碳化硅衬底
衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。

碳化硅的衬底可以按照电阻率分为导电型衬底和半绝缘型衬底，导电型电阻率在0.02Ω·cm左右，半绝缘型电阻率大于106Ω·cm。

在导电型衬底上生长SiC衬底制作的功率器件可以应用在新能源汽车、电网、光伏逆变器、轨道交通等高压工作场景。

在半绝缘型衬底上生长GaN外延制作的微波射频器件主要应用在射频开关、功率放大器、滤波器等通讯场景，可以满足5G通讯对高频性能和高功率处理性能的要求。

随着国内碳化硅衬底产能建设的推进，市场对于其原材料高纯热场、高纯保温、高纯碳粉、高纯碳化硅粉等需求将快速增加。

目前中国大陆碳化硅衬底规划投资超200亿元，未来远期规划年产能超400万片。

https://t.cn/A69mLSGE 做好电机控制是电动汽车实现高续航、高性能驾乘体验的关键要素。为了实现更高的功率密度，行业已经推进采用SiC MOSFET、800V电池系统和动力系统集成等技术路线，而这些新技术的推进，也对工程师提出了新的设计挑战。选择先进的器件、模块和方案是实现高效电机驱动设计的关键！#M博士blog#

碳化硅：第三代半导体核心材料

半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，具有较高的导热率、熔点等。