂商技术逐步突破，参考光纤激光器行业经验，国内厂商市场份额有望逐步提高。
国产超快激光器产品性能正逐步接近世界领先水平。根据德龙激光招股书中所披露信息，对比德龙激光、 华日激光、国神光电、英诺激光以及几家主要国外厂商的产品性能指标后，不难看出在超快激光器领域，德国通快产品性能指标最为领先，主要系其采取了独特的技术路线。在紫外皮秒激光器以及红外、绿光飞秒激光器方面，德龙激光产品性能指标略逊于美国光谱物理，与美国相干公司相当；在红外、绿光皮秒激光器方面，德龙激光和英诺激光产品性能指标仅次于德国通快，部分指标优于其他国外厂商；在紫外飞秒激光器方面，德龙 激光已量产最大输出功率为10W 的激光器。
二，半导体激光芯片是采用半导体芯片制造工艺，以电激励源方式，以半导体材料为增益介质，将注入电流的 电能激发，从而实现谐振放大选模输出激光，实现电光转换。其增益介质与衬底主要为掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物的半 导体材料，如 GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）等。
半导体激光芯片根据谐振腔制造工艺不同分为边发射激光芯片（EEL：Edge Emitting Lasers）和面发射激 光芯片（VCSEL：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）两种。边发射激光芯片是在芯片的两侧镀光学膜形 成谐振腔，沿平行于衬底表面发射激光，而面发射激光芯片是在芯片的上下两面镀光学膜形成谐振腔，由于光 学谐振腔与衬底垂直，能够实现垂直于芯片表面发射激光。面发射激光芯片有低阈值电流、稳定单波长工作、 可高频调制、容易二维集成、没有腔面阈值损伤、制造成本低等优点，但输出功率及电光转换效率较边发射激光芯片低。
常见的边发射激光芯片相关产品有单管芯片、光纤耦合模块、巴条芯片、阵列模块等。单管芯片只有一个 发光单元，巴条芯片是由多个发光单元并成直线排列的激光二极管芯片，巴条芯片经过钝化、解膜后，可解理 为单个发光单元的单管芯片，单管和巴条芯片主要用于工业泵浦、科学研究、激光装备等。光纤耦合模块通常 是由单管芯片经过光学整形合束耦合封装而成，主要用于光纤激光器、固体激光器泵浦源等；阵列模块通常是 由巴条芯片集成封装而成，主要用于固体激光器泵浦源等。
VCSEL 芯片相比 EEL 芯片结构更为复杂，工艺难度更高。典型的 VCSEL 结构自上而下分别是：电流注 入所使用的欧姆接触、P 型的顶部分布布拉格发射镜（DBR），多量子阱有源区、N 型的底部分布布拉格发射镜 以及最底部的 N 型基质。顶部与底部的 DBR 构成激光谐振腔，长度为数微米，与激光波长在同一数量级。工 作时载流子被注入有源区的量子阱中，产生辐射跃迁，经过谐振腔的选模，在垂直于衬底的方向上输出圆形的 激光光束。相比于 EEL 的结构，VCSEL 显然更为复杂，工艺难度也更高。其工艺高难度主要体现在 VCSEL 谐 振腔短（仅几微米长），导致其单程增益长度也极短，因此就要求制作的分布布拉格反射镜（DBR）材料质量必 须良好，还要求 DBR 的发射率极高（一般要求 99%以上），目前如何获得高质量的 DBR 是 VCSEL 制作过程最 主要的难点。
VCSEL 最初被广泛应用于光通信领域，目前最主要应用市场是消费电子（占比达七成），未来在汽车市场 （激光雷达、DMS 等）有望获得新的增长。VCSEL 最初主要应用于光通信领域，2017 年苹果公司在 iPhone X 中取消标志性的 Touch ID，转而采用创新的 Face ID，该技术实现了 3D 传感功能，实现该功能的核心器件便是 VCSEL，自此 VCSEL 开始大规模应用于消费电子领域，随后安卓市场也纷纷将 VCSEL 应用于其产品的深度传感系统。
根据 Yole 数据，2021 年 VCSEL 应用市场中，消费电子占比 63.9%，为主要应用领域，其次为电信及 基础设施领域，占比 34.5%，汽车和移动设备领域占比仅为 0.1%，但 Yole 预测到 2026 年汽车和移动设备领域 占比将提升至 2.4%。VCSEL 在汽车市场的应用包括激光雷达、DMS、AR HUD、激光大灯等，在车载激光雷 达市场中 VCSEL 激光雷达将凭借探测距离、人眼安全等方面优势逐步替代 EEL 激光雷达，在 DMS（驾驶员监 测系统）中 VCSEL 在隐私保护、受环境光照干扰等方面显著优于 LED，因此未来随着汽车智能化不断推进， VCSEL 在汽车市场的应用将迎来新的增长。
激光芯片领域以国外厂商为主导，国内厂商在全球市场份额仍较小。国外企业恩耐、IPG 自产芯片仅用于 生产自身下游产品，不对外销售；武汉锐晶是锐科激光关联方，其生产的激光芯片主要向锐科激光销售。
从产品性能指标来看，长光华芯的高功率单管芯片性能指标已经接近世界领先企业水平。915nm、976nm （975nm）波长的单管芯片主要用于下游光纤激光器的制造，而光纤激光器占工业激光器市场规模的比重较高， 因此，这两种波长的单管芯片下游需求较大，是半导体激光行业的主流产品。激光芯片在一定的条宽范围下， 功率及电光转换效率越高，波长种类越多，反映出技术水平越高，下游应用越广泛。根据长光华芯招股书提供 数据，其高功率单管芯片在 190-230μm 的条宽范围内，公司目前高功率单管芯片输出功率可达到 30W，电光转 换效率可达 63%，技术处于世界领先水平。
VCSEL 工艺更为复杂，未来应用前景也更大，市场方面目前仍是国外企业占主导，国内厂商纵慧芯光、 长光华芯等已经掌握 VCSEL 制造工艺技术并实现量产，正逐步追赶国际先进水平……
泵浦源作为能量源，作用是产生光子对增益介质进行激励。泵浦源发出的光子将增益介质中的粒子从基态泵浦（pump）到高能级，以实现粒子数反转。激励机制包括光学激励（光泵浦）、气体放电激励、化学激励、核能激励；目前泵浦源一般采用高功率半导体激光器（LD），主要作用是完成电能到光能的转化。
增益介质用来实现粒子数反转并放大光，同时决定输出激光的波长。增益介质可以采用液体、气体和固体。增益介质的基本要求是在受激后产生光子而不是光热转化，以及增益介质中的粒子需处于相对孤立的状态，才可能发生能级间的跃迁。激光器的增益介质包括气体、液体和固体，特定增益介质决定了激光波长、输出功率和应用领域。气体中具有代表性的是CO2 气体激光器，固体中具有代表性的包括红宝石激光器、半导体激光器和光纤激光器、YAG 激光器等。
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国产超快激光器产品性能正逐步接近世界领先水平。根据德龙激光招股书中所披露信息，对比德龙激光、 华日激光、国神光电、英诺激光以及几家主要国外厂商的产品性能指标后，不难看出在超快激光器领域，德国通快产品性能指标最为领先，主要系其采取了独特的技术路线。在紫外皮秒激光器以及红外、绿光飞秒激光器方面，德龙激光产品性能指标略逊于美国光谱物理，与美国相干公司相当；在红外、绿光皮秒激光器方面，德龙激光和英诺激光产品性能指标仅次于德国通快，部分指标优于其他国外厂商；在紫外飞秒激光器方面，德龙 激光已量产最大输出功率为10W 的激光器。
二，半导体激光芯片是采用半导体芯片制造工艺，以电激励源方式，以半导体材料为增益介质，将注入电流的 电能激发，从而实现谐振放大选模输出激光，实现电光转换。其增益介质与衬底主要为掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物的半 导体材料，如 GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）等。
半导体激光芯片根据谐振腔制造工艺不同分为边发射激光芯片（EEL：Edge Emitting Lasers）和面发射激 光芯片（VCSEL：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）两种。边发射激光芯片是在芯片的两侧镀光学膜形 成谐振腔，沿平行于衬底表面发射激光，而面发射激光芯片是在芯片的上下两面镀光学膜形成谐振腔，由于光 学谐振腔与衬底垂直，能够实现垂直于芯片表面发射激光。面发射激光芯片有低阈值电流、稳定单波长工作、 可高频调制、容易二维集成、没有腔面阈值损伤、制造成本低等优点，但输出功率及电光转换效率较边发射激光芯片低。
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