常见的电力电子元器件有哪些？有哪些优缺点？-道合顺大数据
电力电子元器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。
电力电子元器件分类
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：
1.半控型器件，例如晶闸管；
2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；
3.不可控器件，例如电力二极管。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：
1.电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；
2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；
2.电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；
2.单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；
3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。
电力电子元器件优缺点
电力二极管：结构和原理简单，工作可靠；
晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高
IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO
GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺点：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低
电力MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素：耐压，电流容量，开关的速度 。
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电力电子元器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。
电力电子元器件分类
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：
1.半控型器件，例如晶闸管；
2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；
3.不可控器件，例如电力二极管。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：
1.电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；
2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；
2.电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；
2.单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；
3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。
电力电子元器件优缺点
电力二极管：结构和原理简单，工作可靠；
晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高
IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO
GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺点：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低
电力MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素：耐压，电流容量，开关的速度 。
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在矿山的施工建设中，为了保障施工人员的安全以及工作的便利性，会采取很多的安全措施以防意外，其中铰接顶梁是非常重要的一种，为矿井下的工作提供了更加安全便利的空间，起到了至关重要的支护作用，为帮助大家更好的了解铰接顶梁的知识，我们山东兴晔厂家为您整理了以下文章供您参考。
一、铰接顶梁是做什么用的呢？
铰接顶梁即金属性顶梁，一种铰接式的顶梁，可与各种类型金属单体液压支柱配合组成金属支架，供煤矿在水平及缓倾斜回采工作面支护的一种高强度顶梁，由于这种顶梁能悬臂支护工作面、煤壁面前边的运输机道上面的顶板，是煤壁与支柱间有较大的支护空间。铰接顶梁适用于含瓦斯等易燃易爆气体的井下，小于25°的斜巷或者平巷中，用于煤矿井下回采面中为新型的采煤机提供更广阔的施工空间，可以行人，行车，回采。
二、铰接顶梁都是包含哪些配件呢？
铰接顶梁主要包括：π型梁，左耳板，右耳板，大接头，圆销，挡圈，水平楔等，因为铰接顶梁是煤矿巷道中常用的支护顶梁，其长度比较短，一般是铰接在一起使用，同时与π型梁和单体支柱配合支护效果更牢固，所以，常用的型号一般有0.8米铰接顶梁，1米铰接顶梁，1.2米铰接顶梁。
三、铰接顶梁适用范围都有哪些呢？
铰接顶梁它可以与各种类型单体支柱配合组成金属支架，顶梁供煤矿在水平及缓顷斜回采工作面及机头或其他较大控顶区使用。矿用铰接顶梁它能长跨度悬臂式支护控顶区顶板，实现工作面有较大的无支柱支护的工作空间，为改善劳动条件和采用新型采煤机械及可弯曲运输机出纳改造了有利条件。 https://t.cn/A66NQKyt
一、铰接顶梁是做什么用的呢？
铰接顶梁即金属性顶梁，一种铰接式的顶梁，可与各种类型金属单体液压支柱配合组成金属支架，供煤矿在水平及缓倾斜回采工作面支护的一种高强度顶梁，由于这种顶梁能悬臂支护工作面、煤壁面前边的运输机道上面的顶板，是煤壁与支柱间有较大的支护空间。铰接顶梁适用于含瓦斯等易燃易爆气体的井下，小于25°的斜巷或者平巷中，用于煤矿井下回采面中为新型的采煤机提供更广阔的施工空间，可以行人，行车，回采。
二、铰接顶梁都是包含哪些配件呢？
铰接顶梁主要包括：π型梁，左耳板，右耳板，大接头，圆销，挡圈，水平楔等，因为铰接顶梁是煤矿巷道中常用的支护顶梁，其长度比较短，一般是铰接在一起使用，同时与π型梁和单体支柱配合支护效果更牢固，所以，常用的型号一般有0.8米铰接顶梁，1米铰接顶梁，1.2米铰接顶梁。
三、铰接顶梁适用范围都有哪些呢？
铰接顶梁它可以与各种类型单体支柱配合组成金属支架，顶梁供煤矿在水平及缓顷斜回采工作面及机头或其他较大控顶区使用。矿用铰接顶梁它能长跨度悬臂式支护控顶区顶板，实现工作面有较大的无支柱支护的工作空间，为改善劳动条件和采用新型采煤机械及可弯曲运输机出纳改造了有利条件。 https://t.cn/A66NQKyt
索尼在泰国新建图像传感器工厂
索尼集团2024年度将在泰国建设半导体新工厂。主要制造用于辅助汽车驾驶等的半导体，将把泰国的生产规模增加7成。索尼将在日本完成在主要零部件晶圆上制造电路的前工序，然后在人工费低的泰国加工成最终产品，出口到全世界。虽然半导体的部分需求减少，但车用需求保持坚挺。索尼将推进生产工序的国际分工，建立即使供求紧张也能稳定供应产品的体制。
集团旗下的半导体业务公司索尼半导体解决方案将投资约100亿日元在泰国中部的生产基地内建设新厂房。现已开工建设，2024年度投产。将生产配备在汽车上用来识别行人和障碍物的图像传感器等。将新招聘2000名员工。
半导体制造分为在主要零部件晶圆上制造电路的前工序和把形成了电路的晶圆切成芯片并用树脂覆盖的后工序。前工序需要高超的技术，而后工序一般需要很多人手，能否降低人工费将左右竞争力。
目前，除了前工序外，索尼车载传感器的大多后工序也在熊本县等日本国内工厂生产。索尼未来将把前工序集中到日本国内，最终加工则主要在泰国进行。
在新冠疫情下，全球半导体供应停滞，电子产品和汽车生产下滑。推进半导体生产的国际分工，建立即使灾害和传染病扩大也可以稳定向客户供应产品的体制至关重要。在世界大型半导体企业中，美国英特尔等也为了防备紧急情况而加快分散生产基地。
半导体此前在疫情下持续处于供求紧张状态，但目前面向电脑和智能手机的需求正在下滑。而随着驾驶辅助技术的先进化和自动驾驶等汽车数字化，来自汽车领域的需求坚挺。预计“CMOS”图像传感器的市场规模到2026年将达到269亿美元，比2021年增加3成。索尼的CMOS图像传感器份额排在世界第一，约占5成。20221115周二
索尼集团2024年度将在泰国建设半导体新工厂。主要制造用于辅助汽车驾驶等的半导体，将把泰国的生产规模增加7成。索尼将在日本完成在主要零部件晶圆上制造电路的前工序，然后在人工费低的泰国加工成最终产品，出口到全世界。虽然半导体的部分需求减少，但车用需求保持坚挺。索尼将推进生产工序的国际分工，建立即使供求紧张也能稳定供应产品的体制。
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半导体制造分为在主要零部件晶圆上制造电路的前工序和把形成了电路的晶圆切成芯片并用树脂覆盖的后工序。前工序需要高超的技术，而后工序一般需要很多人手，能否降低人工费将左右竞争力。
目前，除了前工序外，索尼车载传感器的大多后工序也在熊本县等日本国内工厂生产。索尼未来将把前工序集中到日本国内，最终加工则主要在泰国进行。
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半导体此前在疫情下持续处于供求紧张状态，但目前面向电脑和智能手机的需求正在下滑。而随着驾驶辅助技术的先进化和自动驾驶等汽车数字化，来自汽车领域的需求坚挺。预计“CMOS”图像传感器的市场规模到2026年将达到269亿美元，比2021年增加3成。索尼的CMOS图像传感器份额排在世界第一，约占5成。20221115周二
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