光氧催化设备批发结构特点
uv光解废气净化设备图，运用UV紫外线光束及臭氧对恶臭气体进行协同分解氧化反应
光氧催化设备使恶臭气体物质其降解转化成低分子化合物，水和二氧化碳，再通过风管排出。 紫外线是由电磁波组成，其本身所带有的能量与波长直接有关，波长越短，能量越大。
通过采用D波段内的真空紫外线（波长范围170~184.9nm），照射气体或恶臭气体分子，当这些气体分子吸收了这类紫外线光后，因紫外线光本身所带有的能量，使气体或恶臭气体分子内部发生裂解，UV光氧催化设备采购，化学键断裂，形成游离状态的原子或基团。
同时，混合气体中的氧气被紫外线光裂解形成游离的氧原子并结合生成臭氧【UV O2→O- O*(活性氧) O* O2→O3(臭氧)】；混合气体中的水蒸气被紫外线光裂解产生羟基【UV H2O→H OH-(羟基) 】，而这些生成的臭氧和羟基具有氧化性，可将废气分子裂解产生的原子和基团（甚至是气体或恶臭气体分子）氧化成H2O和CO2的低分子化合物。
另外，利用紫外线光束可裂解恶臭气体中的分子键，破坏的核酸（DNA），再通过臭氧进行氧化反应，达到脱臭及的目的。
光氧催化设备结构特点：采用组合式结构设计，低风阻≤400Pa，UV光氧催化设备，无噪音，无需专人管理，操作简单；主要组件可方便拆装维修或换，净化效率可达≥百分之95。
1.前置过滤棉：具隔尘，隔离过滤体积稍大的杂物；
2.紫外光灯管：紫外线光束，去除臭味废气；每支灯管均为150W，灯管正常寿命为8000-12000小时；
3.电箱开关门：内有UV灯管控制开关，方便检修电源及光管等组件；
4.活性碳层：依要求出口端可增活性碳吸附层（属选配）。
uv光解废气净化设备图，运用UV紫外线光束及臭氧对恶臭气体进行协同分解氧化反应
光氧催化设备使恶臭气体物质其降解转化成低分子化合物，水和二氧化碳，再通过风管排出。 紫外线是由电磁波组成，其本身所带有的能量与波长直接有关，波长越短，能量越大。
通过采用D波段内的真空紫外线（波长范围170~184.9nm），照射气体或恶臭气体分子，当这些气体分子吸收了这类紫外线光后，因紫外线光本身所带有的能量，使气体或恶臭气体分子内部发生裂解，UV光氧催化设备采购，化学键断裂，形成游离状态的原子或基团。
同时，混合气体中的氧气被紫外线光裂解形成游离的氧原子并结合生成臭氧【UV O2→O- O*(活性氧) O* O2→O3(臭氧)】；混合气体中的水蒸气被紫外线光裂解产生羟基【UV H2O→H OH-(羟基) 】，而这些生成的臭氧和羟基具有氧化性，可将废气分子裂解产生的原子和基团（甚至是气体或恶臭气体分子）氧化成H2O和CO2的低分子化合物。
另外，利用紫外线光束可裂解恶臭气体中的分子键，破坏的核酸（DNA），再通过臭氧进行氧化反应，达到脱臭及的目的。
光氧催化设备结构特点：采用组合式结构设计，低风阻≤400Pa，UV光氧催化设备，无噪音，无需专人管理，操作简单；主要组件可方便拆装维修或换，净化效率可达≥百分之95。
1.前置过滤棉：具隔尘，隔离过滤体积稍大的杂物；
2.紫外光灯管：紫外线光束，去除臭味废气；每支灯管均为150W，灯管正常寿命为8000-12000小时；
3.电箱开关门：内有UV灯管控制开关，方便检修电源及光管等组件；
4.活性碳层：依要求出口端可增活性碳吸附层（属选配）。
uv光氧催化废气处理设备操作维护保养注意事项
uv光催化氧化废气处理设备安装非常简单，就是将废气通过吸尘罩经过管道在引风机的作用下进入uv光氧除臭设备2:净化器进风口安装变径导风分流管(内设百叶式分流片,每片轮胎废气处理设备价位间距100MM),使废气平均分布uv废气处理设备设施运行记录进入净化器的各处理室,提高净化器使用率和处理效果.8、废气净化器如安装在支架之上时，应与支架紧固连接室外安装时，应加装防雨、遮阳的遮阳篷，以免影响废气净化器的正常使用寿命以及不增加维护费用在经过光氧催化段，进行氧化还原反应，利用的高臭UV紫外线光束照射废气，裂解工业废气，臭氧是一种强氧化剂，也是世界公认的光谱剂
uv光氧催化废气处理设备操作维护保养注意事项
原标题：uv光氧催化废气处理设备操作、维护保养注意事项uv光氧催化废气处理设备操作、维护保养注意事项： 1、用户应定期检查、保养设备进入光解废气净化器的管段应该光滑，并且要有一段直管，废气进入设备的时候能够形成稳定的恒流，使用的传输管道是用金属软管连接，以产voc废气处理设备生小的震动效果11、应该在风机的前段装设风量控制装置，采用风机变频器或者空气控制阀来调节风量，因为想让光氧废气净uv废气处理设备设施运行记录化器的处理优势发挥到，进入设备的风量应该是稳定的，而且风量要印刷厂废气处理设备销售价平稳，如果风量时大时小，不仅废气处理效果不佳，而且对除臭设备也会造成的影响因为UV光氧净化器也属于高压设备，所以应该在运行维护或者设备检修时都做好防点击事故措施
UV光解废气处理设备产品性能综述
UV光解废气处理设备，包括处理箱体及设于处理箱体内的紫外LED灯组、催化板和氧气发生器，所述处理箱体一端设有进气口，另一端设有出气口2.无需添加任何物质：只需要设置相应的排风管道工业废气处理设备和排风动力，使恶臭气体通本设备进行脱臭分解净化，无需添加任何物质参与化学反应3.适应性强：可适应高浓度，大气量，不同恶臭气体物质的脱臭净化处理，可每天24小时连续工作，运行稳定4.运行成本低：本设备无任何机械动作，无噪音，无需专人管理和日常维护，uv废气处理设备设施运行记录只需作定期检查，本设备能耗低，（每处理1000立方米/小时，仅耗电约0.1度电能），设备风阻低<30pa，可节约大量排风动力的能耗8.环保产品：采用技术理念，通过我公司工程技术人员长期反复的试验，研制出的，具有自主知识产权的科技环保技术产品，可分解恶臭气体中物质，并能达到脱臭效果，经分解后的恶臭气体，可达到化排放，不会产生二次污染，同时达到的作用
uv光氧废气处理设备简介
uv光氧废气处理设备具uv废气处理设备设施运行记录有除恶臭、无需添加任何物质、适应性强、连续运行稳定、运行成本低、设备占地面积小，自重轻等优势，采用技术理念，可分解工业废气中物质，并能达到脱臭、净化效果，经分解后的工业废气，可达到化排放，不产生二次污染，同时达到的作用利用的高臭氧UV紫外线光束照射废气，裂解工业废气如：氨、硫化氢、甲硫氢、甲硫醇、甲硫醚、乙酸喷漆废气处理环保设备方案丁酯、乙酸乙酯、二硫化碳和苯乙烯、硫化物H2S、VOC类、苯、甲苯、二甲苯的分子链结构，使或无机高分子恶臭化合物分子链，在紫外线光束照射下，降解转变成低分子化合物，如CO2、H2O等工业废气利用排风设备输入到本净化设备后，净化设备运用UV紫外线光束及臭氧对工业废气进行协同分解氧化反应，使工业废气降解转化成低分子化合物、水和二氧化碳，再通过排风管道排出室外UV光氧废气处理设备安装：1、为设备的净化效率，风机应设在废气净化器的后面2、UV光氧废气处理设备如安装在支架之上时，应与支架紧固连接
知不知道UV光解废气处理设备工作
原标题：知不知道UV光解废气处理设备是怎么去工作的使带恶臭的气体利用排风设备输入到UV光解设备后，运用带有的紫外线光束和臭氧去对恶臭的气体进行协同和分解氧化反应，令到这些带有很大味道的气体中的物质可以讲解，从而能转化成低分子化合物、水、二氧化碳等uv废气处理设备设施运行记录等，从而再排除室外UV光解废气处理设备维护工作中重要的就是箱体内部的UV灯管，因为工业除臭全靠UV灯管，UV光解除味器箱体内部安装数根灯光，连接到控制线路上，从而使灯管进行高温除味，这种设备由金珠，并取得了良好的效果，但是切记UV光解除味器运行工作之后要进行保养这种UV光解废气处理设备不仅仅是成本低廉那么简单，而且它的运行的稳定性是非常可观的，不需要专人去看护，达到自动化的技术而UV光解废气处理设备也是利用同等的湖北废气处理设备原理，使用UV紫外线光束和臭氧使得污染物分子会在很多的时间内去发生分解，因为各种的反应从而能达到降解污染物的母的
uv光解废气处理设备介绍处味
UV光解废气处理设备是利用的高臭氧UV紫外线光束照射，来裂解电镀工业废气处理设备排放的废气，能的处理：硫化氢、甲硫氢、甲uv废气处理设备设施运行记录硫醇、二硫化碳、苯乙烯、硫化物H2S、VOC类等废气的分子链结构，使或无机高分子废气化合物分子链，在紫外线光束照射下，降解转变成低分子化合物，如二氧化碳、水等，从而达到的治理，实现达标排放，无二次污染UV光解废气处理设备，适合在常温下将废气臭气等有味成份，氧化净化成味的低分子成份，适合处理高浓度（可用预处理的方式让浓度均匀通过）、气量大（设备可组合式处理）、分子结构稳定性强的气体适用范围：食品加工厂、肉类加工厂、屠宰场、家禽饲料场、造纸厂、污水处理厂、垃圾转运站、粪便处理等和无机物恶臭气体的脱臭净化处理炼油厂、橡胶厂、皮革厂、印刷厂、化工厂、中西药厂、金属铸造厂、塑料厂、喷涂溶剂等废气、无机废气、恶臭气体的脱臭净化处理
uv光催化氧化废气处理设备安装非常简单，就是将废气通过吸尘罩经过管道在引风机的作用下进入uv光氧除臭设备2:净化器进风口安装变径导风分流管(内设百叶式分流片,每片轮胎废气处理设备价位间距100MM),使废气平均分布uv废气处理设备设施运行记录进入净化器的各处理室,提高净化器使用率和处理效果.8、废气净化器如安装在支架之上时，应与支架紧固连接室外安装时，应加装防雨、遮阳的遮阳篷，以免影响废气净化器的正常使用寿命以及不增加维护费用在经过光氧催化段，进行氧化还原反应，利用的高臭UV紫外线光束照射废气，裂解工业废气，臭氧是一种强氧化剂，也是世界公认的光谱剂
uv光氧催化废气处理设备操作维护保养注意事项
原标题：uv光氧催化废气处理设备操作、维护保养注意事项uv光氧催化废气处理设备操作、维护保养注意事项： 1、用户应定期检查、保养设备进入光解废气净化器的管段应该光滑，并且要有一段直管，废气进入设备的时候能够形成稳定的恒流，使用的传输管道是用金属软管连接，以产voc废气处理设备生小的震动效果11、应该在风机的前段装设风量控制装置，采用风机变频器或者空气控制阀来调节风量，因为想让光氧废气净uv废气处理设备设施运行记录化器的处理优势发挥到，进入设备的风量应该是稳定的，而且风量要印刷厂废气处理设备销售价平稳，如果风量时大时小，不仅废气处理效果不佳，而且对除臭设备也会造成的影响因为UV光氧净化器也属于高压设备，所以应该在运行维护或者设备检修时都做好防点击事故措施
UV光解废气处理设备产品性能综述
UV光解废气处理设备，包括处理箱体及设于处理箱体内的紫外LED灯组、催化板和氧气发生器，所述处理箱体一端设有进气口，另一端设有出气口2.无需添加任何物质：只需要设置相应的排风管道工业废气处理设备和排风动力，使恶臭气体通本设备进行脱臭分解净化，无需添加任何物质参与化学反应3.适应性强：可适应高浓度，大气量，不同恶臭气体物质的脱臭净化处理，可每天24小时连续工作，运行稳定4.运行成本低：本设备无任何机械动作，无噪音，无需专人管理和日常维护，uv废气处理设备设施运行记录只需作定期检查，本设备能耗低，（每处理1000立方米/小时，仅耗电约0.1度电能），设备风阻低<30pa，可节约大量排风动力的能耗8.环保产品：采用技术理念，通过我公司工程技术人员长期反复的试验，研制出的，具有自主知识产权的科技环保技术产品，可分解恶臭气体中物质，并能达到脱臭效果，经分解后的恶臭气体，可达到化排放，不会产生二次污染，同时达到的作用
uv光氧废气处理设备简介
uv光氧废气处理设备具uv废气处理设备设施运行记录有除恶臭、无需添加任何物质、适应性强、连续运行稳定、运行成本低、设备占地面积小，自重轻等优势，采用技术理念，可分解工业废气中物质，并能达到脱臭、净化效果，经分解后的工业废气，可达到化排放，不产生二次污染，同时达到的作用利用的高臭氧UV紫外线光束照射废气，裂解工业废气如：氨、硫化氢、甲硫氢、甲硫醇、甲硫醚、乙酸喷漆废气处理环保设备方案丁酯、乙酸乙酯、二硫化碳和苯乙烯、硫化物H2S、VOC类、苯、甲苯、二甲苯的分子链结构，使或无机高分子恶臭化合物分子链，在紫外线光束照射下，降解转变成低分子化合物，如CO2、H2O等工业废气利用排风设备输入到本净化设备后，净化设备运用UV紫外线光束及臭氧对工业废气进行协同分解氧化反应，使工业废气降解转化成低分子化合物、水和二氧化碳，再通过排风管道排出室外UV光氧废气处理设备安装：1、为设备的净化效率，风机应设在废气净化器的后面2、UV光氧废气处理设备如安装在支架之上时，应与支架紧固连接
知不知道UV光解废气处理设备工作
原标题：知不知道UV光解废气处理设备是怎么去工作的使带恶臭的气体利用排风设备输入到UV光解设备后，运用带有的紫外线光束和臭氧去对恶臭的气体进行协同和分解氧化反应，令到这些带有很大味道的气体中的物质可以讲解，从而能转化成低分子化合物、水、二氧化碳等uv废气处理设备设施运行记录等，从而再排除室外UV光解废气处理设备维护工作中重要的就是箱体内部的UV灯管，因为工业除臭全靠UV灯管，UV光解除味器箱体内部安装数根灯光，连接到控制线路上，从而使灯管进行高温除味，这种设备由金珠，并取得了良好的效果，但是切记UV光解除味器运行工作之后要进行保养这种UV光解废气处理设备不仅仅是成本低廉那么简单，而且它的运行的稳定性是非常可观的，不需要专人去看护，达到自动化的技术而UV光解废气处理设备也是利用同等的湖北废气处理设备原理，使用UV紫外线光束和臭氧使得污染物分子会在很多的时间内去发生分解，因为各种的反应从而能达到降解污染物的母的
uv光解废气处理设备介绍处味
UV光解废气处理设备是利用的高臭氧UV紫外线光束照射，来裂解电镀工业废气处理设备排放的废气，能的处理：硫化氢、甲硫氢、甲uv废气处理设备设施运行记录硫醇、二硫化碳、苯乙烯、硫化物H2S、VOC类等废气的分子链结构，使或无机高分子废气化合物分子链，在紫外线光束照射下，降解转变成低分子化合物，如二氧化碳、水等，从而达到的治理，实现达标排放，无二次污染UV光解废气处理设备，适合在常温下将废气臭气等有味成份，氧化净化成味的低分子成份，适合处理高浓度（可用预处理的方式让浓度均匀通过）、气量大（设备可组合式处理）、分子结构稳定性强的气体适用范围：食品加工厂、肉类加工厂、屠宰场、家禽饲料场、造纸厂、污水处理厂、垃圾转运站、粪便处理等和无机物恶臭气体的脱臭净化处理炼油厂、橡胶厂、皮革厂、印刷厂、化工厂、中西药厂、金属铸造厂、塑料厂、喷涂溶剂等废气、无机废气、恶臭气体的脱臭净化处理
《华林科纳-半导体工艺》碱溶液中金属杂质在硅片上的附着机理
引言
在半导体工业中，清洁的晶片表面对于电子器件的制造是必不可少的。硅片的表面污染会导致大规模集成电路器件的严重退化。从硅表面去除颗粒最常用的技术是湿化学法，称为RCA清洗的过程。在本文中，我们通过密度泛函理论进行第一性原理计算来研究碱金属溶液中的金属粘附。特别是，研究集中在铝和铁羟基离子的行为上，因为铝和铁通常在APM清洗后在晶片表面大量检测到。目前的理论方法提出了铝和铁羟基络合物粘附过程的反应途径，并提供了反应活化能垒的评估。基于这些计算结果，从硅晶片上金属污染的概率方面讨论了铝和铁之间的差异。本方法的动机是从第一性原理的观点来判断传统的RCA方法，尤其是APM清洗是否能完全防止金属污染。如果APM清洗被认为仍然有希望，那么对pH值的严格控制和温度条件将是重要的。如果没有，则需要补充技术，如添加剂，如表面活性剂和螯合剂，溶液中的金属浓度应显著降低。
实验
使用密度泛函理论进行第一性原理计算。在整个工作中，我们使用了B3LYP方法，为了确定过渡状态和稳定状态，执行了光学优化。含铝金属体系的自旋电子态为单线态，含铁金属体系的自旋电子态为六线态。在几何优化过程中，所有的硅、氧和铝表面原子被允许自由移动，只有终止衬底硅原子的氢原子被固定在它们的初始位置。
铁杂质有两种可能性，即三价铁和四价铁，两种羟基形式的比例取决于溶液的酸碱度。因此，铝(氢)、铁(氢)3和铁(氢)被认为是硅表面金属附着的主要物质。在水溶液中，一些水分子可能作为配体与金属离子结合。因此，知道在这些粘附物质的水性条件下出现哪种配位是非常重要的。进行了初步的优化计算，以显示最稳定和最简单的铝(OH)2、铁(OH)3、铁(OH)4的构型，通过添加水分子来增加金属离子周围的配位。
作为铝或铁金属附着到硅表面后的产物，我们假设了一个金属原子通过硅原子之间的一个O原子与硅原子连接的结构。因此，我们重点研究了Si(111)结构中仅包含表面单键的局部部分，即由Si静止原子和第二层中的三个硅原子。
结果和讨论
硅是一种化学惰性材料，生长在硅衬底上的二氧化硅对许多酸溶液是惰性的，即使在高温下也能保持不变。APM溶液在超声波或热加热的辅助下显示出很强的清除颗粒的能力，并且对硅和二氧化硅有微弱的蚀刻作用。HPM溶液可以溶解衬底上除硅以外的大部分金属。因此，只要衬底的基本材料仅使用硅，HPM清洗和APM清洗的组合对于去除金属污染物是非常合理的。然而，这种高清洁能力可能会偶然地导致在最近的先进大规模集成电路技术中存在于衬底上的金属材料的蚀刻。根据目前的理论计算，如果金属溶解在清洗溶液中并形成羟基络合物，原则上不能避免金属污染。应对这种金属污染的措施之一是加入添加剂，以降低清洗液中的金属浓度。
与实验结果的比较。在我们以前的实验研究中，比较了稀HF处理表面和氧化表面之间金属络合物粘附的可能性。在铝、铁和锌的每种情况下，在氧化表面上检测到的金属杂质的量都比在HF处理的表面上检测到的量大得多。从理论计算得到的能量图很好地解释了这一实验结果。
总结
量子化学计算阐明了铝或铁羟基杂质附着在溶液中羟基封端的硅表面的反应路径。在铝(OH)—、铁(OH)3·3H2O和[铁(OH)4·2H2O]—粘附的每种情况下，通过硅-氧-氢到的交换产生H2O摩尔电子硅氧金属键合连接。金属粘附的活化能足够小，然后反应在室温下顺利进行。铝或铁羟基杂质的分离也是可能的，这是由于在硅氧金属连接的氧金属或硅氧键处的H2O分子的攻击。氧金属键的离解比硅氧键的离解更有利。然而，与粘附相比，这种分离在能量上是不利的，因此，即使只使用纯水或碱溶液技术对硅晶片进行清洗处理，大部分金属杂质仍会保留在表面上。因此，利用溶液中的添加剂如螯合剂和表面活性剂来防止高酸碱度范围内的金属粘附变得更加重要。
#马航##统一#
引言
在半导体工业中，清洁的晶片表面对于电子器件的制造是必不可少的。硅片的表面污染会导致大规模集成电路器件的严重退化。从硅表面去除颗粒最常用的技术是湿化学法，称为RCA清洗的过程。在本文中，我们通过密度泛函理论进行第一性原理计算来研究碱金属溶液中的金属粘附。特别是，研究集中在铝和铁羟基离子的行为上，因为铝和铁通常在APM清洗后在晶片表面大量检测到。目前的理论方法提出了铝和铁羟基络合物粘附过程的反应途径，并提供了反应活化能垒的评估。基于这些计算结果，从硅晶片上金属污染的概率方面讨论了铝和铁之间的差异。本方法的动机是从第一性原理的观点来判断传统的RCA方法，尤其是APM清洗是否能完全防止金属污染。如果APM清洗被认为仍然有希望，那么对pH值的严格控制和温度条件将是重要的。如果没有，则需要补充技术，如添加剂，如表面活性剂和螯合剂，溶液中的金属浓度应显著降低。
实验
使用密度泛函理论进行第一性原理计算。在整个工作中，我们使用了B3LYP方法，为了确定过渡状态和稳定状态，执行了光学优化。含铝金属体系的自旋电子态为单线态，含铁金属体系的自旋电子态为六线态。在几何优化过程中，所有的硅、氧和铝表面原子被允许自由移动，只有终止衬底硅原子的氢原子被固定在它们的初始位置。
铁杂质有两种可能性，即三价铁和四价铁，两种羟基形式的比例取决于溶液的酸碱度。因此，铝(氢)、铁(氢)3和铁(氢)被认为是硅表面金属附着的主要物质。在水溶液中，一些水分子可能作为配体与金属离子结合。因此，知道在这些粘附物质的水性条件下出现哪种配位是非常重要的。进行了初步的优化计算，以显示最稳定和最简单的铝(OH)2、铁(OH)3、铁(OH)4的构型，通过添加水分子来增加金属离子周围的配位。
作为铝或铁金属附着到硅表面后的产物，我们假设了一个金属原子通过硅原子之间的一个O原子与硅原子连接的结构。因此，我们重点研究了Si(111)结构中仅包含表面单键的局部部分，即由Si静止原子和第二层中的三个硅原子。
结果和讨论
硅是一种化学惰性材料，生长在硅衬底上的二氧化硅对许多酸溶液是惰性的，即使在高温下也能保持不变。APM溶液在超声波或热加热的辅助下显示出很强的清除颗粒的能力，并且对硅和二氧化硅有微弱的蚀刻作用。HPM溶液可以溶解衬底上除硅以外的大部分金属。因此，只要衬底的基本材料仅使用硅，HPM清洗和APM清洗的组合对于去除金属污染物是非常合理的。然而，这种高清洁能力可能会偶然地导致在最近的先进大规模集成电路技术中存在于衬底上的金属材料的蚀刻。根据目前的理论计算，如果金属溶解在清洗溶液中并形成羟基络合物，原则上不能避免金属污染。应对这种金属污染的措施之一是加入添加剂，以降低清洗液中的金属浓度。
与实验结果的比较。在我们以前的实验研究中，比较了稀HF处理表面和氧化表面之间金属络合物粘附的可能性。在铝、铁和锌的每种情况下，在氧化表面上检测到的金属杂质的量都比在HF处理的表面上检测到的量大得多。从理论计算得到的能量图很好地解释了这一实验结果。
总结
量子化学计算阐明了铝或铁羟基杂质附着在溶液中羟基封端的硅表面的反应路径。在铝(OH)—、铁(OH)3·3H2O和[铁(OH)4·2H2O]—粘附的每种情况下，通过硅-氧-氢到的交换产生H2O摩尔电子硅氧金属键合连接。金属粘附的活化能足够小，然后反应在室温下顺利进行。铝或铁羟基杂质的分离也是可能的，这是由于在硅氧金属连接的氧金属或硅氧键处的H2O分子的攻击。氧金属键的离解比硅氧键的离解更有利。然而，与粘附相比，这种分离在能量上是不利的，因此，即使只使用纯水或碱溶液技术对硅晶片进行清洗处理，大部分金属杂质仍会保留在表面上。因此，利用溶液中的添加剂如螯合剂和表面活性剂来防止高酸碱度范围内的金属粘附变得更加重要。
#马航##统一#
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