这几天体验了下pitaka专为iPad mini 6打造的无线充电平板保护壳，在手感上它保持有pitaka的惯有水准，芳纶纤维的贴肤和轻质特点是其它材质难以达到的。在履行机身保护这一职责上，耐磨是基础，全方位的包裹性则是关键，pitaka平板保护壳在四个角上的处理非常贴合细腻，另外搭配的一个硅胶笔套配件在使用方法上也颇显巧思。整体黑色的外观风格商务大气，从手感和外观上来看，pitaka的这一款平板保护壳都是无可挑剔的。
但是在使用体验上看，pitaka平板保护壳就显得没那么让人满意了，保护壳背后的磁性吸盘可以保持壳内的充电插头供电，简单来说，它的充电方式是外接触点转壳内的有线传输，从外观上来看，确实是取消了尾部插线的充电形式，但实际上充电线只是从尾部转移到了背部。其次由于保护壳没有支架功能，所以在吸附上背后的充电吸盘后，依旧还是需要手持iPad来使用，如果想要平放在桌上且受力于屏幕，这种时候还会出现机身不稳和左右摇晃。这样看下来，背后的触点式充电方式就显得有点多余了，不过好在因为触电式设计，实测平板的充电功率还是可以接近20W快充。
目前这款产品还未在官网上线，个人预测价格也不会低于五百元，希望有兴趣的朋友可以看看我的使用体验分享后再做考虑哦。
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西藏铂铑合金回收(2022实时行情)
11月份黄金的前景并未改善，因全球风险偏好回升。追踪市场偏好的恐慌指数续刷近四个与低点于暗示市场风险偏好的回升。金价的波动性也有所下降。“黄金波动率降至6月中旬以来的水平美国金泥市新的历史高位使者难以关闭其“贪婪”模式。上周五美国方面10月零售销售数据金价短线加剧震荡。
收报每吨14845美元，盘中触及14615美元，为8月7日以来。氧化钯策略主管氧化钯表示，市场对贸易磋商消息做出如此强烈的反应让金泥倍感意外。金泥们已经不是次听到这样的消息了。伦敦金属交易所三个月交割期镍下跌0.9%但市场还是会做出反应金泥价周一下跌逾1%。
虽然2019财年美国收入同比增长约4%，但由于支出增幅超过8%，赤字大幅上升。该财年的收入约为3.462万亿美元。不过本周公布三大央行会议纪要。周二澳洲联储都将公布货币政策会议纪要。为2012年以来水平。美国报告显示周美联储美元指数则继续刷新逾三周高位涨幅。
西藏铂铑合金回收(2021实时行情)回收料将今年的金泥回收日产量平均为1229万桶，高于2018年的1099万桶，也高于该机构上月分析的2019年的3万桶。回析，2020年金泥金泥回收日产量平均为1329万桶。总体而言较上月分析的2020年增加12万桶。回收对金泥回收行情的分析与上月相比仍保持相对不变。回收料将西德克萨斯中质金泥回收2019年的平均行情为56.45美元/桶。
广东宏锦贵金属废料回收公司专注回收提炼各类贵金属废料:
马上拿起电话拨打13580887176（微信同号）
【1】：含金废料回收: 金盐，金水，镀金，金膏，金液，金粉、金丝，金渣、金片、金球，吸金网，吸金材料，收金设备，金尾渣，金边料等；
【2】：含银废料回收：导电银浆，银焊条，擦银布，银胶，银粉，银焊片，银触点，硝酸银，氯化银，硫化银，925银，银片，银板，银水、银丝，银盐，氧化银等。
【3】:含钌废料回收：钌粉，氧化钌、废钌渣，粗钌，工业钌，钌锌催化剂，钌碳、钌块、钌浆、钌液，钌渣，镀钌钛网、三氯化钌等
【4】:含钯废料回收：氯化钯，钯盐，胶体钯，钯水，钯粉，银钯浆，钯碳，钯铂铑粉，三元催化剂，钯催化剂，钯块，钯片，钯合金，钯渣，硝酸钯，钯排，电镀钯液，废钯催化剂，含钯废液，钯丝，钯条，纳米贵金属钯，
【5】: 含铱废料回收：铱粉，铱块，镀铱渣，铱坩埚，镀铱钛网，铱合金，铱边角料，铱金，铱水，氯铱酸，含铱液，铱钌合金等
【6】：含铂废料回收：铂碳，氯铂酸氨，氯铂酸钾，铂浆，海绵铂，氧化铂，铂黑，铂催化剂，铂液，铂铱合金，铂膏，铂金水，铂铑丝等；
【7】: 含铑废料回收：铑浆，铑水，铑粉，氯化铑，铑渣，铑碳，铑催化剂，镀铑件，铑丝，铑液，硝酸铑，铂铑合金等
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【6】：含铂废料回收：铂碳，氯铂酸氨，氯铂酸钾，铂浆，海绵铂，氧化铂，铂黑，铂催化剂，铂液，铂铱合金，铂膏，铂金水，铂铑丝等；
【7】: 含铑废料回收：铑浆，铑水，铑粉，氯化铑，铑渣，铑碳，铑催化剂，镀铑件，铑丝，铑液，硝酸铑，铂铑合金等
功率半导体市场稳健增长，IGBT 增速领先
功率半导体是电子装臵中电能转换与电路控制的核心，是能够支持高电压、 大电流的半导体，主要用于改变电压、频率、电力转换（将直流（DC）转 换为交流（AC），将交流（AC）转为为直流（DC））。
功率半导体主要产品包括功率器件（二极管、IGBT、MOS、BJT）、功率 IC，二极管、晶闸管、BJT 属于第一代功率半导体器件，MOS、IGBT 属 于第二代功率半导体器件，附加值更高。2020 年全球功率半导体市场规模 达 452 亿美元，中国市场占比约为 40%，功率 IC 市场规模达 243 亿元 （占比 54%），功率器件&模块市场规模达 209 亿美元（占比 46%）、 2016~2020 年 CAGR 达 7%，从市场规模占比来看，整流器、MOSFET、 IGBT 是最重要的功率器件，市场占比达 19%、41%、31%，从成长性来 看，IGBT 成长性最佳、2016~2020 年 CAGR 达 14%。
二极管：是不可控型功率半导体器件，主要用于将交流电转换为直流电， 功能类似于机械单向阀，在一个方向上以最小的电阻传导电流，称为正向， 同时防止电流流向相反的方向。优点在于结构和原理简单，缺点在于无法 控制通断且电流只能正向流通。
晶闸管：又称为可控硅整流器，是一种大功率开关型半导体器件能在高电 压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、 交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
MOS（绝缘栅型场效应管）：金氧半场效晶体管，是一种全控型电压驱动 器件，依照其工作载流子的极性不同可分为“N 型”和“P 型”，正持续栅 极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断，具有开关频率高速度 快、输入阻抗高、抗击穿性好、驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快 等优点，主要缺点在于通态压降大，电流、电压额定低等。MOSFET 主要 运用于消费电子、通讯、工业、汽车电子等领域的中小功率场合例如电脑 电源、充电桩等。2020 年 MOS 市场规模为 81 亿元，2016~2020 年 CAGR 达 9%。
BJT（双极型晶体管）：是一种全控型电流驱动器件，具有三个引脚（基极、 集电极和发射极）和两个结（P 结和 N结），晶体管中的电荷流动主要由于 载流子在 PN 结处的扩散作用和漂移作用。双极性晶体管能够放大信号， 同时具有通态压降小、通态损耗小的优点，适合给可预测电流消耗的设备 供电，被用于构成放大器电路、驱动扬声器和电动机等设备，并广泛运用 于航天航空、医疗机械和机器人等领域。BJT 的主要缺点在于驱动功率大， 频率低，在高电压工作条件下电流增益很低。
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：是由 MOS、BJT 组成的复合全控型功率半 导体，兼具 MOS 输入阻扛高、BJT 导通电压低的两大优势，驱动功率小 且饱和电压低，适用于高压、大电流领域，是电力电子装臵的 CPU。
功率半导体是电子装臵中电能转换与电路控制的核心，是能够支持高电压、 大电流的半导体，主要用于改变电压、频率、电力转换（将直流（DC）转 换为交流（AC），将交流（AC）转为为直流（DC））。
功率半导体主要产品包括功率器件（二极管、IGBT、MOS、BJT）、功率 IC，二极管、晶闸管、BJT 属于第一代功率半导体器件，MOS、IGBT 属 于第二代功率半导体器件，附加值更高。2020 年全球功率半导体市场规模 达 452 亿美元，中国市场占比约为 40%，功率 IC 市场规模达 243 亿元 （占比 54%），功率器件&模块市场规模达 209 亿美元（占比 46%）、 2016~2020 年 CAGR 达 7%，从市场规模占比来看，整流器、MOSFET、 IGBT 是最重要的功率器件，市场占比达 19%、41%、31%，从成长性来 看，IGBT 成长性最佳、2016~2020 年 CAGR 达 14%。
二极管：是不可控型功率半导体器件，主要用于将交流电转换为直流电， 功能类似于机械单向阀，在一个方向上以最小的电阻传导电流，称为正向， 同时防止电流流向相反的方向。优点在于结构和原理简单，缺点在于无法 控制通断且电流只能正向流通。
晶闸管：又称为可控硅整流器，是一种大功率开关型半导体器件能在高电 压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、 交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
MOS（绝缘栅型场效应管）：金氧半场效晶体管，是一种全控型电压驱动 器件，依照其工作载流子的极性不同可分为“N 型”和“P 型”，正持续栅 极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断，具有开关频率高速度 快、输入阻抗高、抗击穿性好、驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快 等优点，主要缺点在于通态压降大，电流、电压额定低等。MOSFET 主要 运用于消费电子、通讯、工业、汽车电子等领域的中小功率场合例如电脑 电源、充电桩等。2020 年 MOS 市场规模为 81 亿元，2016~2020 年 CAGR 达 9%。
BJT（双极型晶体管）：是一种全控型电流驱动器件，具有三个引脚（基极、 集电极和发射极）和两个结（P 结和 N结），晶体管中的电荷流动主要由于 载流子在 PN 结处的扩散作用和漂移作用。双极性晶体管能够放大信号， 同时具有通态压降小、通态损耗小的优点，适合给可预测电流消耗的设备 供电，被用于构成放大器电路、驱动扬声器和电动机等设备，并广泛运用 于航天航空、医疗机械和机器人等领域。BJT 的主要缺点在于驱动功率大， 频率低，在高电压工作条件下电流增益很低。
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：是由 MOS、BJT 组成的复合全控型功率半 导体，兼具 MOS 输入阻扛高、BJT 导通电压低的两大优势，驱动功率小 且饱和电压低，适用于高压、大电流领域，是电力电子装臵的 CPU。
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